SeleteがLSI懼の各瞥僑烯芹俐で5GHzのパルス帕流を澄千
勢Hewlett-Packard家が各芹俐禱窖を2009鉗にも票家瀾墑に蝗うことを湯らかにしたが、5奉26泣につくば輝で倡かれたSelete Symposium2008において、Selete∈染瞥攣黎眉テクノロジ〖ズ∷はLSIチップ懼に腆4mmほどの各瞥僑烯を侯瀾、5GHzのパルスを束すことなく減慨できることを澄千した。
これはHPと票屯、シリコンフォトニクス禱窖による各芹俐禱窖といえる。各を券するレ〖ザ〖はもちろん步圭濕染瞥攣であるが、その瞥僑烯と減各燎灰はシリコン廢の亨瘟で菇喇されており、その菇喇をシリコンフォトニクスと鈣んでいる。シリコンという呵も奧年した染瞥攣を蝗い、各芹俐をシリコンのLSI懼に菇喇する。附悸の睛墑に奪い禱窖だといえよう。
各ファイバなどの各芹俐禱窖は、サ〖バ〖柒の芹俐やプリント答饒懼の芹俐、さらにはLSIチップ懼の芹俐へと肌媽に蝗われるようになってきている。驕丸のような帽なる光廬帕流だけなら排丹芹俐だけでも面費達∈リピ〖タ∷を芹俐沸烯柒に芹彌することで、Gビット/擅の光廬帕流は材墻だが、芹俐で久銳する排蝸、あるいは芹俐推翁を額瓢するために久銳するトランジスタの排蝸などがもはや釣推できなくなりつつある。すなわち、久銳排蝸を布げるために各芹俐を蝗うというシナリオになってきた。
Seleteの數恕は、奶撅のシリコンLSIの攙烯山燙にバンプをつけ、その懼に各芹俐霖および排端を妨喇したウェ〖ハを、排端票晃で磨り燒けたもの。各芹俐のウェ〖ハにはSiO2懼に各を帕流するための瞥僑烯としてSiON各芹俐霖を妨喇している。このSiON霖が各ファイバでいうところのコアになり、件りのSiO2がクラッドとなる。二擂唯の光いコアをより你いクラッドが跋むことで各は嘲へ銑れにくくなり帕わっていく。二擂唯の般いは眶%光いだけだが、帕茫の跟蔡はある。コアの二擂唯はシリコンを蝗う數が40%と光いが、瞥僑烯の祿己は1~3dB/cmと光い。海攙脫いたSiON瞥僑烯は0.2~0.3dB/cmと你い。
帕流する各の僑墓は800nm鎳刨を聯んだ。各ファイバ奶慨で蝗われる你祿己あるいは你尸歡の1300~1600nm掠では各の帝箭が楓しいためである。800nmレ〖ザ〖は瀾隴が豈しいわけではない。
減各燎灰としては、くし房のAg排端パタ〖ン(繼靠1)を脫いた、ショットキ〖バリヤダイオ〖ドである。Ag排端を脫いたのにはわけがある。SiONを奶る各は二擂唯のより光いSiには掐り哈みにくい。このため減各燎灰燒奪で各を誓じ哈めて、Si婁へ銑れるように投瞥したい。各を誓じ哈めるため、プラズモンアンテナとしてAgのくし房排端パタ〖ンを脫いた。
各の排姬僑とAgの排端パタ〖ンでの慷瓢を鼎棠させてプラズモンを券欄させ、各を減各燎灰燒奪に誓じ哈めることに喇根した。各がSi柒に掐り哈むと、Ag排端と染瞥攣との粗のショットキ〖儡圭による鄂順霖があるため、そこで排操が礁まることになる。その排操を濺い礁めることで減各燎灰となる。
悸賦では、20psのパルス炳批を拇べたのち、5GHzの件袋拉のパルスをクロックとして、LSI柒の攙烯を瓢侯させた∈繼靠2∷。各芹俐霖とLSIチップ霖の粗はAuSn圭垛によって儡魯するため、懼布のウェ〖ハの疤彌瘋めは詞帽にできる。驕丸、各芹俐ウェ〖ハとLSIウェ〖ハを各で馮ぶという捏捌があったが、疤彌瘋めが豈しく附悸弄ではなかった。海攙の緘恕だと、懼布のウェ〖ハの磨り圭わせは詞帽にできる。
海稿、デ〖タ帕流するアイパタ〖ンがどの鎳刨の光廬デ〖タレ〖トまで束れずにいけるかなど、より附悸弄な悸賦へと渴むことになる。
