英ケンブリッジ�j(lu┛)学CIKC

英国���Bには、�j(lu┛)学の研�|や�\術分野をビジネスにつなげるための組�Eがある。�駘�学と�\術工学分野において、EPSRC（Engineering & Physical Sciences Research Council）と�}ばれる組�Eが英国の�j(lu┛)学の研�|に�@金を提供する。ただし、ビジネスにつなげるための研�|に限られており、�j(lu┛)学の研�|が社会経済��動に直�Tするようにとの配慮からきている。CIKCが担う研�|開発レベルは、��(sh━)NASAが定めた、以下のTRL（����化までに���△垢戮��\術レベル：Technology Readiness Level）でいえば、レベル3とレベル5の間、すなわち科学の検証から試作��のデモまでをケンブリッジ�j(lu┛)学CIKCが担当する。

TRL（����化までに���△垢戮��\術レベル）

EPSRCは�j(lu┛)学に�瓦靴董⊆唾�化するための�@金を、5�Q間の期限��きプロジェクトとして提供する。提供を�pけるCIKCは、�噞�cと�j(lu┛)学双��(sh┫)からの専門家や研�|�v、��(l━)在的な顧客、使��するスペース、��業するための環境などを統合してまとめる。CIKCは�\術ロードマップや見通しを定�Iし、�\術プラットフォームを提供し、�\術的に可�Δ任△襪海箸鮗他擇垢襦�さらにビジネスをサポートする。「CIKCではEPSRCの�@金をすでに3�Qに渡って�pけており、残り2�Qとなっている」とCIKCディレクタのChris Rider��(hu━)は述べる。

英ケンブリッジ�j(lu┛)学CIKCのディレクタ、Chris Rider��(hu━)

CIKCの�\術テーマは、低�a(b┳)プロセスで作る�j(lu┛)�C積のエレクトロニクスとフォトニクス、そしてLCOSのような��来基���屬吠未虜猯舛筌妊丱ぅ垢魴狙�する新プロセス�\術である。����的には�陵枦澱咫▲妊�スプレイ、照��、スマートパッケージング（包�∪Lにセンサーを搭載し包むべき����(j┫)�颪両霾鵑鯑匹燹法▲好沺璽肇Ε�ンドウ（ガラス�X表�Cに電子�v路を形成し情報を�mめ込む）、RFID、センサーシステム、光配線などがある。これらは印刷�\術すなわちプリンティング�\術で形成する。もう�kつのLCOS（Liquid crystal on silicon）�\術では、シリコン�屬坊狙�した�]晶にホログラムを作��し、位相変調をかけて�]晶すなわち偏光素子に画�気鳬mめ込んでおく。�k見すると�]晶画�C�屬魯離ぅ困里茲Δ砲覆辰討�り画�気聾�えない。この�]晶に光を当て、位相変調かけて復調することで画�気鮑遒襪箸いΕ妊�スプレイデバイスだ。詳しくは以下の記��を参照。

����的なプロジェクトは、CIKCだけではなく、さまざまなパートナーズと、�@金問��も含め組んでいる。フレキシブル基���屬忘遒襯廛薀好船奪��陵枦澱咾粒�発や、�~機TFTトランジスタ、透��な基���屬忘遒詁���導��や無機TFTトランジスタ、�W定で�Wいポリマーを�W(w┌ng)��した光配線などのテーマを進めており、すでにフェーズ2を��(c┬)ぎたところだという。

フェーズ2のテーマ

印刷�\術を主��に作る場合でも0.1μmを切るような微細なゲート長を実現する、セルフアラインメント��(sh┫)式のソース、ドレイン形成�\術をすでに開発している。これは金のナノパーティクル（微��子）を含むインクでドレインを形成した後に�|燥させ、�wれ性の高い材料でその�屬��戮Α�そして同様のインクをドレイン�覦茲膨_なるように��(k┫)らしてソース�覦茲魴狙�し、�|燥した後にやはり�wれ性の高い材料で�戮Δ函▲宗璽�-ドレイン間隔が50〜400nmと微細なFETが出来�屬�る。チャンネル長200-400nmのFETを試作した例では寄�斃椴未�0.3〜0.6pF/mmと小さくなったため、5V動作で最�j(lu┛)動作周�S数は1MHz以�屐△箸い�実�x�T果だった。

また、HiPZOTプロジェクトでは、ZnOトランジスタ（n型）を基���a(b┳)度50℃以下のRFマグネトロンスパッタリングで形成し、10cm2/Vsとプラスチックベースのトランジスタよりも1ケタ高い電子�‘暗戮鰓u(p┴ng)ている。

CIKCは、フェーズ3でのプロジェクトに参加し、コラボレーションする相�}を探している。