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j}顧客からR文を]ち切られても、新で成長をPばすSilego社

j}の顧客からR文を]ち切られたらどうするか?Intel向けのチップを開発してきた小さなベンチャー、Silego社は、4QiクロックタイミングチップのR文停Vを告げられた。にもかかわらず、しぶとくしかも成長に変えてきた。CEOのIlbok Leeは、O分の@iはIlb OKと読めばOKなのだから、新たな\術を開発すればいい、と常にi向きだ。

図1 Silego社CEOのIlbok Lee

図1 Silego社CEOのIlbok Lee


2001Q創業のファブレスであるSilego(シレゴと読む)は、クロックタイミングICを設、Intelに納めることで成長してきたが、2007QころからクロックICビジネスは頭]ちになってきた。IntelはIvy Bridgeなどのプロセッサやその周辺を含めたチップセットの中にクロックICを集積してしまったのである。クロックICを内鼎靴燭燭瓩Silegoのチップは不要になった。

現実に2007Qから2010Qくらいまでは、Intelも来の攵をけなければならないため、業はキープできた(図2)。しかし成長はしない。そしてそのあとは攵桵Vに{い込まれ、クロックICは極めて少なくなった。このため、新たなビジネスを立ち屬欧覆韻譴个覆った。


図2 プログラマブルアナログを成長させたSilego社 出Z:Silego Technology

図2 プログラマブルアナログを成長させたSilego社 出Z:Silego Technology


そこで、`をけたのは、プログラマブルアナログICである。クロックタイミングICのはデジタルv路だが、その設\術はアナログである。これまでの\術@を擇そうとしたわけだ。同社は、新しい\術をCMIC(Configurable Mixed Signal IC)と}んだが、果たしてx場はあるか。

狙ったx場は、来ならディスクリートでv路を組まなければならなかったI/O周りやちょっとした周辺v路のp動とディスクリートトランジスタ、Yロジックなどの1チップ化である。こういったv路はプリント基から見れば小さいとはいえ、数cm角はある。このv路を1〜2mm角の1チップに集積するのである数cm角が1〜2mm角くらいに小さくなる。

この発[は当たった。スマートフォンに売れた。スマホの最jの問はバッテリ命をばすことである。アプリケーションプロセッサには機Δ鮖\やしてため、消J電はどうしても\えてしまう。スマホの設vは少しでもバッテリをjきくしたいが、場所がない。このためプリント基を「コのC」にするなど、わずかなC積だけで済ませるように基設にRしてきた。ここにSilegoのチップを使えば基C積が数cm角分はる。この分、バッテリをjきくして命をばせる。

案の定、図2にある通り、2010Qまでは来のクロックICビジネスがMしていたが、2009QからCMICビジネスを立ち屬、]にPびていった。これに瓦靴汝来のクロックICは2010Q以T]に小さくなった。2013QはCMICが9割以屬鰒めるようになり、会社は成長を~げている。

では、このCMICとは何か。基本的には、2010Q5月に紹介した通りだが(参考@料1)、当時と異なる点は、開発ソフトを充実させ、CMICの位づけを確にしたこと。さらにはロードスイッチ新も出したことだ。今vは、来からあるGPAK Designerソフトウエアツールに、DRC(デザインルールチェッカー)を加えた。同社のFPGAはOTP(One time programmable ROM)ベースであり、最終的にはプログラムする。v路の接条PやフリップフロップやコンパレータなどYロジックはソフトウエアライブラリに入っており、スケマティック入できるが、今vのDRCの導入によって、Wいた設図を分析、エラーにはフラッグを立て、警告を発する。このソフトの導入によって設の攵掚が屬り、GPAK ICを使って~単なv路を設する場合、慣れると20分以内でエラーなく完成できるとしている。


図3 CMICの位づけ 出Z:Silego Technology

図3 CMICの位づけ 出Z:Silego Technology


CMICの位づけは、AlteraやXilinxのFPGAと違ってずっとv路模が小さいこと(図3)。ルックアップテーブル数なら20 LUT度だという。これに瓦靴董SiBlue(LatticeにA収された)はデジタルが中心で価格も高い。またアンプやコンパレータのようなアナログ機Δ任、同様にプログラム可ΔCypress社のpSoCと違い、マイクロコントローラを使わない。コテコテのハードワイヤードv路だが、アナログ霾を~単に設できるツールを△┐討い訶世ユニークと言えよう。


図4 厚さ0.27mmのロードスイッチ 出Z:Silego Technology

図4 厚さ0.27mmのロードスイッチ 出Z:Silego Technology


このほど新として、パワーFETをいくつか集積した負荷スイッチSLG59M1446Vもリリースした。これは、わずか1.0mm×1.6mmのパッケージに収容しながら連1Aの電流を高]にスイッチできるIC。さらに最j6Aと2Aの電流を切りえられるnチャンネルパワーMOSFETWの負荷スイッチSLG59M1470Vと、最j2.5Aの電流を切りえられ、しかも厚さが0.27mmとp動と同じ厚さのパッケージLo-Z ETDFNも発表した(図4)。最後のLo-Zパッケージは高さがWLCSPの半分になるため、ウエアラブルエレクトロニクスへの応も野に入れている。

参考@料
1. 新しいx場開が可Δ砲覆辰FPGA業c、チャンスと脅威がT(2) (2010/05/19)

(2013/10/17)
ごT見・ご感[
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