23日�呂�Simon M. Sze��湾国立交通�j(lu┛)学兼�櫂好織鵐侫�ード�j(lu┛)学教�bの��別講演において�Mも��問したが、そのあとを�{い研�|�vが2~3�@��けて��問した。Sze教�bは笑顔を絶やさず答えてくれた。講演が終わってからは教�bを囲み、�何��Qぶりに改定された��3版Physics of Semiconductor Devicesにサインを求めて学�擇燭舛��`を作っていた。

24日には懇親パーティで、�MとSze教�bが半導���噞の��(j┤ng)来について�Bをしていると、何やら�Mの後ろに�{い人たちが並び、�Bをする順番を待っていた。Sze教�bと別れると、�{いエンジニアたちは次々、Sze教�bと�Bを始めた。

1980�Q代には半導��デバイスの限�c�bがIEDM（International Electron Device Meeting）やISSCC（International Solid-State Circuits Conference）のパネルディスカッションの格好のテーマで、最先端の研�|�vやエンジニアが真剣に半導��デバイスの限�cを議�bしていた。あるものは1μm以下の半導��は作れないと言い、別のものは0.2μmが経済的に作れる限�cだろう、と言った。そのころSze教�bは、限�c�bを横�`に見ながら、楽�菘�な見��(sh┫)を��した。�^真のレターは、1982�QにPhysics of Semiconductor Devicesを出版していたJohn Wiley and Sons社のイベントでSze教�bが半導��の��(j┤ng)来について述べた時の�@料である。

ここには、25�Q後の半導��デバイスの予言が書かれている。世�cのエレクトロニクス�噞は4兆ドル（400兆��）と予�Rしているが、現実は約200兆��である。半導���噞はそのうちの1/4を��めるから1兆ドル（100兆��）としている。現実は27兆��だからやや�埆j(lu┛)�h価である。しかし、半導��デバイスの最少�∨，�100〜1000オングストローム、すなわち10~100nmであるとしているが、まさにその通りだ。今45nmデバイスが����として売られている。半導��デバイスの限�cが1μm、すなわち1000nmだと議�bされている中で、10~100nmだと予�Rしたのである。これはすごい。

実は、64KビットDRAMがやっとできたばかりのころ、�]チャンネル効果や、ホットエレクトロン効果など微細なMOSトランジスタの問��を�D材していた。ある�j(lu┛)�}半導��メーカーの�\術開発�霙垢蓮�256K DRAMはもう作れないのではないか、と言った。今から見ると失笑してしまうような問��を�iにその壁の向こうを見通せないのである。

��LSI研�|開発組合ができたころも、3~2μmの�∨，聾�の�S長に�Zづき、もう光リソグラフィでは加工できないから、電子ビームやX線リソグラフィを開発しなきゃ、といって国家プロジェクトを始めた。今から思うとプッと笑ってしまうようなことを国を挙げて真剣に議�bしていたのである。

しかし、現実には人間はさまざまな壁を乗り越え、問��を解��してきた。さまざまな壁があっても人間はその���Lで解��してきた。今は22nmをどうする？EUVで行けるのか？あるいは�]浸と高屈折率のコンビか？など壁があるが、きっと乗り越えるのに違いない。悲�菘�にものを考えて、�{いエンジニアのやる気を削ぐようなことがあってはならない。壁は�{いエンジニアが��ず乗り越える。半導���噞が今後50�Q以�屬碪�くとSze教�bが予言したことは、50�Q後になればわかることだ。きっと当たっているに違いない。