また、2011�Q1月IMF、World Bank においてGDPの改�ﾈ任鮟o表したことから、�i�v値と今�v改�ﾃ佑箸糧羈咫△気蕕砲△泙��瑤蕕譴討い覆い�、�o的機関である国連��易開発会議(United Nations Conference on Trade and Development：UNCTAD)より2011�Q1月、GDP数値が�o表されたので��せて紹介する。

表1は、GDPについて��二�v�`で紹介したIMF、World Bankによる�i�vGDP（成長率）�o表値と今�vの�o表に伴う改�ﾃ諭△�よび下記に紹介する数式Inoue Formulaで使��する当�QGDP変換値（当�QGDP-�i�QGDP）の�i�v値と今�vの�o表に伴う改�ﾃ諭�UNCTADのGDP予�R値を��す。

表1　�o的機関によるGDP�o表値と����的なGDP数値の変換例（2009〜2012�Q）　比較

図1　GDP（成長率）とシリコンウェーハ出荷�C積（成長率）との動向比較

図1は、IMF、World BankおよびUNCTADが�o表している��世�cベースでのGDP（成長率）とSEMIが�o表しているシリコンウェーハ出荷�C積のデータにより�Q出した成長率（�i�Q比）を2003〜2012�Qの10�Q間に渡り図��化したものである。本図より��つの�o的機関によるGDPとシリコンウェーハ出荷�C積との間において連動性がある様子を理解できる。

図2　変換したGDPとシリコンウェーハ出荷�C積との動向比較

図2は、GDPについて表1に��す「当�QGDP変換値=当�QGDP-�i�QGDP」と、GDP数値を変換した後、図1と同じ内容を図��化したものである。この図から、GDPを数値変換することにより、GDPとシリコンウェーハ出荷�C積との間でより�k層連動性を�eちながら変化している様子を理解できる。

また、表1、図2より理解できる点としてGDP変換値は、IMF、World Bank及びUNCTADがほぼ同�kとなることである。 �tち、IMF、World Bank にUNCTADを加えた��つの�o的機関は、�k見異なるGDP予�R数値を�o表しているように見えるが、��二�v�`で説��している設��投�@、消�J��動への原動��を��すGDP変換値がほぼ同�kであることから、経済に�瓦垢覬惇x��と言う見�気鬚垢譴弌�同じ内容（原動��）を�o表していると言える。

これらの数値が半導���噞の�x場を予�Rする�屬���常に�~益なのは、予�Rの数値があまり変動せず、�x場の先行きの考え�気鮟jきく変��しなくて済むことである。これまで、半導��関連�x場は先が見えにくいと言われてきた。IMF、World Bank、UNCTADという��つの�o的機関の予�Rは、�H少の変動があっても内容（風の向きや�咾機砲修里發里�ほとんど変わらない。このため、�k�Q先の�x場�茲��瓦垢觜佑��気鯤僂┐困忘僂燹�このことはビジネスを行う�屬廼砲瓩乍~益である。

シリコンウェーハ出荷�C積の1〜2�Q先の成長率（�i�Q比）に�瓦垢詬襲R値のガイドラインは、下記の数式Inoue Formulaで�瑤襪海箸�出来る。����例として、IMFの最新データである2011�Q1月版を使��すると、2011�Qのシリコンウェーハ出荷�C積の成長率ガイドラインは次式のようになる。

Inoue Formula 　2011�Q　= α x ( -0.6%〔変換後GDP〕　+ β) =2.4%　　---　数式A

定数α、βに�瓦垢��b理的な�Q出は現�Xできていないが、経�x�Г箸靴董�α=6, β=1.0%」を採��する。

��二�v�`で半導���x場、�����v�`で半導�����]����に�瓦珪匆陲靴燭茲Δ法⊇o的機関が�o表するGDP（成長率）を使��することにより、1〜2�Q先における半導���x場と���]�����x場の変化（風の流れの�妓�と�咾機砲鮨�式で��すことが可�Δ任△襦Ｆ瑛佑法▲轡螢灰鵐ΕА璽呂亡悗靴討眇�式にて��すことができるのである。　

表2は�峙�の数式Aを使��し、2009〜2012�Qの4�Q間に渡り、シリコンウェーハ出荷�C積に�瓦垢訐�長率のガイドラインを��したものである。IMFとWorld Bankについては、�i�vと今�v改�ｽo表値を��い、UNCTADについては今�vの�o表値を使��して�Q出した。

