3次元ICを積層するためには、ウェーハ裏�Cから電極を�Dり出し、もう�k�気離ΕА璽呂△襪い魯船奪廚肇魯鵐世覆匹農橙�する��要がある。ウェーハそのものはすでに薄く削っているため�Хeフィルムに�aり��けた�X��で作業しなければならない。信越ポリマーはウェーハをハンドリングするだけのプラスチックフレーム�E��をすでに開発済みだ。今�vは、薄いウェーハを張り��けたフィルムを二�_リングの�`脂フレーム(�^真��)と�Хe�E�此弊^真左）で�Г─△修里泙�260℃のリフロー炉に入れられるというもの。

ウェーハの薄化はこれからますます求められる。ウェーハプロセスでは�Dり扱いやすさから厚さ775μm��度のウェーハを使っているが、ダイシングの際にこのままの厚さでは時間がかかってしまうため裏�Cを100μm��度まで薄化している。チップを�_ねる3次元ICのMCPやSiPなどにはこれでもまだ厚いため、さらに50μm〜20μm��度まで削る��要がある。今はワイヤーボンディングでチップ同士あるいはチップと基��同士をつないでいるが、さらに高性�Αδ秕嫡J電��が��要な場合には今後は楉姪填�TSV（through silicon via）でつなぐようになるとさらに薄く削ることが要求される。TSV形成の時間を�]縮するためだ。

薄く削ったウェーハをハンドリングするため、厚さ100~200μmのシリコーンゴム�Uフィルムにウェーハを載せ、二�_の�`脂リングで周囲を�w定する。今�vは、この�`脂リングのついたフィルムを耐�X性の�X硬化性�`脂�Хe基��にのせ、そのままリフロー炉に入れることができる。この�Хe基��は�]時間なら300℃の�Xでも耐えられるとしている。しかも1000�v��度の使��も可�Δ世箸いΑ�

使い�気楼焚爾猟未蠅任△襦Ｇ�く削ったウェーハを載せたフィルムを耐�X�`脂�Хe�E�困忘椶察▲魯鵐世鮑椶擦襯ΕА璽��Cを�屬砲垢襦�ウェーハは、チップの後工��で使うエキスパンダに載せる要�襪妊侫�ルムに載せ、ローラーなどでウェーハとフィルムを密��させる。�l��フィルムはウェーハがたるまない��度の張��を�eたせてウェーハと密��させる。ウェーハ表�Cにフラックスあるいはハンダペーストを印刷などで形成する。その�屬�らハンダボールを搭載する。そのまま、リフロー炉に入れ半田バンプを形成する。

ハンダバンプを形成したウェーハをダイシングするために、フィルムからはがすのは易しいという。ハンダバンプのついたウェーハ表�Cを下にしてチャックテーブルに載せ、�屬�らフィルムをはがしていくだけ。あとはダイシングにより、チップを�Dり出す。この耐�X性の�l��フィルムの厚さのばらつきは±10μm、��来は±2~3μmに抑えていく。

今後、この�E�剤k式を半導��メーカーや後工��のアセンブリメーカー、����メーカーなどに提案していく。フィルムをはがす場合、今はまだ�}動式であるため、�O動ではがすための����を�k緒に開発する����メーカーを募集している。