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Eの奇D(後)

iでは中T二のE色LEDの発に関して述べた。そして、半導\術で日本人が 世c的な貢献をした例は他にもT在する。1958Qにエサキダイオードを発した江崎玲P奈と1984Qにフラッシュメモリーを発したrK富士dだ。

これらの例について、日本人は誇りをeって良いと思う。_要なのは|々のJ|に しばられずにOy(t┓ng)争できる環境を作ることであろう。そのような場があれば、日本人が世cレベルの成果を出してj(lu┛)きく貢献できる。半導ビジネスにおいて、最Zはf国や湾企業に押され気味の日本国ではあるが、\術のブレークスルーではアジアの中でのトップを走っていると、言える。f国や湾において江崎、rK、中に匹發垢訐果を筆vは(m┬ng)らない。実際、そのような例がT在するだろうか?
江崎は神戸工業の時代に構[をQき、ソニーのi身であった東B通信工業に,辰謄殴襯泪縫Ε爐異なPN接合を研|した。tち極端に狭い覦茲鱆~するPN接合を創り量子学的なトンネル効果を電気性的に`に見えるようにした。T果は負性B^を~するダイオードのエサキダイオードが実現した。
その頃の半導\術は黎期で、どのような現(j┫)やデバイスが出来ても不思議でなかった。その後、残念ながらエサキダイオードは実性にL(f┘ng)けることが判したが、世cはその業績を称え、江崎はノーベル賞をb与された。
東の総合研|所で研|成果を出したrKは、1984Qフラッシュメモリーを(sh━)国で開かれた国際会議に報告した。そのh価は高かったが、日本では東を含めてあまりR`されなかった。なBだ。日本人がQえる問のkつは、他人(に日本人)の業績をしくh価するがないことだ。
ただし、今や半導業でトップを走る(sh━)インテル社がrKを{い、フラッシュメモリーを実化した最初の企業になった。インテルが偉j(lu┛)なのは発vrKに心からwTを表したことだ。
rKに倣ってこの新しいメモリーにインテルはフラッシュの@を踏(ji┌ng)した。k時は不思議なことにインテルがrKを賞賛し、東がrKを冷遇したこともあった。
日亜化学工業と東は互いに業のく異なる会社だが不思議にも共通点がある。それは優れた発をして貢献した業^を、共に科にh価しなかったことだ。報Oによれば共に不満をQいた発vが訴えて訴e沙Xになった。
このことは、j(lu┛)変に残念なだと思う。(d┛ng)い立場にある会社笋反省し考えなくてはならないことだと思う。(d┛ng)いvがj(lu┛)人の官をすることが不可Δ世辰燭箸蓮到f思えないからだ。
さてブレークスルーは、雰囲気がj(lu┛)であることも述べてみたい。例えば1960Q代の日本は現在と比べて、不思議にもR&D志向が(d┛ng)い時代であった。
ショックレーが~@なショックレー研|所を運営し、R&Dに専念していた。今から50QiのBである。そこに働いていたゴードン・ムーア、ロバート・ノイスら8人は叛旗を翻しフェアチャイルド・セミコンダクター社を興した。彼らは世cに先~けてプレーナートランジスタを育てた。そのプレーナ構]とプロセスが後にノイスによる集積v路の発につながった。
k(sh┫)、テキサスΔ任魯献礇奪・キルビーがく別のアプローチから集積v路を出願した。今では集積v路の発vはこの二人とされる。後に、ムーアとノイスはベンチャー企業のインテルを興した。
これを見ていたのが諒人里里海舛笋砲い親本人達であった。時代はMOSデバイスが擇泙譴iであった。1960Qの初頭になってもMOSはなかなか実化できなかった。日本の{vはそれらの実にHいに刺をpけた。
MOSが実化できなかったのは┣祝譴不W定であったからである。当時、C-Vカーブのデータを最もHくDりけたのは日本のエンジニアであったといえる。そのk人であった兀蟒慂燭癲MOS構]でC-Vカーブにヒシテリシスを見出していた。
兀蠅他と異なるのは仮説を立てて、┣祝戝罎堀T在するシリコン・ナノパーティクルが電子やホールのトラップセンターなるに違いない、と考えたことである。そしてこの原理に基づくデバイスをシリコン・クラスタ・メモリーデバイスとして発し、それを昭和45Qに出願をしている。兀蠅糧はこのように早かった。
兀蠅呂海糧がフラッシュメモリーの先~であると考えている(兀蝓■稗釘釘16v(d┛ng)誘電応国際会議)。この発がrKのデバイスと異なるのは単kデバイスとランダムアクセスv路の違いであり、数万デバイスをワンショットのフラッシュのようにk度に消去する発[は、rKを待たねばならなかった。


j(lu┛)和田敦之 エイデム 代表D締役

ごT見・ご感[
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