IBM+7家の鼎票プロセス倡券がビジネスとして幌まった
IBM家と鼎票倡券チ〖ムである、チャ〖タ〖ドセミコンダクタ〖家、フリ〖スケ〖ルセミコンダクタ〖家、インフィニオンˇテクノロジ〖ズ家、サムスン排灰、STマイクロエレクトロニクス、澎記は、鼎票で倡券してきた32nmプロセスがビジネスフェ〖ズに掐ったと券山した。絡緘染瞥攣メ〖カ〖が票じ32nmプロセスを鼎票で倡券し鼎奶のプロセス答茸∈コモンプラットフォ〖ム∷を侯ることで、稱家の夢急の鼎銅や、抨獲リスクの汾負だけではなく、肋紛リソ〖ス∈デザインキットやライブラリ、EDA、DFM∷も鼎票で網脫できるため、燎玲い翁緩惟ち懼がりが材墻になる。
このほど、32nm鼎奶プロセスプラットフォ〖ムを網脫したシャトルプログラムが瓢き叫した。2008鉗の媽3煌染袋から活侯レベルではあるが、活侯プログラムでシリコン懼での刪擦ができるようになる。すでに徒腆で辦欽だとしている。この活侯シャトルでは、9奉1泣から15泣までの粗にIPデザインを芹邵し、30泣にテ〖プ畔しする徒年になっている。媽2攙謄の活侯シャトルのテ〖プ畔しは12奉15泣を徒年しており、こちらはこれから淑礁する。
32nmプロセスが蝗えるレベルに茫した呵絡の妥傍は、ゲ〖トリ〖ク排萎を布げられるHigh-kゲ〖ト冷憋遂とゲ〖ト糠垛擄を脫いながら、そのほかのプロセスはできるだけ驕丸のプロセスを僻獎した馮蔡である。ゲ〖トの投排唯の光いHf廢煥步遂と、慌禍簇眶を路えるためのゲ〖トメタルを光補に卵えられる亨瘟を蝗ったことで、その稿の光補プロセスにも卵えられ、驕丸のプロセスが蝗えるようになった。
High-k亨瘟とゲ〖トメタルの寥み圭わせは、MOSトランジスタにとってゲ〖ト冷憋遂を更くできることによるゲ〖トリ〖ク排萎の猴負というメリットだけではない。ゲ〖トリ〖ク排萎は驕丸のSiONゲ〖トの1/100笆布に負警し、さらに沒チャンネル跟蔡も娃擴できた、とIBM家禱窖倡券么碰シニアマネジャ〖のAn Steegen會はいう。この馮蔡、ゲ〖トしきい排暗のバラツキは40%猖簾され、サブスレッショルド排萎はｐMOS、ｎMOSとも1峰笆懼你負した。65nm/45nmで乖ってきた夏み禱窖だけではサブスレッショルド排萎はここまで負らない。糠ゲ〖ト亨瘟への恃構によりMOS瓤啪霖が泅くできるようになり、その馮蔡沒チャンネル跟蔡を娃擴できたとしている。
このCMOSトランジスタをインバ〖タチェ〖ンとして瘩眶檬事べてリングオシレ〖タを菇喇したところ、ゲ〖ト覓變箕粗は40%猖簾され、ドレインリ〖ク排萎(サブスレッショルド排萎)は1/10負警したことがわかった。
また、ロジック攙烯に驢脫されるSRAMアレイを活侯し、セルの帽疤であるフリップフロップのVthのバラツキの焊寶の稍臘圭を刪擦してみたところ、驕丸のpolySi/SiONゲ〖トに孺べしきい猛バラツキは40%井さくなったとしている。SRAMセルのフリップフロップ攙烯は１あるいは０を眠姥するメモリ〖なので、1,0の急侍にこのVthの稍臘圭は殊偽まりやばらつきに逼讀する。SRAMセル燙姥は0.15μm2笆布である。CMOSインバ〖タロジック1改のスタティックノイズマ〖ジンは、Vdd=1Vに灤して220mVと奧年した眶猛を評ている。
リングオシレ〖タでのゲ〖ト覓變箕粗と久銳排蝸の簇犯から、45nmの驕丸プロセスで侯ったCMOSトランジスタを瓢侯排暗1.1Vで瓢侯させた眷圭と孺秤すると、32nmCMOSを1.0V瓢侯では久銳排蝸は40%負警し、廬刨は24%籠裁した。0.9Vで瓢侯させると、久銳排蝸は45%負警し、廬刨は18%籠裁している。このプロセスは、バルクCMOSでもSOI CMOSでも票じように蝗えるとしている。
チャ〖タ〖ドのインダストリ〖マ〖ケティング&プラットフォ〖ムアライアンス么碰甥家墓のWalter Lng會
呵介にIBMとチャ〖タ〖ドの2家で幌めた鼎票倡券のビジネスモデルは、海やドイツ、フランスˇイタリア、泣塑、躥柜という措度までを蜀み哈み鼎奶の32nmプロセスを倡券するというように橙絡してきた。かつてIBM家において鼎票倡券の回帶をとり、その稿IBMを鑼家し、附哼チャ〖タ〖ドのインダストリ〖マ〖ケティング□プラットフォ〖ムアライアンス么碰甥家墓であるWalter Lng會によると、メンバ〖がこの禱窖を蝗う眷圭は、稱家ごとに改侍防腆となっており、ライセンス瘟やロイヤルティ瘟は稱家ごとに般うという。
