微細化をけん引するデバイスがメモリーとロジックであるが、ロジックは�j量�攵�しないものが圧倒的に�Hいためファウンドリが微細化を担う。すでに2010�Q2月24日��けの「2010�Qの設��投�@�Yトップ10社のうち9社がファウンドリとメモリーメーカー」で伝えているように、巨�Yの設��投�@を��要とするメーカーはメモリーメーカーとファウンドリという2�j半導��分野に絞られてきた。こういったトレンドに�pって、先週のニュースはサムスンの投�@が�B��に�屬辰討�た。

ただし、サムスンはフラッシュメモリーとDRAMの二つの����に投�@するため、サムスンの投�@�Yと、東��（フラッシュ）+エルピーダ（DRAM）の合���Yがリファレンスになる。5月18日��けの日経新聞は、東��が3�Q間で4000〜5000億��を半導��に投�@する予定で、エルピーダは1150億��投�@するとしている。合��しても2010�Q度はせいぜい2500億����度にしかならない。サムスンの1/3��度である。これでは、メモリー��業で再び差を広げられるだろう。

DRAMに関しては、10�Qほど�iにDRAMの価格カルテルを�Tんでいたとして、欧�ο�合（EU）が総�Y3億3100万ユーロ（370億��）の�U裁金を命じたことが報じられた。日本の5社を含む世�cのDRAMメーカー10社が価格カルテルを�Tんでいたということだが、このうちマイクロンだけは情報提供で協��したとして�U裁金を免れた��残り9社にはドイツのインフィニオン、�f国のサムスン、ハイニックス、��湾の南亜科�\も含まれている。

このうち、エルピーダと日立、NECとは3社まとめて849万ユーロ（9.5億��）の��払いが求められているが、これには課徴金を��払う旨をエルピーダがプレスリリースで表��している。ところが、今度は�盜颪任�DRAMカルテル行為（1999�Q4月から2002�Q6月まで）への和解金に関して3社でもめている。1999�Q12月に設立されたエルピーダは、この和解金を��要以�屬���払ったとして、日立とNECを訴え賠償を求める訴�eを東�B地裁に��こしている、と21日の日経新聞は報じた。NECと日立は裁判で争う�疑砲世氾舛┐討い�。

��るいニュースとして、パワー半導��の�x場��模が2015�Qに1兆3964億��になるという予�[が富士経済から発表されたと5月20日��け日経�噞新聞は伝えている。翌日には富士通セミコンダクターがGaNはパワー半導��のサンプルを��までに出荷し、��菱電機はSiCパワー半導��を2010�Q度中にサンプル出荷するというニュースも伝えられた。東��もSiC MOSFETを開発中だとしている。またパワー半導��の専門メーカーであるサンケン電気は電気�O動�Z・ハイブリッド�Z向けの開発・販売の専門�頏�を�啣修垢襪�24日の日経新聞は報じている。ただし、�Z載��SiCパワーMOSFETを開発しているメーカーに�D材すると、商��化にはまだ2〜3�Qかかると見ている。SiCと�┣祝豐屬�MOS�c�Cの�L陥がトランジスタに�K影�xを及ぼさないかどうかといった信頼性試�xや、�L陥低���\術の開発、�L陥�h価など、商��化へ向けた作業は�兩僂靴討い�。

パワー半導��はマスメディアが�rんに�eち�屬欧討い襪�、冷��になってパワー半導��の成長率を分析してみる��要があろう。富士経済の2010�Qにおけるパワー半導���x場は1兆958億��、2009�Qは�i�Q比24%��の1兆311億��だった。すなわち2008�Qは1兆3567億��もあった。2015�Qの1兆3900億��は2008�Q��模に戻るという��度の��模にすぎない。

さらに�v復基調にある2010�Qの1兆958億��から2015�Qの1兆3964億��は、�Q率平均に換�Qすると、6.25%になる。これは半導��デバイスの平均的な成長率にすぎない。パワー半導������を見るのではなく、その中の個別に関して、例えばSiCやGaNが�Pびそうであり、逆にいえばそれ以外のパワー半導��の�Pびはそれほどでもないことになる。ただし、SiCで唯�k����になっているショットキーバリヤダイオードの�Pびの予�Rだけは��らかになっており、2010�Qの23億��が2010�Qに110億��の4.78倍になると予�[している。これは�Q率平均成長率に換�Qすると36.8%になる。SiCの�x場��模はまだ小さいものの、SiCは成長が期待できる����といえる。