MOSLSIとバイポーラLSIを合��したIC����の半導��ウェーハ�攵��ξ�は、�i四半期比5%�\の198万7300��/週となった。四半期ベースでここ最�Zの�攵��ξ�は、��実に成長し��けている。2006�Q��1四半期が4.2%�\、��2四半期は2.4%�\、��3四半期が3.6%�\、��4四半期は4.2%�\、2007�Q��1四半期は0.4%�\であった。この��2四半期を���i�Q同期比で見ると、13.9%�\と高い�\加率を��している。

　これらの�攵��ξ�に�瓦靴董⊆尊櫃離ΕА璽賄蠧���数が��1四半期の87.7%から2.3ポイント�屬欧�90%になった。実は、MOSウェーハは2005�Q��3四半期から4期連��90%を��えていた。2006�Qの��3四半期から2007�Q��1四半期まで90%を割り込んでいた。��2四半期で90%に戻したということは、半導��の景気が戻ってきているとみなしてもよいだろう。ここでは、投入するウェーハは8インチ換�Qである。

　�嵜泙蓮�MOSウェーハの実投入��数を��したものである。この図では、最小�∨（未縫ΕА璽禄�数を��しているが、半導��デバイスの微細化が進んできたとはいえ、微細ではないデバイスがなくなるわけではない。むしろ、微細化デバイスが���]な勢いで登場してくるのに�瓦靴董⊂�実に�O分の居場所を見つけて�T在感を��している。��してすたれはしない。

　 実は同様なことが、ウェーハサイズからも見ることができる。MOSLSIのベースとなるウェーハは300mm化へとシフトしているかのような気になっているが、実は200mm（8インチ）ウェーハや6インチ以下のウェーハも��実に�擇�残っている。300mmではないウェーハはずっと横バイで推�，靴討い襦�これに300mmウェーハがアドオンされている。だから、半導���噞はいつまでも成長を��ける。