��来の景気後��パターンだと、世の中��般の不況→エレクトロニクスの不況→半導���x況→半導�����]����不況、という食�駭∈燭離僖拭璽鵑凡pって、好不況の�Sがやってきていた。しかし、今�vの不況は金融不況が先にやってきたため、設��投�@�@金を��(┐i)る金融業�cが金を��さない→設��投�@できない、という逆のパターンが先にやってきてその後、経済����の不況がやってきた。このため半導���x況はわずかにプラスながら���]�����噞は�j(lu┛)きくマイナス30%��(f┫)という見通しになった。この��長で考えると、2009�Q以�Tは金融問��が解��しない限り、半導���x況がいくら�v復しても���]�����噞への投�@を抑えることになる。���]����業�cは2009�Qも厳しいだろう。

とはいえ、���]�����噞は次世代の要求に�pった����の開発に��を入れ、次の�峺�(j━ng)に�△┐覆韻譴个覆蕕覆ぁ�12月3日から始まるSEMICON Japan2008に向けた新しい����の発表が相次いで登場してきた1週間でもあった。

日立ハイテクノロジーズのM-8170XTはポンプの作動電��が半分で、エッチング�]度も向�屐▲▲ぅ疋螢鵐飴�間も�](m└i)縮し、運転コストCOOを��(f┫)らしたエッチング����。アプライドや東�Bエレクトロンといった2��(d┛ng)をこれで�{いかけると見られる。

オランダのASMLは、ダブルパターニング��の32nmスキャナーを2009�Q��1四半期に初出荷すると発表した。32nmではダブルパターニング�\術が本命と見られており、ニコンおよびキャノンという2�j(lu┛)ライバルも2009�Qには出荷する見通しだが、ASMLが�k歩先んじることになる。ASMLがこれまで出荷してきたTWINSCAN露光����の出荷��数は76��にも達し、12カ月の間に100万��以�屬離ΕА璽呂鮟萢�してきたことになるとしている。

東レは感光性のポリイミド�`脂を改良し感光性を2倍に�屬欧燭犯�表している。ポリイミド�`脂は耐�X性の�`脂であり、半導��基��のコーティングに使うとしている。

LED��の動きも��発だ。先週はエッチング����とウェーハ切��機の発表があった。サムコはGaN基��を使ったLEDのエッチング����の�攵掚を�屬欧�����を発表している。GaN基��ウェーハを載せるトレーの直径を33cmとし、直径5cmの半導��基��が27��載せられるとしている。これまでのエッチング����は21��どまりだったという。スループットは81��/時であり、真空チャンバ内に5��のトレーを搭載できる。この量�咁の�����@はRIE-330iPC。

ウェーハ切��機を開発したのは、「切る」、「削る」、「磨く」を�Y榜するディスコ。����の横幅を半分に縮め�o�C積を削��(f┫)できる。サファイヤなどの硬い基��をレーザーカッティングするのに適しているとしている。サファイヤ基��もGaN白色・�E色LEDを成長する基��の�kつである。

アドバンテストはフラッシュ内�泥泪ぅ灰鵑離瓮皀蝓爾鬟謄好箸垢�����T5782を発表した。フラッシュとDRAMを搭載したマルチチップパッケージ（MCP）のテスト����T5781の後�M(f┬i)機となる。試�x周�S数は266MHzと�i機�|と同じ。

��(sh━)AMDは��(sh━)Intermolecular社と共同で、メタル層のキャッピング材料を開発することを発表している。銅配線、Low-k材料の�H層配線の�屬鬟�バーするための材料で、MML (Molecular Masking Layer)と�}び、メタルキャッピングプロセスを容易にするためウェーハ�屬陵凝���表�C�X(ju└)��を��(li│n)�I的に変える「分子�O己アセンブリ�\術」を�W(w┌ng)��するとしている。Intermolecular社は、1��のウェーハ�屬膿���ものプロセス条�Pを変えられるHPC(高�攵掚のコンビナトリアル)�\術を開発した2004�Q設立のベンチャー。