パワー半導が成長できる時代に来た
パワー半導x場が2020Qからの飛躍に向け300mm工場設立、SiCやGaN-on-Siへの投@などが発化している。ロームがEV(電気O動Z)向け半導を(d┛ng)化するためエンジニアを100@採、東はWなリチウムイオン電池SCiBが日、菱に採された。また(sh━)中易戦争はじわじわと景況K化へと進んでいる。
パワー半導x場がようやく立ち屬る気配を見せている。Infineon Technologiesがドレスデンの300mmウェーハ工場にき、オーストリアのフィラハにも300mm工場を設立すると表し(参考@料1)、STMicroelectronicsも今Q1月にイタリアのジェノバにパワー半導向け300mm工場の建設をスタートした。さらに4月にはON SemiconductorがGlobalFoundriesの300mm工場を4億3000万ドルでAった。パワー半導は300mm時代を迎える。
国内でもロームが次世代パワー半導の開発を加]するため、今期中に100@採する、と5月10日の日本経済新聞が報じた。中期画で、Z載半導の売嵌耄┐鮓俊Xの3割(d┛ng)から5割に屬欧襪箸いΑ新横pにあるZ載関連のテクノロジーセンターを中心に、現在いる約100@のZ載半導エンジニアの数を倍\させる。その後もt戦を集め、21Q3月期以Tも500〜100@のエンジニアを中採する画だとしている。
東はWなリチウムイオン電池であるSCiBがマイルドハイブリッドZに採された、と5月7日に発表した。クルマのティア1サプライヤであるカルソニックカンセイのv效濺澱咼轡好謄爐謀觝椶気譟△修譴日O動Zの「デイズ」、「デイズHighway STAR」と、菱O動Z工業の「eKクロス」「eKワゴン」のv撻屮譟璽に採された。SCiBは出電圧が3.1V度と低いが、発しにくい負極電極材料をいたことで、よりWなリチウムイオン電池となっている。東もクルマx場に積極的にこの電池を投入するため、現在の]拠点である柏崎工場に加え、横p業所内にも]工場を新設する画だ。
(sh━)中易戦争の影xは、半導ビジネスにも及ぼし始めている。中国でzDRAMを攵する予定だったJHICC(福建省晋華集成電路)では、東Bドーム8個分の敷地に建設した新しい巨j(lu┛)な工場が、もはやもぬけの殻になっていると13日の日経が報じた。JHICCはUMCからDRAM]\術を導入したものの、MicronがDRAM\術の機密情報を中国に流したとしてUMCを訴えたため、UMCからの協がもはやu(p┴ng)られなくなった。UMCはJHICCに瓦靴董{(di┐o)`をくようになった。日経によると、2018Q(c│i)の量△1000@いた業^のj(lu┛)半が解雇された、と報じた。
(sh━)中易戦争は、ZTEへの(sh━)国半導チップの輸出禁Vを行い、さらに華為科\に瓦靴討CFOをj捕するなど、厳しい度を(j┤)してきた。これらの通信機_(d│)メーカーだけではなく、通信オペレータである中華‘亜China Mobile)への(sh━)国への参入禁Vを(sh━)連邦委^会で議した。
に2019Q1〜3月期の欧(sh━)企業は2Q半ぶりの(f┫)益となり、中国の景気(f┫)の影xがQ国企業に広がったT果だと、6日の日経は伝えている。この時点では(sh━)中易戦争の影xはまだ出ていないが、(sh━)国企業へはこれから影xが出てくるだろう。例えばIntelは、当初2019Qの予[を1%(f┫)としていたが、1〜3月期のQ発表では、2.5%(f┫)の690億ドルとその見込みYを変えた。ただし、2019Qの景気後はk時的なもので、今後成長分野としてデータセンターに向けてRし、AI(人工(m┬ng)Α法5G(5世代の携帯通信)、Oシステム(Autonomous System)をR分野とする。てデータセンターを絡む覦茲如∪長を図る。
参考@料
1. Infineon、(d┛ng)いパワー半導で積極投@、2019Qもプラス成長期待 (2019/03/27)