新�Q��けましておめでとうございます。今�Qもセミコンポータルにおいて、良��な記��をお届けしたいと思います。半導��業�cを中心に、ハードとソフトを含めた���]業への�D材を行い、それを元にテクノロジー、インダストリー、マーケットなどのコラムで半導���噞の役に立つ記��を提供します。ブログはほんの�}�Xかりにすぎません。ブログの裏��けは記��において反映する、これが基本�疑砲任后�今�Qもどうぞよろしくお願いします。 [→��きを読む]
世�c経済不況による�jきな落ち込みに�瓦靴得つc�Q国・地域の景気�v復策を総動�^して���xの食い�Vめに�{われた感のある2009�Qも終わり、新しい�Q、2010�Qを迎えている。半導��業�cも、慎�_な在�U調�D・��充、新興�x場の旺�rな��要などで、当初のマイナス見込みほどには至らなかったようである。 2009�Qから2010�Qへの�Q越しを業�c記��から総括してみる。 [→��きを読む]
今�Q1�Q間、ご愛読ありがとうございました。2009�Q最後のブログです。 2009�Qを振り返ってみると、ひどい落ち込みに見舞われた1�Qだといえる。��に��1四半期（1〜3月）の世�cの半導��デバイスの売り�屬欧��i�Q同期比29.4%��の4431億ドルを記�{した。2月の単月では1423億ドルまで沈んだ。この10月になりようやく、�i�Q同月比4.8%��の2249億ドルまで�v復した。この数�Cは2008�Qの11月の2087億ドルを��えているため、2009�Q11月、12月の数�Cは間違いなくプラス成長に変わるだろう。 [→��きを読む]
「このまま�}をこまねいていれば、日本が�u�TとするLEDのマーケットは�f国勢・��湾勢にやられまくってしまう。何故に�j型設��投�@の��画を�]ち出さないのだろう」。LED（発光ダイオード）の化合�餾猯舛魘ゝ襪垢覺覿箸留超肇泪鵑�うめくように言った言��である。確かに��点になっている白色LEDについてはこれまで、日本の日亜化学工業、�l田合成など日本勢が圧倒的なシェアを誇ってきた。 [→��きを読む]
世�c経済�e機による落ち込み、世�c�Q国・地域の�v復に向けた���xの努��に�{われた2009�Q、世�c半導��販売高も�Q半ばでは21.3%の��少かと見られたが、1-10月までの����では16.6%��となっていて(��SIAの3ヶ月平均データのベース)、食い�Vめる�Q���Cの努��が反映されてきている。緩やかな�v復を��けている現時点で、半導��・デバイス業�cのこの2009�Qを振り返る。 [→��きを読む]
長きにわたるGartner社からの�]報データでは、半導��業�cの2009�Q売�屬欧�$226 billionで、2008�Qから11.4%��、ここ25�Qで6度�`の��少になる、とのことである。世�c経済�e機の��中で、もっと�jきな落ち込みの見�気盡�られたが、�Q国・地域の経済�敢�が奏功、ここまでに踏みとどまったという締め�気��j勢にように思う。グローバルな経済の潮流に�Dり残されないよう、�{い��き�{い越せ、そのような実��を��に感じるこの1�Qである。 [→��きを読む]
MIRAIプロジェクト成果報告会に出席した。More Mooreとして微細化を推し進める�T果、デバイス�駘�からレビューし、衝突のないバリスティックトランジスタや、FINFETのような3次元トランジスタ構�]、ショットキーバリヤのソース接合といったアイデアなど、半導��がさらに発�tすることは��確になった。半導���噞の�_要性も経済�噞省は認識している。ならばプロジェクトのやり�気鮑童‘い垢襪海箸��_要ではないか。 [→��きを読む]
�L外のスーパーコンピュータは�c間企業が開発し、クレイ、SGI、サンマイクロシステムズ、そしてIBMが性�Ε肇奪�10メーカーに入っている。IBM以外はいずれも日本のNECや日立��作所よりも小さな企業である。しかも性�Δ脇�本��よりも高く、価格は�Wい。国からの�q�\もない。�k�機�日本勢は、NECと日立がスーパーコンピュータ分野から�}を引き、富士通1社だけが国の�q�\を�pけながら開発を��けている。 [→��きを読む]
クリスマス、��月、旧��月とHoliday Seasonを�呂─�電子機�_セットの作り込みは�僂��圓�て、来�Q、そしてその先に向けてどのような�\術を�~使して�x場のアプリケーション・ニーズに最�j限応えていくか、この時期、タイミングにおけるいつもながらの課��であり、風情でもある。このサイクルが健��にいつまでも��くようにと願う思いがある。 [→��きを読む]
シリコンカーバイドはバンドギャップがシリコンと比べて�jきく�T晶の融点も高いため、高�aでも動作し使��時の�a度�J囲を広くとれる。かつ逆耐圧が高く�n働電圧電流を�jきくとれる�W点もある。その�屐√X伝導率はシリコンの3倍もあって、これはパワーデバイスにとって夢の半導��材料といえよう。そのシリコンカーバイドが�x場に登場して来た。 [→��きを読む]
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