このn型シリコンの表�Cにp型ドーパントを拡�gし、p層を形成すればpn接合の出来�屬�りだ。電極コンタクトを設けてリード線を�Dり出すと、�屬寮^真のようなダイオードが完成する。これを12個直�`あるいは並�`に並べたモジュールを作り、エンジニアリングサンプルとして出荷する。電気的��性は下図のとおりである。

この表は、スフェラーF12モジュールのシリーズのいくつかを�Dり出したもので、これ以外に6直�`/2並�`、12直�`/1並�`の����がある。その��性は、シリーズから推察できる。ダイオード1個の��性は、このシリーズでは、開放電圧は0.6V、�]絡電流が2.5mA、出��は1.5mWである。

このモジュールを並べて作ったドーム�Xのモジュールや、このpnダイオードを数��個アレイ�Xに並べたシースルーの�陵枦澱咾覆匹了邵���を見せた。

なお、球�Xのシリコンは、高さ14mの�屬�ら、溶融シリコンを���Xにたらして落下させ、その��中でシリコンは冷えて�wまり、下に落下する場所で球�Xになる。落下した�X��で�wまらせるため、丸い形�Xができる。いわば無�_���X��で作られるからこそ、丸い球になる。無�_���X��を作らなければ��して丸くはならない。�_��の向きにのびて変形するからだ。