スパンション、シリアルNORフラッシュを高�]化、66MB/秒の読み出し実現
�櫂好僖鵐轡腑鵝�Spansion）社が、もともと高�]読み出しを��長とするNORフラッシュを低コストで提供できるシリアル読み出しメモリー����群を�啣修靴討い襦�シリアルメモリーはもともと�Wくするためピン数を��らす�擬阿世辰燭�、NANDフラッシュよりも高�]に読み出せるという��長を発ｧできるようになった。スパンションはNANDとは��合しない高�]フラッシュを低コストで実現するための分野を狙っている。
図1 スパンションのシリアルNORフラッシュ
NORフラッシュは、NANDと比べ容量は小さいが読み出し書き込み�]度が�]い。ある�T味で並�`動作させているからだ。�k�気妊轡螢▲襯▲�セス動作をさせるということは、直�`動作であるため原理的に動作は��くなる。しかし、ピン数は少なくてすみチップの実���C積は小さくなる。今�vのスパンションのNORフラッシュは、SPIインターフェースを通してシリアルにデータを書き込み/読み出ししながら、90nmプロセスとDDRにより読み出し�]度を�屬�、��来のNORフラッシュよりも低いコストのICを実現というもの。
狙うべき����はまずクルマ��のインフォテインメント関係。この����はカーコンピュータ動作そのものであるから、NORフラッシュによってインスタントオン、すなわち電源を入れるとすぐに立ち�屬�ることができる。しかも、クルマは高�a動作が求められるため、不ｧ発性メモリーの�咾気��擇�てくる。105℃まで動作可�Δ世箸靴討い�。ドライバに表��する情報を3次元グラフィックで提供するのに1Gビット��だとDRAMが要らないというメリットもある。スマートメータ����も狙う。ここは屋外に設��されるため、高�a・低�a動作に加え長期信頼性も要求される�屐�個人情報となるセキュアであることも求められるため、不ｧ発性メモリーの�W点が�擇�る。テレビやプリンタなどでは最�j256Mビット��度の小容量ですむ�屬法▲ぅ鵐好織鵐肇�ン��性が��要で、低コストが要求される。こういった����にピン数が少なく比較的高�]のシリアルNORフラッシュが向く。
�j容量化ではNANDには及ばないが、それでも1Gビット��度ならMirrorBit 構�]のNORフラッシュのメリットが�擇�る。�擇泙譴覆�らに2ビット/セル構�]だからである。今�vは8ピンのSOパッケージで4Mビットから128Mビットまで、16ピンSOと24ボールBGAパッケージで最�j1Gビットまでの����を�Dりそろえ、SONパッケージ��も���Tした。
図2 パッケージに合わせて4Mビットから1Gビットまで揃える 出�Z：Spansion
今�v、シリアルアクセスながら読み出し�]度を�屬欧襪海箸�できたのは、DDR（double data rate）を使ったからである。すなわちクロックパルスの立ち�屬�りでデータを4ビット分読み出し、�T下エッジでさらに4ビット分を読み出すことで、1クロック当たり8ビットデータを読み出せるようになった。この�T果、データ転送レートは66MB/秒を実現できた。また、書き込み・消去時間も��来よりも高�]にした。これは512バイトのページ書き込みと、256バイトの消去ができるようにしたことによる。
NORフラッシュの応��としてセキュリティを�啣修垢訝���がある。ここでは、4�|類のデータ保護を導入した。まずブロック書き込み保護において�k時保護と�P久保護の�覦茲鮴澆韻�。�k時保護は�k時的に電源電圧が落ちた場合に�△┐襪發�。さらに1024バイトのOTP（one-time programmable）プログラミング�覦茲眄澆韻�。この中に128ビットのID�覦茲鮴澆韻拭�ここに指紋情報など128ビット分のID情報を記憶する。3つ�`は�P��的なセクターにロックをかけることである。最後にASP（Advanced sector protection）�覦茲鮴澆韻�。これはビットマップレベルでロックをかけるもの。この中に、�P��的に保護するモード、パスワードによる保護モード、パスワードによる読み出し保護モードなどを���Tした。
