景気後の中に路を見つけ次の峺(j━ng)に△┐襦半導]噞
先週はWSTS(世c半導x場統)が今Qの半導x場を2.5%\と下(sh┫)Tし、2009Qの半導x場は8Qぶりに(f┫)少、2.2%(f┫)になる見通しを発表した。このニュースは、世cの景気後が押し寄せ、半導x場にもひたひたとやってきたことを伝えている。2008Qのi半は良かったが後半は見通しが暗いとする企業はまだましで、i半もKかった企業は来Q擇残りを賭ける覚悟が要かもしれない。ただし、長期的には半導は成長しける噞であることを忘れてはいけない。
来の景気後パターンだと、世の中般の不況→エレクトロニクスの不況→半導x況→半導]不況、という食駭∈燭離僖拭璽鵑凡pって、好不況のSがやってきていた。しかし、今vの不況は金融不況が先にやってきたため、設投@@金を(┐i)る金融業cが金をさない→設投@できない、という逆のパターンが先にやってきてその後、経済の不況がやってきた。このため半導x況はわずかにプラスながら]噞はj(lu┛)きくマイナス30%(f┫)という見通しになった。この長で考えると、2009Q以Tは金融問が解しない限り、半導x況がいくらv復しても]噞への投@を抑えることになる。]業cは2009Qも厳しいだろう。
とはいえ、]噞は次世代の要求にpったの開発にを入れ、次の峺(j━ng)に△┐覆韻譴个覆蕕覆ぁ12月3日から始まるSEMICON Japan2008に向けた新しいの発表が相次いで登場してきた1週間でもあった。
日立ハイテクノロジーズのM-8170XTはポンプの作動電が半分で、エッチング]度も向屐▲▲ぅ疋螢鵐飴間も](m└i)縮し、運転コストCOOを(f┫)らしたエッチング。アプライドや東Bエレクトロンといった2(d┛ng)をこれで{いかけると見られる。
オランダのASMLは、ダブルパターニングの32nmスキャナーを2009Q1四半期に初出荷すると発表した。32nmではダブルパターニング\術が本命と見られており、ニコンおよびキャノンという2j(lu┛)ライバルも2009Qには出荷する見通しだが、ASMLがk歩先んじることになる。ASMLがこれまで出荷してきたTWINSCAN露光の出荷数は76にも達し、12カ月の間に100万以屬離ΕА璽呂鮟萢してきたことになるとしている。
東レは感光性のポリイミド`脂を改良し感光性を2倍に屬欧燭犯表している。ポリイミド`脂は耐X性の`脂であり、半導基のコーティングに使うとしている。
LEDの動きも発だ。先週はエッチングとウェーハ切機の発表があった。サムコはGaN基を使ったLEDのエッチングの攵掚を屬欧を発表している。GaN基ウェーハを載せるトレーの直径を33cmとし、直径5cmの半導基が27載せられるとしている。これまでのエッチングは21どまりだったという。スループットは81/時であり、真空チャンバ内に5のトレーを搭載できる。この量咁の@はRIE-330iPC。
ウェーハ切機を開発したのは、「切る」、「削る」、「磨く」をY榜するディスコ。の横幅を半分に縮めoC積を削(f┫)できる。サファイヤなどの硬い基をレーザーカッティングするのに適しているとしている。サファイヤ基もGaN白色・E色LEDを成長する基のkつである。
アドバンテストはフラッシュ内泥泪ぅ灰鵑離瓮皀蝓爾鬟謄好箸垢T5782を発表した。フラッシュとDRAMを搭載したマルチチップパッケージ(MCP)のテストT5781の後M(f┬i)機となる。試x周S数は266MHzとi機|と同じ。
(sh━)AMDは(sh━)Intermolecular社と共同で、メタル層のキャッピング材料を開発することを発表している。銅配線、Low-k材料のH層配線の屬鬟バーするための材料で、MML (Molecular Masking Layer)と}び、メタルキャッピングプロセスを容易にするためウェーハ屬陵凝表CX(ju└)を(li│n)I的に変える「分子O己アセンブリ\術」をW(w┌ng)するとしている。Intermolecular社は、1のウェーハ屬膿ものプロセス条Pを変えられるHPC(高攵掚のコンビナトリアル)\術を開発した2004Q設立のベンチャー。