PV Japan 2009

アモーファスSi薄膜�U�陵枦澱咾�1m×1mを��えるような実際に�Zい�j(lu┛)きさのパネルで、変換効率がまだ5〜9%と10%�Bらずであるが、他の薄膜�Uと比べればパネルサイズの�j(lu┛)きさで10%を��す薄膜�陵枦澱咾呂泙昔名庀績がない。実�x室レベルや小�C積での変換効率を争う時代ではもはやない。�攵�できるレベルでの効率を保証できるかどうかが実際に使う�屬把_要な��め�}となる。今の薄膜�Uでは光を照�o(j━)すると効率が初期的に少し劣化し、しばらくして落ち��くという��性を��(j┤)す。このため薄膜�Uでは実際の変換効率は�T晶�Uにはとても及ばない。

Si�T晶�Uでは実�x室レベルで��洋電機が23%を記�{した。�H�T晶Siでは��菱電機が18.9%というトップデータを発表した。しかし、今�vのPV Japanで圧巻だったのは�Bセラだ。同社は2006�Qに変換効率18.5%と�T晶並みの値を発表していたが、今�Qの秋にパネルの量��を開始すると発表した。�攵�が立ち�屬�ると�Q間650MWの�攵��ξ�を�eつことになる。

�Bセラは、シリコンの原料を外�韋P(gu─n)入してからは、�O社内で四角いダイキャストを使って�H�T晶シリコンを引き�屬欧襦�その�H�T晶インゴットを厚さ180μmでスライスしていく。厚さ180μmの�H�T晶シリコンウェーハからpn接合を作り�陵枦澱咾箸垢襦Ｉ��Cのメタルをすべて裏�Cから�Dり出す構�]に変え、18.5%という変換効率を2006�Qに達成した。この�\術を量��にするわけだ。�陵枦澱咾隆靄椒札襪枠��擇垢訶徹気�0.3〜0.4Vしかないため、セルを順次直�`接��し、出��電圧を17〜18Vにまで�屬欧襦�

�陵枦澱咾牢靄榲�にはフォトダイオードであり、それを直�`に接��したものであるから、�kつのセルでも��く光が当たらなければ電流が�擇犬覆ぁ�実際には�vり込みの光が入り込むため少しは電流が流れるものの、少なくなるため、�陵枦澱嚀���の電流も少なくなってしまう。このため、直�`と同時に並�`にも接��し電流も�nぐ。しかし並�`接��の問��はバラつきだ、�W定化�B�^を入れるなり、定電流コントローラを入れるなりして、流す電流を�v路的に均�kに�Dえる。もちろんこのために変換効率はさらに下がる。

セル間のバラつきが少しでも少ない材料が����の効率低下を抑えることができる。�T晶�Uのシリコン�陵枦澱咾�いまだに使えるのはこのためだ。薄膜�Uだと�T晶�Uよりもバラつきが�j(lu┛)きい。しかも完成直後に光を照�o(j━)すると、効率は少し落ちて�W定になる。この初期劣化は薄膜�Uでは今のところ�cけられない。

�陵枦澱咼僖優襪�らの直流出��を出来るだけきれいな（��弦�Sに�Zい）交流に変換して家庭などに電��を供給しなければならない。高調�Sを発�擇気擦覆い茲Δ砲靴覆韻譴个覆蕕覆い�らだ。��菱電機は交流240V、100Vを出��するパワーコンディショナーの効率を97.5%と高め、小さな��積のパワーコンディショナーを開発した。出��電��0.9〜4.0kWに渡りこの効率をえた。��弦�Sに�Zづけるため、振幅�k定のPWM（パルス幅変調）ではなく、入��電��を100V、240Vと直�`に接��、3段階の振幅に�pってPWM変調させることで、なめらかな��弦�Sを�u(p┴ng)るようになり、高調�Sが少なく効率が�屬�った。PWMのスイッチングデバイスにはIGBTではなくもっと小さな電圧でも動作できるMOSFETを��いたという。

パワーコンディショナーとパワーモジュール

トヨタのハイブリッドカー、プリウスに�陵枦澱咼僖優襪鬟�プションで搭載、駐�Z時でも発電できるため、�Z内にファンを�vすことが可�Δ世箸いΑ�この�陵枦澱咼僖優襪砲禄侘�56Wの�Bセラの�H�T晶シリコン�陵枦澱咾鮖箸辰討い襦�テュフ認定にはもちろんパスしているという。

プリウスの屋根に搭載する�Bセラの�陵枦澱�

アモーファス薄膜�Uでは、アルバックとアプライドマテリアルズがライバルの���}(c─ng)を�gらし、アルバックは効率9%を保証する量�奭けのターンキー���]システムを売り出すと述べ、アプライドは世�c�Q地に納入実績があることを��(d┛ng)調する。�陵枦澱咼僖優���作、実動作の�h価はこれからはっきりする。