アナ・ハンター��(hu━)　サムスン電子ファウンドリ担当バイスプレジデント

90nm以�Tの微細化プロセスにおいては、ムーアの法�Г�ら外れてゲート�┣祝譴鬟好院璽螢鵐阿任�なかった、と同社ファウンドリビジネス担当バイスプレジデントのアナ・ハンター��(hu━)は述�Uする。ゲートのリーク電流が���\するため「ゲート�┣祝譴�90nm以�Tは薄くできなかった」（同��(hu━)）。このため90nmから65nm、45nmまでゲート�┣祝譴離好院璽螢鵐阿��Vまったままだった。高性�Δ離泪ぅ�ロプロセッサ��にインテルは45nmからゲート構�]を変えた。High-k絶縁膜により�駘�的な厚さを�nぎ、メタルゲートにより仕��関数を�eち�屬欧襪箸い�、「High-kメタルゲート構�]」を採��した。高性�Ε廛蹈札奪気任脇虻酖徹気�0.9Vに下げることでダイナミックな消�J電��を下げることに�R��したが、低消�J電��のモバイル応��でHigh-kメタルゲートを採��するのはサムスンが初めてだという。

サムスンは、32nmから28nmも含め、High-kメタルゲートを採��する。これによって、ゲートリーク電流は2ケタ下がり、あるゲート電流での動作�]度は40%向�屬垢�。逆に、ある�k定�]度でのリーク電流は1ケタ下がる、としている。このHigh-kメタルゲートは22nmチップにも使えるとしている。22nmのトランジスタのゲートリーク電流は32nmトランジスタと比べると�{�J�\えるが、使えるレベルにあると同��(hu━)は言う。ロジック向けファウンドリビジネスの責任�vである同��(hu━)は、High-kメタルゲート�\術のおかげでモバイル機�_(d│)でのGHz動作が可�Δ砲覆襪判劼戮討い�。

同社は45nmでゲート�┣祝譴鮖箸�場合と、32nmでHigh-kメタルゲートを使う場合とを32ビットプロセッサコアARM1176のデバイスを��いて比較している。これによると、32nmにすると�]度、コア�C積、消�J電��の��つの点で優れていることが定量的にわかった。2つのクリティカルパスでは、�]度は24%、あるいは25%と�\し、コアサイズは半��(f┫)した。また、32nmでは電源電圧は0.9Vと45nmの1.0Vよりも低下し、ゲート数は1300万ゲートと45nmの1100万ゲートよりも�\えると仮定して比較したところ、動作時のダイナミック消�J電��は33%��(f┫)り、スタティックなリーク電流による消�J電��は55%��(f┫)少し、����の消�J電��は35%��(f┫)少したとしている。この�T果から、32nmの低消�J電���\術はモバイル機�_(d│)のGHz動作が可�Δ砲覆襪費T�b��けている。

22nmチップではリソグラフィの��(li│n)�I(m┌i)が��(r┫n)常に�Mしくなる。これに�瓦靴謄汽爛好鵑任聾��|開発チームがEUVを含めさまざまなリソグラフィツールについて研�|している、と言う��度に�里瓩討い襦�と言うのは同��(hu━)の責任�J(r┬n)囲外の�\術だからである。

同��(hu━)が��を入れているこれからの分野の�kつにTSV（through silicon via）がある。いわゆる楉姪填剖\術だ。これも応��がGHzのモバイル機�_(d│)である。TSVは、��来のPOP（パッケージオンパッケージ）と比べて、サイズは35%小型化し、消�J電��は半��(f┫)し、メモリーバンド幅は8倍にも高�]化するとシミュレーション�h価している。バンド幅が8倍にも広げることができるのは、メモリーデータの入出��を�\やし並�`化できるだけではなく、レイテンシも��(f┫)るためだ。もちろん、ワイヤボンドによるインダクタンス成分もぐっと��(f┫)る。加えて、メモリーとプロセッサを直�Tすると、ESD�v路が要らなくなるため、その分の消�J電��を��(f┫)らすことができると指�~する。

サムスンはTSV�\術ではインターポーザを使わない��(sh┫)針だ。というのは、モバイル機�_(d│)はコストに敏感で、インターポーザを導入するとそれだけでコストアップになるからだ��「サムスンは、メモリー�靆腓魴eっていることが�j(lu┛)きな��(d┛ng)みとなっている。アプリケーションに応じて、メモリー�靆腓肇僖奪匹稜���についてディスカッションしながらロジックの端子を�T��していくことができるからだ」とハンター��(hu━)は言う。ロジックを再配線できるからインターポーザは要らないのだ。TSVビジネスでは、ファウンドリサポートと、パッケージング�\術、メモリー�\術という��つの�j(lu┛)きな�\術を�eっていることがサムスンの��争��のあるところだとしている。

同社のファウンドリビジネスは、現在45nm����が量��に入っており、今�Qの��2四半期には32nm����のプロトタイプを出し、カスタマ次��だが�Q��には32nm��の量��にもっていきたいとしている。ただし、最も数量の�Hい����は現在、65nm��であるが、�Q��には45nm��が主流になるとみている。

サムスンは2005�Qからファウンドリビジネスを始めた。�f国の�_(d│)興工場で90nmプロセスの����から立ち�屬押�300mmウェーハ工場で�攵�し、現在は月��4万��の�攵盋だが、さらに�\やしつつあるという。同��(hu━)のいる��(sh━)国ではカスタマを見つけ、テクニカルサポートを行っている。例えば、TSVビジネスではロジックの顧客とパートナーシップを組み�Y����格を作り、�Wいコストで����を提供できるようにするとしている。