チャンネル墓10nm笆布で鳥鉤がゼロになるバリスティックトランジスタは啼瑪
MOSトランジスタのソ〖ス-ドレイン粗の調違、すなわちチャンネル墓が10nm笆布になると、トランジスタの瓢侯廬刨はどうなるか。シリコン面の排灰がシリコン呈灰と咀仆せずにシリコン面を渴める士堆弄な調違、すなわち士堆極統(tǒng)乖鎳は、10nm鎳刨だと咐われている。となると、10nm笆布のチャンネル墓になると、排灰は咀仆せずにソ〖スからドレインへ瘤乖することになる。すなわち排灰の鳥鉤は悸劑ゼロになる。これがバリスティック∈悶蘋という罷蹋∷トランジスタである。では排灰は光廬に瘤るのか々
MOS腸燙での山燙歡宛や稍姐濕歡宛は痰渾するとしても荒前ながら、排灰は鳥鉤がゼロなのに瘤乖廬刨は懼がらない。ソ〖スから若び叫してドレインへ羹かう眷圭の介廬がほとんどゼロあるいは錢排灰∈ボルツマン尸邵に驕う排灰の尸邵∷覺輪でも、排灰はドレイン排腸によって裁廬される。しかし、排灰のスピ〖ドはさほど懼がらないうちにドレインへ毗茫してしまう。このためトランジスタの瓢侯廬刨も懼がらないというわけだ。この啼瑪を豺瘋しようとするテ〖マが柜踩プロジェクトMIRAIの≈糠菇隴端嘎CMOS∈Ultrascaled CMOS∷∽である。
チャンネル墓が士堆極統(tǒng)乖鎳よりももっと墓い驕丸のトランジスタは、ドレイン排腸によって排灰は裁廬され、錢慷瓢しているシリコン呈灰とぶつかりながらも裁廬刨を籠していく。その士堆弄な鳥鉤を山す?jié)裢踏瑪∑芭佴踏扦ⅳ搿Ｅ呕窑鲜慷雅束B鉤猛である敗瓢刨μを積ちながらもドレイン排腸によって裁廬され、排灰の廬刨は籠し澆尸なオン排萎が評られるためトランジスタの瓢侯廬刨も懼がる。しかし、チャンネル墓が沒くなると裁廬されないうちにドレインに毗茫するため、澆尸な排萎に茫せずトランジスタの瓢侯廬刨が懼がらなくなってしまう。
そこで、緩度禱窖另圭甫墊疥 ナノ排灰デバイス甫墊センタ〖のセンタ〖墓である垛懷梢騷會をリ〖ダ〖とするU-CMOSプロジェクトチ〖ムは、排灰をソ〖スからチャンネルに羹けて廟掐するときに介廬ゼロではなくバリヤ〖を侯って裁廬させながら、チャンネルに廟掐しドレインに毗茫する排灰の廬刨を懼げようとする菇隴のトランジスタを倡券しようとしている。謄篩はCMOSの額瓢排萎を15%籠動し、久銳排蝸を20%負らすことである。ただし、謄篩の久銳排蝸の你負にはゲ〖ト亨瘟をメタルに垂え、high-k冷憋遂を脫い、FINFETやトライゲ〖トなどの惟攣菇隴を何脫、ゲ〖トの瑯排ポテンシャルを動めるという數(shù)忽をとっている。
ソ〖ス婁に侯るバリヤ〖はショットキ〖儡圭を聯(lián)び、CMOSプロセスと高垂拉のあるNiシリサイドなどでバリヤ〖の光さを擴告しようとしている。しかし、海のところ獨嚨跟蔡によってバリヤ〖が布がるという附據が斧られ、トンネル跟蔡も彈きていることから、まだ呵努な肋紛は叫丸ていない。ソ〖スからチャンネルを奶ってドレイン奪くにやってくる排灰がドレイン眉のバリヤ〖によって翁灰蝸池弄な瓤紀を減けるのではないかという回紐もある。
坷竿絡池炮舶節(jié)兜鑒にソ〖スおよびドレイン儡圭燒奪における翁灰蝸池弄な瓤紀を雇胃したモンテカルロシミュレ〖ションを巴完している。呵努な肋紛は附哼渴乖面である。
