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湾TSMCが28nmのデザインキットを揃える、14をテープアウト完了

湾のファウンドリTSMCが28nmプロセス向けのデザインツールキットを発表、その詳細をらかにした。28nm設というArFレーザーS長のおよそ1/7しかないような微細な∨,波焼ICを作るとなると、設図をいかに実颪離譽献好肇僖拭璽鵑Zづけられるか、がj(lu┛)問となる。それを解するDFM(design for manufacturing)は、初期のパターンや電気性だけではなく、信頼性予Rまでも行う。

図 TSMCの新腓砲△Fab12 28nmプロセスはここから始まる 出Z:TSMC

図 TSMCの新腓砲△Fab12 28nmプロセスはここから始まる 出Z:TSMC


ファウンドリビジネスは、いかにl富なIPライブラリや設・検証ツール、サポートU(ku┛)をDえているかが成功のカギを曚。ファウンドリが設ツールを揃えただけで、IDMになるのではないかと予[したアナリストらがかつていたが、今はもうそのようなバカげたことを言う人たちは見なくなった。ファウンドリは科な設ツールをeっていなければICユーザー、ファブレスICメーカー、IDMなどのR文をpけることができない。メンター、ケイデンス、シノプシス、どこのツールやモデルを使ってもマスクをWき]できるξがファウンドリには不可L(f┘ng)である。

TSMCはEDAベンダー、IPベンダー、デザインハウス、]メーカーなど半導関連企業とエコシステムを組んでおり、どのようなユーザーからのR文でも、またどの設レベルからもpけけられるが、28nmプロセスでもこのようなU(ku┛)を築いたといえる。28nmプロセスの設インフラツールとして、DFMだけではなくSPICEモデル、ライブラリ、iPDK(駘設キット)やiDRC(設ルールチェック)、IP、リファレンスフロー12.0、AMS(アナログ&ミクストシグナル)リファレンスフロー2.0、デザインサービスなども揃えた。これらの「28nmツール」を使い、ARM Cortex-A9やA15などを含む89|もの半導チップの量の設を進行させているという。このうち、14の設はテープアウトを完了し、k陲2Q(2四半期)から量に入っている。

設ツールを使ってTSMCプロセスに合うように設をTするlだが、`Wとなるh価パラメータはPPA(性Α消J電・チップC積)である。TSMCのシリコンプロセスを使って最適となるPPAを求めるための仕組みがTSMCのOIP(オープンイノベーションプラットフォーム)である。このOIPに28nmプロセスが使えるようになったというlだ。

TSMCのリファレンスフロー12.0バージョンは、DFMやタイミング、低電設等来のリファレンスフローを充実させると同時にESL(electronic system level)設やSiインターポーザなどの3D ICにも適できるようになっている。に、シリコンLSIの設の最岼未僕茲ESLレベルまで立ち返って設データをTし、高い歩里泙蠅]できるようになった。TSMCはO社で開発したPPAモデルをESLの設環境に組み込み、最初の設段階から最適なPPAをuられるようにした。ESLでは抽(j┫)度を屬押▲織ぅ潺鵐飴@度を緩くするLT(loosely timed)をプロセッサモデルなどに使い、ハードウエアとソフトウエアの開発を同時並行できるようにしておき、その後AT(cycle accurate)でアービトレーションなど細かいタイミングをチェックする。

DFMエンジンは40nmからの長であり、v路パターンの長をライブラリに保Tしておき、例えば二つのパターンがくっつきやすい場所や`れやすい場所などをホットスポットとしてQめておく。駘設のDGS II設データのパターンと、ライブラリのパターンとを比較し、ホットスポットを瑤蕕諮Tする。TSMCはDFMサービスも提供するが、Qに1v度しか設しないユーザーにはケイデンスなどへDFMサービスを直接依頼してもらう。

AMSでも当初は28nmのデザインキットを使って設していくが、アナログはこれほどの微細パターンをそのまま]するとバラつきがj(lu┛)きくなるため、ポリシリコンの幅を広くとることで棺茲垢。デバイスのSPICEモデルに合った幅に変え、T局は広くすることになる。例えば差動\幅v路では入のオフセット電圧Vの幅をどこまですか、バジェットを与えてh価する要がある。AMSリファレンスフロー2.0では、DFMはもちろん、デザインルールのU(ku┛)限(RDR)や信頼性の基に合っているかどうかのチェック、v路レベルでの放o(j━)ノイズ、寄暘B^値の予Rなどを含んでいる。

信頼性を考慮した設では、v路パターンが時間と共にブリッジをこす可性のある場所をTするとか、配線B^の\加によるIRドロップからエレクトロマイグレーション命を予Rする、MOSトランジスタのVt劣化を予[することができる。

28nmのプロセス工場は新腓砲△Fab12(図)で始める。中ではFab15を建設中で2012Q1四半期に攵を開始する予定だ。の信頼性試xを行い、28nmプロセスでの1000時間の加]試xを終えてから出荷する画だ。

(2011/06/28)
ごT見・ご感[
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