LEAP、稍帶券拉メモリTRAMの肋紛回克を澄惟
畝你排暗デバイス禱窖甫墊寥圭∈LEAP∷は、Te∈テルル∷を蝗うカルコゲナイド亨瘟を畝呈灰に姥霖させた鳥鉤房メモリであるTRAMの妄俠モデルを菇蜜、拉墻や久銳排蝸羹懼のための肋紛回克を澄惟した。これをIEDM∈International Electron Device Meeting∷でレポ〖トした。
哭1 カルコゲナイド畝呈灰を蝗ったメモリの付妄モデル 叫諾¨LEAP
GeTe/Sb2Te3の畝呈灰菇隴のメモリが瓢侯排暗の你負と光廬スイッチングが材墻であることを、セミコンポ〖タルはすでにレポ〖トした∈徊雇獲瘟1∷。これまでは、Geが畝呈灰柒を敗瓢することで、你鳥鉤と光鳥鉤の覺輪を蓮敗する、という年拉弄な妄豺であった。海攙、Ge付灰が畝呈灰の面を敗瓢する箕の呵井のエネルギ〖沸烯と、畝呈灰柒の排操との簇犯を媽辦付妄紛換によって滇めた。この馮蔡、介袋覺輪のGe-Ge粗の調違が沒い覺輪では、排灰はGe-Ge粗にたまり、鳥鉤が光くなり、バイアスをかけてGe付灰票晃が苞き違される覺輪になるとGeの敗瓢數羹に排灰が尉莢粗で負警する、ことを澄千した(哭1)。
これを悸沮するため、LEAPは更さ眶澆nmと活瘟を泅く猴り、TEM∈譬冊房排灰覆腮獨∷を奶して囪弧した(哭2)。するとGe-Te馮圭のねじれた覺輪が斧られ、Ge付灰が敗瓢している屯灰がわかった。
哭2 GeTeの霖にGe付灰芹誤のねじれを囪盧 叫諾¨LEAP
このことから、Ge付灰がTe付灰よりも警なく、付灰鄂功が驢い畝呈灰だとGe付灰が敗瓢しやすく、你エネルギ〖での蓮敗がおこりやすい、とLEAPは雇えた。このため、GexTe1-x/Sb2Te3という畝呈灰菇隴で、x > 0.5ないしx = 0.5よりもx < 0.5にしてGe付灰の鄂功をある鎳刨侯る數がGe付灰は瓢きやすいはずだと雇えた。そこで、驕丸寥喇のx = 0.5とx < 0.5の畝呈灰を侯瀾、孺秤し、排丹弄潑拉を盧年した∈哭3∷。
哭3 Geの鄂功を侯ると瓢きやすくなり蓮敗排暗を布げられる 叫諾¨LEAP
哭3に績すように、你鳥鉤から光鳥鉤、そしてその嫡の冊鎳に澀妥な排暗はいずれの眷圭も、驕丸のx = 0.5の亨瘟よりも排暗は你くなった。你鳥鉤から光鳥鉤へは、驕丸寥喇だと1Vだったのが0.7Vに布がり、光鳥鉤から你鳥鉤へは驕丸1Vだったが、ここでは0.6Vに布がった。
裁えて、錢による逼讀ではないことを澄千するため、錢帕瞥唯の佰なる亨瘟を恃えてみた。その馮蔡、光鳥鉤になる排暗はどの錢帕瞥唯の亨瘟を脫いてもほとんど恃わらなかった。
LEAPは海稿、メモリとしての瓢侯を澄千する侯度に緬緘する。この數及でメガビット甸のメモリは瀾侯材墻だという。ただし、絡推翁メモリを侯る漣に、鎢儡セルとの闖灸や、恃步する撾拌としない撾拌の銅痰、バラつきなどについても澄千していく。NANDフラッシュのSSDよりも100擒光廬という潑墓を欄かした炳脫をLEAPは玫っていくとしている。
徊雇獲瘟
1. 糠房陵恃步メモリをTRAMとLEAPが炭嘆 (2014/02/18)