表2：　Inoue Formulaによる　シリコンウェーハ出荷�C積　成長率（�i�Q比）ガイドライン

図3　Inoue Formula（数式A）にてパラメータ変換したGDPとシリコンウェーハ出荷�C積との動向比較

図3は、表1に��すGDP変換値に定数βに加えたInoue Formulaにて�Q出した数値(表2)とシリコンウェーハ出荷�C積の成長率（�i�Q比）を図��化したものである。この図より、経済指�YであるGDPとシリコンウェーハ出荷�C積があるパラメータを介することにより、GDPとシリコンウェーハ出荷�C積との間における相関関係において、より�k層�g密に連動していることを理解できる。

図4　四半期ベースでのシリコンウェーハ出荷�C積とInoue Formula（�Q間ベース）との成長率比較

表2に��すInoue Formula（数式A）にて�Q出したシリコンウェーハ出荷�C積の成長率ガイドラインは、�寃Qベースの平均値である。図4に��すように四半期ベースで�i�Q同期比を見た場合、2010�Qのような�Q間平均成長率が高い場合にはピークとボトムで�jきな差があり、同じ�Qであっても異なる�x場�茲��擇濬个后�しかし、2011�Qのように�Q間平均成長率が低いと�[定される場合には実���屐≪Q間平均成長率と四半期ベースでの成長率との差がなく、同じ�x場�茲魴eつことができると考える。
　
半導���x場の成長率のガイドラインについては、��二�v�`で紹介したようにIMFの最新データである2011�Q1月版を使��すると、2011�Qの半導���x場の成長率ガイドラインは次式となる。

Inoue Formula 　2011�Q　= α x (–0.6%〔変換後GDP〕　+ β) = 7.0%　---　数式B

定数α、βについては、��二�v�`で説��している「α=5, β=2.0%」を採��する。

半導���x場とシリコンウェーハ出荷�C積との連動性は、�峙�数式AとBから変換後GDPを介し、数式を求めると次式Cとなる。

シリコンウェーハ出荷�C積の成長率　=　1.2　x（半導���x場の成長率　– 5.0 % ）　　---　数式C

図5　Inoue Formula(数式C)においてパラメータ変換した半導���x場とシリコンウェーハ出荷�C積との�Q間ベースでの動向比較

図5は�峙�数式Cをより�k層理解してもらうため、半導���x場とシリコンウェーハ出荷�C積の成長率を数式Cのパラメータを介し図��化した。相関関係を�eちながら連動している様子を理解することができる。

なお、�峙�数式A、B、Cは�k次�究�式であるが、���Qを容易にするためであり、より�k層高い�Z��性を求めるのであれば、二次元�究�式、��次元�究�式と、より�H次元化することにより数学的には可�Δ任△襦�

図6　Inoue Formula(数式C)においてパラメータ変換した半導���x場とシリコンウェーハ出荷�C積との四半期ベースでの動向比較

図6は、図5と同じ内容を2009〜2011�Qの3�Q間に渡り12四半期を図��化したものである。本図より数式Cが四半期ベースの動向比較に�瓦靴討眦�応可�Δ塙佑┐蕕譴襦�

シリコンウェーハ�x場に関する�o的なデータとしては　SEMIとは別にSICAS(Semiconductor International Capacity Statistics-世�c半導���攵�キャパシティ)が四半期ベースで　そのﾃﾞｰﾀを�o表しているが、このSICASに�瓦垢詒焼����噞における数学的相関関係は次�v、紹介する。

参考�@料：
1. 国際通貨基金(International Monetary Fund-IMF) ホームページ
2. 世�c銀行(World Bank)ホームページ
3. 国連��易開発会議(United Nations Conference on Trade and Development-UNCTAD)ホームページ
4. 世�c半導���x場統��(World Semiconductor Trade Statistics-WSTS) ホームページ
5. 国際半導�����]����材料協会(Semiconductor Equipment and Materials International: SEMI) ホームページ
6. 半導���噞における「風を読む」III〜半導�����]�����x場動向
7. 半導���噞における「風を読む」II〜GDPと半導���x場との相関関係から導く
8. 半導���噞における「風を読む」I