Mottスイッチを網脫する稍帶券拉CeRAMセル瓢侯を澄千したSymetrix
Mott蓮敗と鈣ばれる、垛擄と冷憋攣との恃步を網脫したメモリであるCeRAM∈徊雇獲瘟1∷のデバイス甫墊が辦殊渴んだ。このメモリは、蓮敗垛擄煥步濕の潑拉を欄かし、光鳥鉤か你鳥鉤かの覺輪を侯り叫し、1と0に灤炳させている。300mmウェ〖ハ懼にメモリセルを侯り叫し、その瓢侯を澄千した。
哭1 CeRAM倡券の勢コロラド絡池排丹ˇコンピュ〖タ池嬸兜鑒敷Symetrix家のエグゼクティブ柴墓のCarlos A. Paz de Araujo會∈焊∷と光夢供彩絡池嘆屠兜鑒で傅揪布排灰供度の裁羌逛呂會∈寶∷ 叫諾¨Araujo兜鑒より且減
黎奉瑣に倡號された≈KIT/Symetrix International Symposium∽∈肩號¨疊旁供份痢拜絡池∷において、CeRAM∈Correlated Electron RAM∷の渴鷗に簇してSymetrix家が券山した。勢コロラド絡池排丹ˇコンピュ〖タ池嬸のCarlos A. Paz de Araujo兜鑒はSymetrix家のエグゼクティブ柴墓も敷ねておりCeRAMの車俠を揭べ、票家の甫墊莢であるJolanta Celinska會が悸狠のデバイス侯りと亨瘟などについて疽拆した。
辦忍に染瞥攣は、垛擄と冷憋攣の面粗のエネルギ〖バンドギャップを積つ。ただし、垛擄はギャップゼロだ。染瞥攣という亨瘟そのものの排灰の覺輪泰刨はn房とp房で辦盜弄に瘋まってしまうが、CeRAMに蝗われる、蓮敗垛擄の煥步濕は恃わった拉劑を積つ。ただし、NiO∈煥步ニッケル∷やHfO2∈煥步ハフニウム∷、そしてペロブスカイト菇隴のYTiO3∈チタン煥イットリウム∷やPbNiO3∈ニッケル煥瀕∷など蓮敗垛擄煥步濕だけでは、ほぼ冷憋攣が驢い。この蓮敗垛擄煥步濕にC∈煤燎∷をド〖プして呈灰風促を雖めるとエネルギ〖ギャップ粗のフェルミ潔疤に排灰がたくさん礁まった染瞥攣弄な覺輪を料叫できる∈哭2の寶哭∷。
哭2 蓮敗垛擄煥步濕だけ∈焊哭∷だとバンドギャップは弓いが、Cをド〖プすると∈寶哭∷フェルミ潔疤に排灰が礁まり染瞥攣弄になる 叫諾¨Symetrix家
CeRAMのCorrelated Electronとは、帽攣の排灰ではなく、高いに陵高侯脫している排灰の礁まりを罷蹋する、動陵簇排灰という嘆漣に統丸する。Symetrixエグゼクティブ柴墓のCarlos A. Paz de Araujo會の叼渾弄な車前哭∈哭3∷での棱湯によると、排灰が付灰の件りに礁まってとどまっていると排萎が萎れない冷憋攣(光鳥鉤)の屯陵を績し、排灰が堆辦に弓がり帕瞥掠懼に弓がっていると排萎が萎れる垛擄∈你鳥鉤∷覺輪になる。
哭3 付灰の件りだけ渡疥弄に排灰が礁まっていると冷憋攣だが、鏈攣弄に堆辦に排灰があれば垛擄弄になる 叫諾¨Symetrix家
亨瘟そのものに排暗をかけると、碰介は排萎が萎れていくが、ピ〖クに茫すると排暗を懼げるのにつれて排萎が布がり砷拉鳥鉤を績すようになる∈哭4∷。布がり磊ると浩び排萎が萎れるという拉劑を績す。哭4の僥即は灤眶謄攔で山附しているため、排萎のピ〖クと布がった箕の攆との粗には2ケタ鎳刨の汗が附れる。
哭4 你鳥鉤と光鳥鉤の覺輪を侯り叫す 叫諾¨Symetrix家
この砷拉鳥鉤は企つの覺輪を山し、しかも你鳥鉤と光鳥鉤の1と0を山すことができ瘦つため、稍帶券拉メモリとして蝗える。いわば染瞥攣のエザキダイオ〖ドのように慷る神う。ヒステリシスを閃き、メモリ跟蔡をもつ。
Symetrix家は、ダイオ〖ド房のCeRAMメモリセルと擴告脫トランジスタからなるマトリクス覺のメモリセルアレイを300mmウェ〖ハ懼に活侯した。1セルは木仿93nmから47nmまで腮嘿步できることを悸沮しており∈哭5∷、光礁姥步にも灤炳できる。また、1.5Kの端你補から423K∈150°C∷まで瓢侯すると鼎に、光鳥鉤と你鳥鉤の粗のウインドウを24箕粗瘦つことを海のところ悸沮している。
哭5 300mmウェ〖ハ懼に活侯したCeRAMセルの們燙哭ˇ繼靠 叫諾¨Symetrix
もちろん、これだけで悸脫步できる條ではない。腮嘿步した箕のセル粗闖灸や瀾隴しやすさ、あるいはFinFETとの鼎賂など、これからのメモリに努したプロセス、デバイス、芹俐禱窖など、糠しいメモリとしての活錫が略ち菇えている。このCeRAMは、Armからスピンオフした甫墊疥Cerfe Labsも倡券を魯けており、付妄が鏈く糠しいメモリとして欄き荒るかどうかは驢くの措度の徊裁がカギを愛るかもしれない。
徊雇獲瘟
1. ≈Arm、動陵簇排灰メモリ漓嚏のIPベンダ〖をスピンオフ∽、セミコンポ〖タル (2020/10/06)
