ノリタケ、�X(qi│n)膨張率を下げたCuペーストをNEDOプロジェクトで開発
ノリタケカンパニーリミテドは、NEDOの�мqを�pけた「低炭素社会を実現する新材料パワー半導��プロジェクト」において、ファインセラミックス�\術研�|組合の�k�^として、�a(b┳)度サイクル試�xに��(d┛ng)いCuペーストを開発した。-40〜+250℃を1000�vクリアしている。
図1 ノリタケが開発したCuペースト セラミック基��にCuを��けてもはがれない
このCuペーストは、SiC MOSFETやSi IGBTなどのパワー半導��と�X(qi│n)伝導率の高いセラミックの間や、放�X(qi│n)フィンとセラミック基��との間に塗る接��剤。��来、最�j(lu┛)250℃という高い�a(b┳)度サイクルを繰り返すと、接��剤が���`することがあった(図1)。原因は、セラミックとCuとの�X(qi│n)膨張率の差が�j(lu┛)きいためであった。Cuの�X(qi│n)膨張係数は17ppm/℃、これに�瓦靴謄札薀潺奪�は3~7ppm/℃、SiNセラミックだと4ppm/℃と�j(lu┛)きく違う。
このCuペーストは、直径数µm単位のCu��子に膨張係数の差を緩和するためのフィラー材を充填し、�~機溶剤に溶かしたもの。フィラーは数%で効果があるという。セラミックとの接��には、Cuペーストを塗った後、500℃以下で焼成し�wめている。Cuペーストの�X(qi│n)膨張係数は11ppm/℃とCuプレートよりも下がった。
図2 SiNセラミックにCuペーストでCuプレートを��けたサンプル
ノリタケは、セラミック基��（SiNやAlNなど）にCuペーストを塗りCuプレートを積層した構�]のテストサンプルを作り(図2)、�a(b┳)度サイクル試�xを行った。パワーエレクトロニクスの実��基��への応��を狙っている。
