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寄M(プロセス)

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eを現わしつつある盜颪DX:3APCとIndustry 4.0 (5) TELのVM

eを現わしつつある盜颪DX:3APCとIndustry 4.0 (5) TELのVM

APCカンファレンスでi川の印に残ったTEL AmericaのBen RathsackF士の講演を紹介する。半導]におけるVM(バーチャルメトロロジー)とその後のAIを使った予保などの最新\術でウェーハ歩里泙蠅屬押微細化が進んでもバラツキをらせることを実証してきたという。(セミコンポータル集室) [→きを読む]

eを現わしつつある盜颪DX:3APCとIndustry 4.0 (3) APC出席

eを現わしつつある盜颪DX:3APCとIndustry 4.0 (3) APC出席

盜颯謄サスΕ汽鵐▲鵐肇縫xでAPCカンファレンスが行われた。ここではその会議の様子を伝えると共に、その中からi川の印に残ったNXPのSteven Frezonの講演と講演vへのインタビューを紹介する。印に残った言はかつて日本企業が最jの咾澆箸靴討い拭屮璽蹈妊フェクト」であった。(セミコンポータル集室) [→きを読む]

eを現わしつつある盜颪DX:3APCとIndustry 4.0 (1) 殀焼の変

eを現わしつつある盜颪DX:3APCとIndustry 4.0 (1) 殀焼の変

AEC/APC Symposium Japanのi川耕司が盜颪砲けるデジタルトランスフォーメーション(DX)情についてレポートしてきた。1陲任麓\ぢ綏搬喞命5G、2陲任蓮IoM(Internet of Manufacturing)とIndustry 4.0について議bした。3陲任蓮盜駭∨Bが見る半導噞と、最新APC/AECカンファレンスについてレポートする。この3陲虜能蕕盜餤腸颪離譽檗璽箸鮠匆陲靴討い襦(セミコンポータル集室) [→きを読む]

最初の商SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−後

最初の商SiC JFETを使ったEasy1Bパワーモジュール−後

ドイツのインフィニオン社は、SiCトランジスタのk|であるJFETを2012Qはじめには商化する予定だ。MOSFETとは違い、JFETはSiCのバルクを電流が流れるデバイスであるため表CL陥の影xをpけない。しかしノーマリオン動作になる。このためpチャンネルMOSFETをソースにつなぐカスコードライト接により実的にノーマリオフ動作ができる。後は電気性や99%をすインバータについて述べている。(セミコンポータル) [→きを読む]

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