開発した直径3インチのSiCインゴットは、�|�T晶から2000℃を��える高�aで気相成長させたもので、�T晶成長は�O社で行った。先日、同様なSiCパワーチップを発表したローム社は、SiCウェーハそのものは�L外のCree社から�P入している。SiCは常圧で高�aにしても�]��にはならず�w��から直接気��に��華するという性��を�eつため、Siで使ってきたチョクラルスキー引き�屬暇，�使えない。高圧にすれば�]化できるが、����が複雑になってしまう。このため、気相成長でインゴットを作り�屬欧拭�それを厚さ300μm��度のウェーハに切り出しスムーズな表�Cに研磨する。シリコンとは違い、SiCは半透��であるため���Cにはならない。

試作したパワーMOSFETは、耐圧1200V、電流30~40A��度、SBDは耐圧1200Vで電流200Aと�jきい。SiではなくSiCを��いたのは、高�a動作できるだけではなく、高耐圧・高電流密度・高�]スイッチング動作、といった��長が高耐圧の�O動�Zに向くためだ。ダイオードにショットキー接合を��いたのは、pn接合よりも順電圧が低いため。ダイオードはパワーMOSFETの逆電流を逃がすために使う(以下の図)。

これを�kつのデバイスとして、3個使うことで3相交流モーターをスイッチングさせることができる。今�v試作したデバイスの最�j電流は200Aであるが、電気�O動�Zでは電源電圧600Vで電流400Aを流すことをターゲットとしている。このため、このMOSFET/ダイオードのデバイスを6組使い、3相モーター�~動モジュールに入れたシステムをデモンストレーションした。次の開発�`�Yは定格400Aのデバイスを作ることだとしている。

�k�機▲蹇璽爐�200℃での耐圧が1000Vを��すようなMOSFETを試作しており、50Aクラスのショットキーバリヤーダイオードと�k緒に�t��した。次のターゲットである4インチSiCウェーハも�t��していたが、これはCreeから�P入したもの。