中���T二��は�盜餽饑劼眛D�uしているため、日本人なのか、という疑問や、日本人ではなく�盜饋佑世箸い�主張なども、ソーシャルメディアを�~け巡った。中����は、�E色LEDを発��した時に在籍していた日亜化学工業からいただいた、エンジニアとしての発��の報酬が少なすぎるということで会社を訴えたことで、マスコミに�瑤蕕譴討い拭�この3人の中でも最も�~�@なLED研�|�vだ。

�刑衢���は、�@古屋�j学教�b時代の1989�Qにpn接合GaN�T晶による�E色LEDを光らせた。当時の�E色LEDは、II-VI��化合�馮焼���のZeSe�Uか、III-V��のGaN半導��か、ほぼ2派に分かれて開発が進んでいた。原理的に4価のSiやSiCは共�~�T合を��し、イオン�T合の成分はないが、III-VやII-VII��半導��ではイオン�T合が伴う。それもIII-V��よりもII-VI��の�気�イオン性は�咾ぁ�すなわちII��・VI��元素のイオンが入りやすい。これは、所望のドナーやアクセプタ以外の不要な不純�颪�入りやすいことに他ならない。つまり、II-VI��はIII-V��よりもイオン性コンタミに弱い。きれいな�T晶は、III-V��のGaNで先に�uられた。この後、II-VI��半導��の研�|は���]にしぼんでいく。

これまでのノーベル�駘�学賞�p賞テーマで実��的と思われた、エサキダイオードやバイポーラトランジスタは、やがてすたれて行った。江崎玲�P奈��の発��によるエサキダイオードは、pn接合の不純�馭仕戮��屬押▲肇鵐優觚�果を�莟Rできるほど、薄い空��層を作ることで負性�B�^�覦茲鮴澆院�発振デバイスとして実��化された。しかし、所詮は2端子素子。使いやすい3端子のトランジスタにとって代られた。バイポーラトランジスタでさえも、半導��の初期の時代には�jいに��躍したが、やがてCMOSデバイスに��き換えられた。消�J電��が�jきいという点で集積度向�屬砲聾�かなかったからだ。

では、�E色LEDの実��化の未来はどうか。�E色そのものにインパクトがある�lではない。黄色の蛍光塗料の光と混合させて白色光を出すため、この白色光が照��として使えることに最�jのメリットがある。約0.3mm角の�E色LEDチップ�屬鵬�色の蛍光塗料を塗った白色LEDが出す光は、��来のフィラメントによる白�Xランプや放電による蛍光�iよりも消�J電��が低い。現在まではこのメリットが�jきく、24時間点�iするコンビニなどではLEDランプの単価が高くても電��コストが�Wいため2�Q��度で元を�Dれた。さらにデバイスを�Wく作る�@人の��湾企業が、日亜化学や�l田合成のチップを�P入してパッケージしたLEDランプは、�W価で普及を加�]した。

これまでのLEDランプは、��来の白�X�iや蛍光�iを��き換えただけの低消�J電��応��しかない。LED照��の時代はむしろこれからだ。今後のLEDランプは、照度センサや人感センサなどのセンサと、調光�v路、LEDドライバ�v路、マイコンなどを組み合わせて「スマート照��（Smart Lighting）」に�j量に使われることになる。そのインパクトについて、セミコンポータルのブログで伝えた(参考�@料1)。もはや�~機EL照��は、主流になりえない可��性も高い。低コスト化のメドがいまだに立っていないためだ。

参考�@料
1. �E色LED発���vたち、ノーベル賞�p賞おめでとう (2014/10/08)