最初のトランジスタが�櫂戰訶��B研�|所で発��されたとき、ノーベル賞を�pけた、ショックレイ、バーディーン、ブラッテインの3人のうち、実はリーダーのショックレイが立ち会っていなかったことは�T外と�瑤蕕譴討い覆ぁ�ショックレイがIEEE誌に執筆した�b文を1977�Qに日経エレクトロニクス誌が翻�l掲載した記��「接合型トランジスタ発��への�O」にその��実が詳細に書かれている。ショックレイは、�w���\幅�_を求めて3端子デバイスの両端を極限まで縮めて真ん中の層を薄くすれば半導��は�\幅作��を��すに違いない、と考えてさまざまな実�xを行ってきたのにもかかわらず、点接触トランジスタが�\幅作��を��したときの実�xには�亮蕕鬚靴椴�ち会っていなかった。そのときの「�Pしさ」から、�W定動作をする接合型トランジスタを提案し、実�xで実証したのはその1�Q後だった。

ショックレイがこだわったトランジスタが発��された1947�Q12月から1950�Q〜60�Q代は半導��デバイスの黎��期でトランジスタだけではなく、エサキダイオード（発��のエピソードは「�Eの奇�D(後��）」を参照）やガンダイオード、インパットダイオード、発光ダイオード、ショットキーダイオードなど�Q�|のダイオードも�擇泙譴拭Ｈ焼���材料としてもゲルマニウム、シリコン、ガリウム砒素、インジウム砒素、インジウムアンチモンなどさまざまな化合�馮焼���も�擇泙譴拭�しかし、ダイオードは、半導��デバイスの主流にはなりえなかった。

ダイオードは�k��(sh┫)向にのみ電流が流れるという性��がある。この性��を�W(w┌ng)��して、�D流�_や検�S�_などが作られている。しかし、それだけでは�\幅作��はない。エサキダイオードやガンダイオードなどは、負性�B�^を�W(w┌ng)��して発振作��を行わせ、�\幅作��を�eたせることができた。負性�B�^とは電圧�峺�と共に電流が下がっていく曲線の��きが負であることからそのように表現する。これらのダイオードは、順��(sh┫)向に電圧を�屬欧討い�と電流は�\えていくが（ここまでは通常の動作と同じ）、さらに電圧を�屬欧襪蛤Ｅ戮狼佞謀杜�が��っていくのである。電圧�峺�と共に電流は下がり��け、やがて電流の極小値に達すると今度は通常のダイオードのように再び電流は�\えていく。電流-電圧曲線の��きが負になっている�覦茲縫丱ぅ▲好櫂ぅ鵐箸魴eっていくと発振する。

しかし、ダイオードは所詮2端子にすぎないため、�\幅作��を��すからといって入��と出��を分�`できにくいという不便さは残る。やがて1970�Q代のガンダイオードやインパットダイオードが���r時代にガリウム砒素（GaAs）トランジスタが登場した。しかし入出��分�`しなくてもすむGaAsトランジスタ（��確にはショットバリヤゲートを�W(w┌ng)��した電�c効果トランジスタ）は使い�M�}が良いため、ガンやインパットなどのダイオードはGaAsトランジスタにほとんど�~�dされてしまった。

現在の半導��チップと�}ばれる集積�v路にはシリコンのMOSトランジスタが基本素子に使われているが、これはショックレイたちの発��したゲルマニウムのバイポーラトランジスタとは構�]も動作原理も材料も違う。MOSトランジスタ（��確にはMOS電�c効果トランジスタあるいはMOSFET）は集積化に向いたトランジスタである。集積�v路はかつてMOSとバイポーラが両立していたが、�T局MOSが�Mち、バイポーラはメジャーになれなかった。MOSトランジスタを作る�\術が今の集積�v路の基礎を築いた。インテル社の社長を��めたロバート・ノイス��が開発したプレーナ�\術、集積化�\術、ゲルマニウムからシリコンへの転換、ジャン・ホーニ��などによるシリコンの�┣祝豬狙��\術などが今日の集積�v路の基礎を作ったとされている。

にもかかわらず、ショックレイが開発したゲルマニウムのバイポーラトランジスタがなぜ�j(lu┛)きな�h価を�pけるのだろうか。集積�v路におけるトランジスタの�T�Iについては次�v考察する。