図1　Bridgelux社の研�|開発現場　出�Z：Bridgelux

このLEDは、��来構�]と同様、�E色LEDの�屬鵬�色い蛍光��を被せたもの。蛍光��を2�|類使い、色�a度2940Kウォームホワイトの白色LEDも作��し、その��度は125 lm/Wだった。色の3原色RGBからR（�掘�G(�u）を混ぜると黄色になることから、白色LEDは通常、�E色LEDの�屬鵬�色の蛍光膜を被せることで作��する。

高価なサファイヤやSiCの基��で作��していた、��来の�E色LEDとは違い、Siウェーハは�j口径化が容易であり、しかも同じ�C積の単価も�Wい。このためSiウェーハ�屬�GaNを形成するとコストは75%、すなわち1/4に�Wくできるはずだとしている。

もちろん、SiとGaNとは�T晶の格子定数が�jきく違うため、バッファ層を何層にもわたって形成する��要がある。しかもGaNの�X膨張係数はSiよりもかなり�jきい。このため高�aでのエピタキシャル成長ではクラックが入ったり割れたりしやすく、きれいな�T晶性のGaN膜を形成することが�Mしい。Bridgelux社はクラックが入らないように独�Oのプロセスを開発しこのバッファ層を形成した。室�aではまっ平らなウェーハになっているという。

1.5mmの�E色LEDチップをパッケージに封�Vし、350mAのバイアス電流で光出��591mW、総合効率59%を�uた。350mAでの順�妓�電圧は低く2.85Vしかない。通常、3V以�屬呂△襦ｎ~動電流を1Aに�屬欧襪函⊇��妓�電圧は3.21Vとなり1.52Wという高い出��の光を発�oしている。この場合の総合効率は47%になった。�S長の均�k性は8インチウェーハ���Cで6.8nm（�Y��偏差）であり、�S長の中央値は455nm。

「この画期的な�\術によって、LED�噞のプレイヤーや構�]が変わり、設��投�@の�jきな削��につながるだろう。このため、この�桔，鮑涼�する企業は�\えていく」と同社CEOのBill Watkins��は述べる。Bridgelux社は世�c中に500以�屬�����を�eち、GaN-on-Siウェーハのサプライヤであると同時に�E色LEDメーカーでもある。同社はSi�屬�GaNエピタキシャル�\術と�E色LEDに�R��してきた専門メーカーだけに照����の高��度LEDの低価格化を推進できる立場にあるとWatkins��は言う。研�|開発に集中する同社はアセットライト戦�Sを採り、�J�Tの半導��メーカーとのライセンスパートナーシップを通じて、低価格LED照��を推進していく。

参考�@料
1. Bridgelux Announces New Breakthrough in GaN-on-Silicon Technology for Solid-State Lighting