中国のメモリーカード�x場は、2005 �Qに1,351.8 万個と�i�Q比132.5%成長し、金�Yベースでも123％�Pびた。256M がメモリーカード�x場の主流となり、2005 �Q時点で256M の�x場シェアは37.1%、128M は24.3%であった。�L外ブランドのメモリーカードが中国のメモリーカード�x場の80%を��めている。トップシェアのSanDiskは34.7%の�x場シェアを�耀uしている。2009 �Qには、中国のメモリーカード�x場��模が10,085.98 万個、171.86 億元（2,406.04 億��）に達すると見込まれている。

　フラッシュメモリーデバイス�x場には�K性的な��争が�T在中国のフラッシュメモリーデバイス�x場は�邵濺�に膨�j(lu┛)な��要が見込まれているため、中国勢及び�L外勢ともに、この分野に積極的に参入している。�k��(sh┫)、�eち運びに便�W(w┌ng)なフラッシュメモリーデバイスは、国家�Y��仕様を策定中のため、その仕様を巡って�x場が混乱し、��しい��争の局�Cに陥っている。フラッシュメモリーカードは組み立てが�~単な為、�x場参入�vが�Hい。このため、�雕爐離譽戰襦����]プロセス、����保証など様々な�Cで����にばらつきが�`立っている。�k�陲龍版vは、����を落として低価格の原材料でコストダウンを図り、�Wい価格で�x場に供給しているため、����のメモリーカードが低価格��争に巻き込まれて�K性的な��争を��こしている。実際、消�J�vはこれらの����の�Kい価格の�Wい業�vに騙されて、メモリーカードを�P(gu─n)入し、そこに保管していた�Q�_なデータが失われて、�j(lu┛)きな��害を被るという問��が��きている。
　このような背景により、中国当局はフラッシュメモリーデバイスの国家�Y��を策定し、実施する��画を進めている。

中国初のフラッシュメモリーデバイスの国家�Y��を発表

　中国のフラッシュメモリーデバイス国家�Y��ワーキンググループは、2004 �Qに発�Bし、普�W、�滸[、��(sh┫)��、華旗、TCL、朗科、常�Σ酸�電子、�j(lu┛)��創新と信息�噞�陲裡瓦弔慮��|所がメンバーとなっている。�滸[は、このワーキンググループのリーダーである。
　2006 �Q9 月20 日に、国家�Y��の「信息�\術�‘哀侫薀奪轡絅瓮皀蝓璽妊丱ぅ拘靄���?w┫)J」が審�h会に提出された。この審�h会の開��は、中国フラッシュメモリーデバイス国家�Y��ワーキンググループが2004 �Qに設立して以来、ワーキンググループの2 �Q間の努��を経て、ようやく初めてフラッシュメモリーの国家�Y��が誕�擇垢襪箸いαT味を�eち、�Q内に国家�Y��が発表される。

セミコンダクタポータルのコンテンツパートナー、アレグロ　インフォメーション・インク(以下アレグロ)による、中国のエレクトロニクス・半導��・�]晶分野のマーケット情報です。アレグロは、同社独�Oの調�h及び、中国国家統��局、CCID、中国電子報、経済参考報、国際金融報などから�uたフレッシュな情報をベースに、��に中国のIT、エレクトロニクス、半導��・�]晶関連の情報収集・提供、分析、調�hを行っています。今�v、提供したのは、同社の月刊レポート「中国レポート：Electronics and Semiconductor China」の2006�Q12月��(gu┤)からの�k���s粋です。