エプソンが20μmピッチの]晶ドライバを実△靴COGの信頼性を発表
セイコーエプソンは、次世代]晶ディスプレイ`脂コアバンプCOG実\術を開発したと昨Q発表したが、このほどその信頼性試xT果や\術の詳細をらかにした。今vテストした、]晶ディスプレイドライバの半導チップの外陬蝓璽秒嫉劼20μmピッチと常に細かく、それをCOG(チップオングラス)に実△靴燭發痢ドライバ端子はディスプレイの画素ラインごとに設ける要があるため、フルハイビジョンなどの高@細テレビにはドライバピッチの微細化が要求される。
エプソンが`脂コアバンプと}ぶ、微細ピッチの]晶ドライバ端子\術は、細長い感光性`脂を形成し、その屬剖發稜膜を20μmピッチでパターニングしたもの(図1)。金の薄膜パターンの間は絶縁の`脂で構成しているため、微細化しやすい。
来の微細なパターン形成\術では金バンプと異菊嚇点ゴムあるいはプラスチックをいた。しかし金バンプだと金の厚さが20〜30μmと厚く、材料コストは高価であった。さらに異菊嚇点材料はプラスチックやゴムの中に金鐓子を混ぜ合わせたもので、この金鐓子同士が電極パッドに触れ電気的に接できるというものだった。しかし、配線ピッチが20~30μmと微細になると導電性の金鐓子がu接配線に触れてショートに至るe険性がある。`脂に混ぜる金鐓子の径を小さくすると電気B^が\加するという問もある。
エプソンが開発した`脂コアバンプ\術では、異菊嚇点`脂を使うのではなく、絶縁`脂膜を使うため、電気的なショートという問はない。今v発表した信頼性試xでは、来の金バンプと異菊嚇点`脂との組み合わせ\術を比較にいた。この実xでは40μmピッチで比較した。そのT果、来の金バンプ+異菊嚇点`脂との組み合わせでは、電気B^が4Ωから10Ωとjきくばらついたが(下の図2)、`脂コアバンプはほぼ4Ωでばらつきは少ない。
-40〜+80℃のa度サイクルを300v行うと、来擬阿世氾典B^は5Ω〜40Ωへと\加した。k、`脂バンプ接法では1000サイクル繰り返してもB^峺は最jでもわずか1.5Ω以下にとどまっている。
図1の^真で見られるように丸い`脂形Xの作り気砲弔い討盡正擇靴。このネガ型感光性`脂をパターニングした後、200℃でキュアすると`脂の表C張が働いてOに丸くなるとしている。金のパターニングには、金の薄膜をスパッタリングで\積した後、フォトレジスト形成、露光、エッチングにより加工する。
この\術をさらに微細化した場合の信頼性試xについても実xしている。金配線のパターンを4|類設け、それぞれ線幅/線間隔を5/15μm, 10/10μm, 10/20μm, 20/10μmとした。このうち、5/15μm のテストパターンは、1000vのa度サイクル試xで、1.5ΩのB^が\加したものの、残りのテストパターンではすべて1Ω以下しか\加しなかった。
`脂コアバンプの接Xは、図2のようにガラスXの金錺僖拭璽鵑砲笋粽Hれるような形で接している。接に使う絶縁`脂膜は、BGAパッケージのアンダーフィル`脂のような役割を果たしており、接がはがれるという問はなさそうだ。