テスト時間�]縮、高�]DRAMやRF�v路への�官�も��ぐヴェリジー
高周�S�R定�_でかつて定�hのあったヒューレット-パッカード社から1999�Qスピンオフしたアジレントテクノロジーだが、さらに2006�Qスピンオフしたヴェリジー社が高�]メモリーのテスターV93000プラットフォームや、53,000本以�屬離廛蹇璽屬鮖箸辰�1�vで試�xするテスターV6000メモリー専��テスターなど進化させている。
ヴェリジーのスケーラブルなプラットフォーム����戦�S
ヴェリジーはこれまで、V93000テスターをミクストシグナルからハイエンドCPU、高�]のメモリーへと幅広く�官�してきた。ユーザーからの要求に応えようとして、プラットフォーム�擬阿砲茲�1��の基本テスターをベースに改良しながら、新機�Α⊃�����性�Δ鮗{加してきた。顧客である「��湾のASE（日月光）やSPILなどはいつもアップグレードするように要求してくるため、プラットフォーム戦�Sを立てることにした」とヴェリジー社戦�S的マーケティング担当VPのマーク・アリソン（Mark Allison）��は言う。
V93000システムはすでに2200��出荷され、半導��メーカーや組み立てメーカーに納められている。中でも、SoCに組み込まれたRF�v路向けに、ポートを拡張できるRFシステムは250��設��されている。もともと高周�Sのネットワークアナライザで実績のあったH-Pの出身だけに、高�]・高周�Sへの拡張にも�官�している。スピードでは100MHzから、200、400、800MHz、さらに3.6Gbps、12.8Gbpsなどへと拡張してきた。ピン数では256ピン、512、1024、2048ピンへと拡張、並�`テストできるデバイス数も、1、2、4、8、16、32、64、128、256サイトへと�\えている。この�T果、テストできるデバイスのアプリケーションも、ウェーハ分類わけから始まって、パワーマネジメント、ミクストシグナル、RFIC、ハイエンドグラフィックス、GPU、MPU、高�]メモリーへと拡がっている。今やスマートフォンに使われるICのかなりの�霾�の�v路を�Dり扱えるようになっている。
今�v、DDR3、DDR4のこれからの高�]DRAMをテストするためのテスターV93000 HSM3Gを発表した。CRCデータ�收�機�Δ鬟汽檗璽箸靴討�り、プログラム可�Δ淵僉璽團鵐◆璽�テクチャのAPG（Algorithmic Pattern Generator）を�△┐討い襦�さらに、256チップのDDR3 DRAMを同時に2.9Gbpsのデータレートでテストできる。
メモリー専��のテスターV6000では、通常の性�Ε謄好箸鵬辰�、テスト容易化設��、BIST（Built-in Self Test）も可�Δ淵謄好肇癲璽匹��△┐討�り、DRAM、SRAMだけではなくNOR/NANDフラッシュもテストできる。同社はタッチダウンテクノロジーズ（Touchdown Technologies）を�A収し、MEMSを使ったそのプローブカードもセミコンウェストで発表した。
これはウェーハ�屬砲△�DRAMチップを1�vのプローブで同時に�R定してしまおうというもの。これまではステップ-アンド-リピート�擬阿如�1��のウェーハ�屬離船奪廚魏��vかに分けて1��のウェーハのメモリーをテストしてきたが、このMEMSプローブを使えば1�vでテストできる。MEMS�\術で300mmウェーハ�屬坊狙�したプローブ数は5万と10万と極めて�Hい。ただし、プローブ数が�\えるほどコンタクト圧��を高くしなければMEMSプローブ��てを抑えることができず、5万プローブで100kg、10万プローブで200kgの圧��をかけることができるという。200kgという値は��争��のある数�Cだとアリソン��は�O信を�eって語る。
