ルネサスがSiウェーハ�屬坊狙�したGaNのRFパワーアンプをサンプル出荷
ルネサスエレクトロニクスは、Siウェーハ�屬�GaN薄膜を成長させたRF（高周�S）パワートランジスタを開発、�x場へ送りこんだ。GaNのFETは��来RFで使われてきたGaAsFETと比べ、送信出��を倍�\できる(参考�@料1)。
図 1GHz帯GaNパワーアンプモジュール 出�Z：ルネサスエレクトロニクス
ルネサスが今�vサンプル出荷したGaNトランジスタの基��には3インチのSiウェーハを��いた。�k般に、Si基���屬�GaNをエピタキシャル成長させる場合にはSiとGaNとの格子定数が違うため、その差を緩和する薄膜材料をバッファ層として導入する。ただし、このFETはMOSのように表�C�Zくのチャンネルを�W(w┌ng)��し、HEMTのようにヘテロ接合を�W(w┌ng)��したノーマリオフデバイスである。バルクの�T晶性の影�xは�E色ダイオードほど�咾��pけないため、GaN on Siの商��化が早かった。
ルネサスが今�v発表する以�iにも�櫂ぅ鵐拭璽淵轡腑淵襦Ε譽�ティファイアー（International Rectifier: IR）社も低周�Sパワートランジスタの応��として2010�Q2月に商��化を果たしている（参考�@料2）。150mmのシリコンウェーハ�屬�GaNを形成するIRの����は、DC-DCコンバータやPOL（point of load）電源としての応��である。このため動作周�S数は5MHz��度だが、出��電流は30Aと�jきい。
今�vルネサスが狙ったのは、GaNがSiよりも3倍も�‘暗戮�高いことを�W(w┌ng)��する高�]・高周�S����。CATVシステムのパワーアンプ��で、VHF〜1GHz帯の動作ではこれまでのGaAsよりも送信出��は倍�\したとしている。仕様による745.25MHzでの出��は56dBmV（＝約8mW）。1GHzでの線形�W(w┌ng)�uは19dB。使��周�S数�J囲は40〜1000MHz。推奨バイアス電圧はVDD=24V、�v路電流は365mAという。送信出��を�屬欧襪海箸覗�信�{�`を�Pばすことができるうえ、高周�Sで線形性が良いということは歪みが少ないことにつながる。
�攵喤点はルネサス関�･札潺灰鵐瀬�タの��賀工場であり、旧NEC関�､旅�場だ。1�Q以内に6インチ(150mm)ウェーハへと�eっていく��画だ。
参考�@料
1. 業�c最高レベルの高出��と低歪性�Δ鮗存修垢襦�1GHz帯CATV向けGaNパワーアンプモジュールの発売について
2. IR claims first commercial GaN-based integrated power stage devices
