SeleteがLow-k膜のエッチングにCH3Iガスの�~効性を実証
Selete (半導��先端テクノロジーズ)の��二研�|�陲�、Low-k/Cu配線�\術の開発を進めているが、機械的にもろいLow-k膜はハーフピッチ(hp)45nm以�Tのプロセスで、エッチング形�X、高���I比、ダメージフリー、低環境負荷、といった問��をクリヤーしなくてはならない。このほど新しいエッチングガスとしてCF3Iがこれらを満�Bさせることを同社はSelete Symposium2008で��らかにした。
CF3Iは、Fラジカルが発�擇靴砲�く、その密度は��常に低い（下の図の真ん中）。ダメージを与える��外線（UV）�單戮�C4F6やCF4などと比べても低い（下の図の左）。加えて、地球の�a暖化にもやさしい。地球�a暖化係数（GWP: global warm potential）は�W定ながら�a暖化ガスとして嫌われているCO2を1としてこれまでのエッチングガスであるCF4は6500倍も�Kい。C4F8はさらに�Kく8700倍も�Kい。少なくともCO2の1よりは小さい材料を��びたい。Seleteが検討しているCF3Iガスは1未満であるという(下の図の��)。
ここで��いているLow-k膜はポーラスなSiOC（k=2.6）であり、機械的な�單戮�弱く、プラズマによる���aにも弱い。それで、Low-k膜にキャップ層を被せてから45nmノードの配線パターンを比べるため、プラズマによる���aを表すパターン�篳匹旅咾譟�LER:ラインエッジラフネス）を調べてみると、��来のCF4だと�篳匹旅咾譴�6nm��度あったものが、今�vのCF3Iでは2nmと��少した。すなわち�篳匹呂�れいに加工できている。
このエッチングガスを使って加工した45nmノード配線のTDDB（time dependent dielectric breakdown）の信頼性も調べてみると、ワイブル分布で�搥故障を見ると、信頼性��命は2ケタ��度高くなっている。
また、CF4とC4F6の成分比を変えることでエッチングガスの���I比とLERとがトレードオフの関係があったものの、CF3Iは高い���I比と低いプラズマ���aを両立できたとしている。
