MEMS券慷達が垮窘を畝え、デ〖タセンタ〖など光籃刨ˇ光慨完拉尸填へ
MEMSタイミングデバイスがこれまでの補刨擴告房垮窘券慷達事みの籃刨を光めるようになった。しかも垮窘よりもずっと井房で、墓箕粗の蝗脫面にも拉墻昔步が警なく、墓袋、面袋の慨完拉も光い。この糠瀾墑≈Epoch Platform∽∈哭1∷を倡券したSiTimeは、デ〖タセンタ〖や掛鄂抱描、緩度などインフラ脫羹けの光籃刨クロック輝眷を晾う。
哭1 光籃刨ˇ光慨完の輝眷を晾うMEMSクロック券欄達 叫諾¨SiTime
SiTimeは、もともとBoschからスピンオフしたMEMSメ〖カ〖であるが、2014鉗に泣塑のファブレスであるメガチップスが傾箭、66.8%の臭及を積っていた。20鉗6奉にはSiTimeの瘦銅臭及の辦嬸を緘庶し、息馮灰柴家から積ち尸努脫柴家に敗乖した。その箕でさえ、46.7%の臭及を瘦銅していた。メガチップスはさらに臭及を緘庶し、附哼では21%に負警した。とはいえそれでも呵絡(luò)の臭肩だという。SiTimeは2022鉗、澎疊の墑李に泣塑オフィスを倡肋、泣塑恕客サイタイムジャパン圭票柴家を肋惟した。
MEMSを蝗った慷瓢灰に、件僑眶を恃えられるPLL∈疤陵ロックル〖プ∷などの攙烯、さらに補刨輸浸攙烯などシリコンのCMOSチップを1パッケ〖ジに礁姥したMEMSクロック券欄達をSiTimeは墓鉗、倡券、任卿してきた。叫操したMEMS券慷達は蕪紛で30帛改にも茫するという。
Bosch箕洛に、アスペクト孺の光い考い孤をまっすぐに貳ることのできるBoschプロセスを倡券してきたSiTimeだが、海ではMEMS肋紛とパッケ〖ジ肋紛を乖うファブレス染瞥攣メ〖カ〖となっている。わずかな慷瓢でも拉墻に絡(luò)きな逼讀を涂えるMEMS慷瓢灰では、パッケ〖ジング禱窖を澄惟していなければビジネスできない。SiTimeはCMOSプロセスとMEMSプロセスはファウンドリに、パッケ〖ジはOSATに、それぞれ瀾隴を巴完している。ただし、MEMS迫潑のパッケ〖ジ肋紛はSiTimeがOSATに慌屯を叫しているようだ。
このほど券山した糠房のMEMSクロック券欄達は、さまざまなデジタル攙烯を瓢かすためのクロック∈客粗でいえば看隆の篙瓢に碰たる∷は、垮窘では補刨巴賂拉が動く、井房貢補鈴と補刨輸浸攙烯は澀寇だった。MEMSでももちろん貢補鈴と補刨輸浸攙烯は風(fēng)かせないが、パッケ〖ジ鏈攣を井房步したため、畝井房貢補鈴のための久銳排蝸は、420mWと驕丸垮窘での1.5Wよりも猴負した。件僑眶を聯(lián)買できるPLLなどの攙烯も礁姥している。SiTimeが晾うのは、あくまでも畝光籃刨で畝光慨完の尸填∈哭2∷。
哭2 光籃刨ˇ光慨完尸填にも蝗えるMEMSクロック券欄達 叫諾¨SiTime
もともとシリコンのMEMSデバイスは、窗鏈馮窘という潑拉を網(wǎng)脫して怠常弄にたわませるため、慨完拉が垛擄やその戮の亨瘟よりも光い。毋えば垛擄室は部刨も擂り妒げを帆り手すとクリ〖プと鈣ばれる辱汐附據(jù)が附れる。≈シリコンの怠常弄な動刨がこれほど光いとは蛔わなかった∽という咐駝をある極瓢賈メ〖カ〖のエンジニア使いた。シリコンのMEMSデバイスは窗鏈馮窘で部刨たわませてもビクともしない。
糠倡券のEpoch Platformは、件僑眶を10MHz×220MHzで恃えられ、補刨恃步に灤する件僑眶奧年拉は、呵絡(luò)の瀾墑でさえ∞5ppbと端めて井さい。Part per Billion (ppb)はppmの1/1000の疙汗。慨完拉も崔めppb帽疤の庭れた奧年刨である∈哭3∷。
哭3 糠MEMSクロック券欄達の肩な潑拉 叫諾¨SiTime
ここでホ〖ルドオ〖バ〖とは、ある箕粗∈毋えば8×12箕粗∷息魯して囪盧しなければならないような覺斗でどれだけ墓い箕粗に籃刨を瘦てるかという回篩である。このEpoch Platformは、8箕粗茨董ストレスがかかった覺輪でもクロック箕粗の籃刨は∞5μs笆柒だとしている。
これまでの垮窘やMEMS券慷達の煎爬だった、絡(luò)きな久銳排蝸に灤しては、パッケ〖ジを9.0mm∵7.0mm∵4mm∈更さ∷と井房步することで驕丸1.5W∈垮窘∷だった久銳排蝸を420mWまで布げることができた。
奶慨答孟渡やデ〖タセンタ〖では、篩潔箕粗を績すクロック券欄達が驢眶澀妥である。潑に5Gや6Gなどは孟懼、幣辣、とどこにいても箕癸の票袋を哭らなければならない。毋えばV2V∈賈賈粗奶慨∷ではクルマ票晃の箕癸を路えなくては禍肝につながる恫れがあるため、5Gのリリ〖ス16から票袋拉はマストになっている。潑にホ〖ルドオ〖バ〖の籃刨は稍材風(fēng)であり、墓袋慨完拉と鼎に腳妥な拉墻パラメ〖タになる。
