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ICチップを基にmめ込む\術が相次いで登場

プリントv路基の中に、チップコンデンサやチップB^などをmめ込んで、実¬度を屬欧詁阿が昨Qから発になってきたが、半導チップまでmめ込んでしまおうという動きが出てきた。インターネプコン・ジャパン2008では、WLP(ウェーハレベルパッケージ)に収めたシリコンチップを基の中にmめ込む\術が相次いで登場した。

富士通は、WLPによるチップではないが、8~9mm角で300ピンのチップをプリント基の中にmめ込み、その基の屬縫侫螢奪廛船奪廚琶未糧焼チップを載せた。このプリント基はk|のIC基となり、そのjきさは18mm角、ボールピッチが0.8mm、端子数が288ピンとよくあるjきさに半導チップを収めている。このICのさらに屬PoPで、3番`のICパッケージを載せた形である(^真1)。

富士通のICチップを基にmめ込んだ例
^真1 富士通のICチップを基にmめ込んだ例


ルネサステクノロジは、プリント基j}の日本シイエムケイと共同で、IC内鉄韶を開発、無線LANのh価ボートに応してみた。このRFICh価基で2.4GHzでの動作を確認した。ルネサスによると、基内ICのメリットは、実¬度を屬欧蕕譴襪箸いk般的な理yのほかに、シールドが容易になることからノイズを抑えることができる、としている。

試作したh価ボードは、6層配線で、チップをmめ込んだ基の厚さは0.48mmしかない。ルネサスはv路設や実、シミュレーションなどを担当し、基作はシイエムケイが担当した。実化には、コストの問があるため、量桔,粒領と加価値をどう高めるかという問が残っている。

フジクラは、WLPパッケージに収めたICチップをポリイミドH層基内にmめ込み、ビルドアップ}法によりポリイミド層を4層積層、配線層は6層形成した。260℃のJEDEC Lv.2に相当するハンダ耐X試xで、信頼性を確認している。層間の配線には導電ペーストのビアをWした。

基の厚さはで210μmしかなく、ライン/スペースは40/40μmで、ビアピッチは300μm。この基で光ピックアップやカメラモジュールも試作している。ICチップの厚さは100μmで、携帯電Bのアプリケーションプロセッサなどに応できるとみている。

カシオQ機は、WLPパッケージのICを基にmめ込むEWLP\術のエコシステムを形成できるEWLPコンソシアムを中心となって動してきたが、今vのインターネプコンで二つの実化例を紹介している。

kつは、トッパンNECサーキットソリューションズが採したワンセグチューナモジュール(^真2)で、OFDM変調LSIチップのWLPをmめ込んでいる。チップの厚さは0.3mmで、モジュールの厚さは1.55mmである。6層のビルドアップ法で形成している。


トッパンNECサーキットソリューションズのワンセグチューナモジュール

^真2 トッパンNECサーキットソリューションズのワンセグチューナモジュール


もうkつは、日本シイエムケイが時ICにEWLPを採した例である(^真3)。これも6層のビルドアップ基を使い、ICをmめ込んだ。基は0.8mmしか厚さはない。


 日本シイエムケイの時ICをmめ込んだEWLP

^真3 日本シイエムケイの時ICをmめ込んだEWLP

ごT見・ご感[
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