�h価する�陵枦澱咾��T晶�Uシリコンのモジュールや、アモーファスシリコン・CIGSなどの薄膜モジュールの�Q�|の試�xや信頼性�h価、環境試�xなどを行う。�T晶シリコン�陵枦澱咾版�膜�Uシリコン�陵枦澱咾箸了釋xの違いは、�T晶�Uシリコンは�W定だが、薄膜�Uは初期的に不�W定なため�W定化処理として�����陵杆�を照�oするという工��が加わる。さらに��外線を照�oする工��も加わる。使��している材料がUV光で劣化しやすい�T合を�eっているかどうかや、その材料を見極めるためである。

薄膜�Uに照�oする�����陵杆�

テュフラインランドでは、国際電気��格であるIEC��格に��拠した試�xを行う。IEC/EN 61730は�陵枦澱咼皀献紂璽襪��W��性適合確認��格であり、IEC/EN 61215は地�屬棒���する�T晶シリコン�U�陵枦澱咼皀献紂璽襪寮��Α�信頼性の設��適合確認と型式認定の��格である。IEC/EN 61646は地�屬棒���する薄膜�U�陵枦澱咼皀献紂璽襪寮��Α�信頼性の適合性確認および型式認定の��格である。

こういった認定を採っていれば����として売りやすいだけではなく、テュフの認定を�pけた�陵枦澱咼皀献紂璽襪鮠嫡J�vが�P入すると���\金の����となる。経済�噞省が創設した���\金�U度に適合している�屐▲謄絅嫻Ь擇脇�本の�陵杆�発電普及拡�jセンター（J-PEC）から適合モジュールの要�Pの�kつとして認められているからだ。

今�vSEACの開設によりテュフラインランドジャパンの�陵枦澱咼皀献紂璽襪了釋x�ξ�は3倍になったとしている。これまではドイツと��湾、中国、�盜顱�日本に試�xラボを�eっていた。

IEC/ENの3つの��格の����となる試�xの�|類は次の通り；
・�`��検�h
・出���R定
・絶縁試�x
・�a度係数の�R定
・�o称動作セル�a度の�R定
・STCとNOCTにおける出���R定
・低照度における出���R定
・屋外暴露試�x
・��外線照�o試�x
・�a度サイクル試�x
・�T露凍�T試�x
・���a高湿試�x
・端子�單抻釋x
・湿�Y��れ電流試�x
・機械的荷�_試�x
・�Tひょう試�x
・バイパスダイオード試�x
・ホットスポット耐久試�x
・接�Z性試�x
・切��性試�x
・連��性試�x
・インパルス電圧試�x
・耐電圧試�x
・�a度試�x
・衝撃破�s試�x
・電線管曲げ試�x
・逆電流負荷試�x
・端子ボックスノックアウト試�x
・�霾�放電試�x

照�o試�xでは、基本的には�陵杆�シミュレータとしてXeランプのパルス照�oを繰り返す。800ms��度のパルスを使うのはモジュールの�a度を�屬欧覆い茲Δ砲垢襪燭瓠�パルスのデューティは�科�に小さく、�Xの影�xがないようにしている。43kWh/m2のエネルギーになるまで照�oし、�R定し、±2%以内の変動に収まっていることを確認し、それを3�v繰り返す。

�����陵杆�のパルス照�oXeランプ

�Tひょうにも耐えるかどうかの試�xも行う。この試�xでは直径25mmの�颪�1mの�{�`から23m/秒の�]度で�]つ。ひょうを�pけやすい地�気筝楜劼��瓦靴討���別にテニスボールサイズの�颪鬚屬弔韻觧釋xもある。

また、雪の�_さに耐えられるかどうかの試�xもある。この場合400kgの土��を載せ耐久性を調べる。また、�|雪地帯からの要求によっては830kgの�_さをかけるという試�xもある。

すべての試�xを終了して認定するまでに�T晶シリコン�U�陵枦澱咾世蛤��]4ヵ月で終わる。��来だとすべての試�xを終え、クリヤーできたとして認定をとるまでに1�Q��度かかったという。