東��、GaN-on-Siの白色LEDを10月から200mmラインで量�凮始
東��が、関連会社の加賀東��エレクトロニクスにおいて10月から白色LEDの量��を始める、と発表した(参考�@料1)。東��はこの1月から、GaN-on-Siウェーハを使った白色LEDの�櫂戰鵐船磧�Bridgelux社（参考�@料2）と共同開発を進めてきた。
図1 Bridgeluxが�攵�しているLED����群 出�Z：Bridgelux
共同開発開始後、この5月には、8インチ(200mm)Siウェーハを使った白色LEDで光出��614mWと極めて高い性�Δ鰓uたと発表している（参考�@料3)。この時の�R定条�Pは順電圧3.1V、順電流350mAであった。チップサイズは1.1mmと�jきい。
��常に�]い開発期間での成果であり、東��はBridgelux社に株式投�@を行うことも��めた。BridgeluxのCEOであるBill Watkins��は「東��の株式投�@によって両社はもっと深い戦�S的なパートナー関係を築くことができ、共通の�`�YであるLED照��の低価格化を�膿覆垢襪世蹐Α廚�5月のプレスリリース（参考�@料3)で述べている。
LEDを照��や�O動�Zのヘッドランプなど、光の出��を�\加させたいという����に使う場合には、パワートランジスタと同様、LEDチップ�C積の拡�jは��須である。しかし、チップ�C積を�\やすと1��のウェーハから採れるチップ数が��るため、ウェーハの口径を拡�jしそれをカバーする。このようにして�j�C積のLEDチップを�j量に�攵�でき、コストを下げることができる。
�T晶価格の高いGaNで200mmウェーハという�j�C積を�uることは�\術的には�Mしくコストがかかってしまう。このため基��コストが�Wいシリコンを使い、格子定数の異なるGaNをエピタキシャル成長させるためにSi�屬縫丱奪侫〜悗魴狙�し、クラックが入らないようにする��(sh┫)法を使った。GaN-on-SiのLEDはこれまでのLEDよりも低価格にできる可��性が期待されている。Bridgelux社は、低価格LEDによって現在400億ドルの照���噞を1000億ドル�x場に拡�jしていくことを�`�Yに掲げている。
今�v、東��の動きは極めて早い。2012�Q1月に共同開発をはじめ、5月に試作��の成果を出し、7月に量�妌場を発表した。10月には量�凮始する。今後に期待したい。
参考�@料：
1. 白色LED素子の量�凮始について (2012/07/25)
2. 8インチSiウェーハ�屬坊狙�した白色LEDが160 lm/Wの��度を達成 (2011/08/15)
3. Bridgelux and Toshiba Achieve World Class Performance for 8" GaN-on-Si LEDs (2012/05/10)
