しかし、45nmの先の32nm、22nm、16nmなどへとさらに微細化が進むにつれ、これまでの�\術の��長で実現できるのか、まだ誰にもわからない。そのためにEUVといった軟X線（�S長2nm��度）を�W��するリソグラフィ�\術や、繰り返しパターンを�W��して2�v露光でパターンのピッチを実��的に半分にするダブルパターニング�\術などが�t��として挙がっている。

�\術成果報告会では、マスクの設��・�W画法と検�h��(sh┫)法についての発表であった。このプロジェクトでは国家（NEDO）からも予�Qがついているものの、微細化まっしぐらのこのテーマに関しては最新疑問の�mを�噞�cからよく聞く。彼らは表立って�jきな�mで言わないが、相変わらず国のプロジェクトはハード志向だね、いつまでも微細化の時代じゃないのにこのようなテーマを��(li│n)ぶんだね、マスク�\術の開発は国家プロジェクトでやるテーマなのかしらね、などなどと本音を��らす。

3月13日にセミコンポータル主��の半導��エグゼクティブフォーラムを開��した（http://www.589173.com/archive/editorial/industry/spi1.htmlないし、http://www.589173.com/archive/editorial/industry/spi4.html）ときに、今は半導���噞は変革期に来ており微細化しなくても�科�にビジネスができる例を紹介してきた。もちろん、今まで通り微細化��須のビジネスもある。しかし、半導���\術を捉えなおす変革期に来ており、聞きに来られた会場の��(sh┫)々のアンケートにもその�mが反映されている。

国家が半導���噞にどう係るか、これまでの���\金��策で良いのか、��争��をつけるために��要なことを国家がどう反映させるべきか、国家プロジェクトにも考え��(sh┫)をこれまでとは同じではいけない変革期に来たのではないだろうか。最�Z、英国の半導���噞を�D材してきて���Bのあり��(sh┫)などを��集で紹介してきたが、それは�kつの解であり、��争��をつけて英国の半導���噞がこれから��成長するための��(sh┫)策である。

もちろん、日本のやり��(sh┫)は英国を真�瑤垢譴个茲い箸いΔ錣韻任呂覆ぁ�ではこの先どうやって日本独�Oの戦�Sを立てればよいのだろうか。�噞�cには、日本は戦�Sを立てられないとか、戦�Sを立てるのが日本は下�}だとか、言う人がいる。しかし、�Mはそうは思わない。日本人は��して���Lの劣った�c��ではない。賢い�c��だ。ただ、戦�Sの立て��(sh┫)を�瑤蕕覆い世韻世隼廚Α�戦�Sを立て、きっちりと実行できる仕組みを作ることを�a�{していけばよい。

半導���噞の変革期に国家がどう係り、何をすべきか、をしっかりと議�bして日本独�Oの国家戦�Sと10�Q後の絵を�Wけばよい。戦�Sを立てて実行するというゴールを実現するためには�c間の���Lが�Lかせない。これをどう����するかがカギとなる。そのためには、日本の半導���噞を�咾�するために�k肌脱ぐ、というボランティア�@神を日本の官�^が�eたなければできない。このボランティア�@神（日本語では滅�M�拿o）は極めて�_要な�T識である。�O分たちの�W下り先を見つけるためにコンソシアムや組�Eを作るのではないかという国�cの疑念を�Oら払しょくさせることができるからだ。国家官�^の���Lに期待したい。