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メモリーメーカーの積極投@が再び発に、ただしカルテル問も後を引く

メモリーメーカーの積極的な投@がいている。f国のサムスン電子は、2010Qの設投@Yをこれまで最jの18兆ウォン(1兆4500 億)にする画だ、と5月18日けの日経噞新聞は伝えている。サムスンは半導メモリー、]晶、携帯電Bがjきな業の柱であるが、メモリーがその半分の7750億という。東+エルピーダの投@Yはそこまでいかない。

微細化をけん引するデバイスがメモリーとロジックであるが、ロジックはj量攵しないものが圧倒的にHいためファウンドリが微細化を担う。すでに2010Q2月24日けの「2010Qの設投@Yトップ10社のうち9社がファウンドリとメモリーメーカー」で伝えているように、巨Yの設投@を要とするメーカーはメモリーメーカーとファウンドリという2j半導分野に絞られてきた。こういったトレンドにpって、先週のニュースはサムスンの投@がBに屬辰討た。

ただし、サムスンはフラッシュメモリーとDRAMの二つのに投@するため、サムスンの投@Yと、東(フラッシュ)+エルピーダ(DRAM)の合Yがリファレンスになる。5月18日けの日経新聞は、東が3Q間で4000〜5000億を半導に投@する予定で、エルピーダは1150億投@するとしている。合しても2010Q度はせいぜい2500億度にしかならない。サムスンの1/3度である。これでは、メモリー業で再び差を広げられるだろう。

DRAMに関しては、10QほどiにDRAMの価格カルテルをTんでいたとして、欧ο合(EU)が総Y3億3100万ユーロ(370億)のU裁金を命じたことが報じられた。日本の5社を含む世cのDRAMメーカー10社が価格カルテルをTんでいたということだが、このうちマイクロンだけは情報提供で協したとしてU裁金を免れた残り9社にはドイツのインフィニオン、f国のサムスン、ハイニックス、湾の南亜科\も含まれている。

このうち、エルピーダと日立、NECとは3社まとめて849万ユーロ(9.5億)の払いが求められているが、これには課徴金を払う旨をエルピーダがプレスリリースで表している。ところが、今度は盜颪任DRAMカルテル行為(1999Q4月から2002Q6月まで)への和解金に関して3社でもめている。1999Q12月に設立されたエルピーダは、この和解金を要以屬払ったとして、日立とNECを訴え賠償を求める訴eを東B地裁にこしている、と21日の日経新聞は報じた。NECと日立は裁判で争う疑砲世氾舛┐討い。

るいニュースとして、パワー半導のx場模が2015Qに1兆3964億になるという予[が富士経済から発表されたと5月20日け日経噞新聞は伝えている。翌日には富士通セミコンダクターがGaNはパワー半導のサンプルをまでに出荷し、菱電機はSiCパワー半導を2010Q度中にサンプル出荷するというニュースも伝えられた。東もSiC MOSFETを開発中だとしている。またパワー半導の専門メーカーであるサンケン電気は電気O動Z・ハイブリッドZ向けの開発・販売の専門頏を啣修垢襪24日の日経新聞は報じている。ただし、Z載SiCパワーMOSFETを開発しているメーカーにD材すると、商化にはまだ2〜3Qかかると見ている。SiCと┣祝豐屬MOScCのL陥がトランジスタにK影xを及ぼさないかどうかといった信頼性試xや、L陥低\術の開発、L陥h価など、商化へ向けた作業は兩僂靴討い。

パワー半導はマスメディアがrんにeち屬欧討い襪、冷になってパワー半導の成長率を分析してみる要があろう。富士経済の2010Qにおけるパワー半導x場は1兆958億、2009QはiQ比24%の1兆311億だった。すなわち2008Qは1兆3567億もあった。2015Qの1兆3900億は2008Q模に戻るという度の模にすぎない。

さらにv復基調にある2010Qの1兆958億から2015Qの1兆3964億は、Q率平均に換Qすると、6.25%になる。これは半導デバイスの平均的な成長率にすぎない。パワー半導を見るのではなく、その中の個別に関して、例えばSiCやGaNがPびそうであり、逆にいえばそれ以外のパワー半導のPびはそれほどでもないことになる。ただし、SiCで唯kになっているショットキーバリヤダイオードのPびの予Rだけはらかになっており、2010Qの23億が2010Qに110億の4.78倍になると予[している。これはQ率平均成長率に換Qすると36.8%になる。SiCのx場模はまだ小さいものの、SiCは成長が期待できるといえる。

(2010/05/24)
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