図1　模型の�O動運転�Zで�Z�U入れをデモ　出�Z：ルネサスエレクトロニクス

いくつか紹介する。ルネサスはまるで半導��メーカーからソリューションプロバイダーへ転身しているかのような�t��だった。まず、クルマ��の半導��チップよりもそれを使った�W(w┌ng)��シーンに�_きを��いた。まず�O動駐�Zシステムだ。ここでは、模型の�O��運転�Zを作り(図1)、�O動駐�Zをデモした。空いている駐�Z場の情報をクラウドに�屬�、その場所の情報をクルマが�pけ�Dると、その駐�Z場を�`指して�O動運転で走行する。もちろん、バックで�Z�Uに入れる。これには�U(ku┛)御��マイコンと認識・判��機�Δ魴eつSoCの両��(sh┫)を使っているが、マイコンのことは�喞瓦擦坤襯優汽垢��O動運転�Z向けの半導��を�eっていることを暗に匂わせている。

もう�kつはコックピットにAR(拡張現実)を使ったデモである(図2)。デモでは、��の濃い�X況を走行する場合を�[定している。遠くが見えないが、ここにARを導入して遠��(sh┫)に見えるはずの映�気鯢戎�する。ARは現実のシーンに仮�[的なオブジェクトを�_ねる�\術である。これらを�_ねて、��ての情報をフロントガラスに表��するというヘッドアップディスプレイ（HUD）を�W(w┌ng)��する。�i��(sh┫)のクルマや人、バイクなど衝突����(j┫)�颪鬟譟璽澄爾覆匹埜―个掘△修譴��i��(sh┫)画�Cに�_ねてARで表��するというもの。

図2　ARを�W(w┌ng)��したルネサスのHUDコックピット

�\術的にもボディやシャシーなどの�U(ku┛)御�Uにおいて、IGBTインバータとドライバ、マイコンによるコントローラの��つのボードをスタックし実�¬�度を�屬欧織僖錙璽ぅ鵐弌璽燭�、インバータ内�泥癲璽燭覆匹碾t��した。これらは、��(j┤ng)来本格化する電気�O動�Z（EV）に向け小型化したモジュールやインバータである。これを�Г┐詒焼���として、例えばRH850マイコンは、1チップで�~動��のモータと�v�效�のモータ(ジェネレータ)を同時に�U(ku┛)御できる。いわばテクノロジーに裏�]ちされたソリューションと言えよう。

ファブレス半導��トップのQualcommは、EVのワイヤレス充電�_(d│)を�t��、充電パワーを��来の3.6kWから7.4kWに�屬欧申偲泥皀献紂璽襪鵁t��した(図3)。Qualcommの無線�\術は、PHV（プラグインハイブリッド）やEVを充電するのにも使われる。�駘�的にプラグを差し込む�lではないため、ハードウエア形�Xの�Y��化は��要ない。日���O動�ZのEVリーフは国内の統�k��格CHAdeMOに�pって充電�_(d│)が作られているが、ワイヤレス充電は充電�_(d│)の�屬縫�ルマが�Vまるだけ。クルマ�笋僚偲冬_(d│)(�p信パッド)と駐�Z場の送信パッドとの間の�{(di┐o)�`は、����によるが80~250mmの�J(r┬n)囲で電��が伝送されるとQualcomm Europeの��業開発&マーケティング担当VPのAnthony Thomson��は言う。ワイヤレス充電�_(d│)を�Dり��けたリーフを�t��していた。

図3　Qualcommが開発したダブルコイル��(sh┫)式のワイヤレス充電パッド　�^真の下��

Qualcommは2015�Qの8月にはBMWのEVであるi8スポーツカーに7.2kWのワイヤレス充電を行うと発表したが、今�v、カーエレ�tで�t��した充電�_(d│)は7.4kWで、リーフに適��した。これは、ダブルコイル�\術によって充電パワーを2倍に�屬欧��p信パッド。図3の下の2�_コイルが新����、�屬���来の3.6kW��。磁気共鳴�\術を使い、X・Y��(sh┫)向のずれをそれぞれ±100mm、Z��(sh┫)向(�貭�)には85±20mmまで��容する。共鳴周�S数は85kHz。この周�S数は、ノイズや高周�S��性、入�}しやすい����などを考慮して��められている。

ダブルコイルを使うと、中心の位��で磁�Jが二つのコイル同士の�T合により磁�J密度が高まり、�e��(sh┫)向に磁��線が流れ、Z軸��(sh┫)向の�{(di┐o)�`を�nぐことができるという。磁��が�咾泙辰燭海箸�、最初の����と同じ�C積で2倍の電��容量を�uることができた。QualcommはこのQualcomm Halo�\術をライセンス供与する。すでにポーランドの伝送メーカーEfacec社やドイツのBrusa社に供与する契約を�Tんでいる。もちろん、まだ��らかにできない企業とも交渉しているようだ。

ON Semiconductorは、ヘッドライトの単なるオンオフ切り��えではなく、�憾��Zにはライトがまぶしくならないように、�憾��Zに当たる�隶未世韻魄鼎�する�\術をデモした(図4)。これは、これは1.2MピクセルのCMOSイメージセンサから�憾��Zの画素データに合わせて、LEDアレイの中の画素に相当する�霾�のランプを消す(ショートさせる)という�\術。スマートヘッドライトと�}んでいる。イメージセンサのデータとLEDアレイのデータを?y┐n)官�させ、リアルタイムにオンオフ�U(ku┛)御するのにプロセッサが��要だが、デモではPCを�W(w┌ng)��している。

図4　ON Semiconductorのスマートヘッドライティングの試作ボード　�憾��Zの位��をCMOSカメラの画素にマッピングしてその�霾�だけを暗くする

半導��メーカーではないが、EDAベンダーのMentor Graphicsは、クルマのエンジンノイズを��(f┫)らすシステムをデモした(図5)。高級�Zではエンジン音を��(f┫)らすため鉄��で遮蔽しているが、その分�_量が�\す。このため、遮音版を設けなくても�@音を�]ち消し合うようにマイク2��と開発ボードで位相を反転させた。加えて、スピーカーからの音のビームフォーミングによって、運転席で�@音が最も小さくなるようにしている。

新日本無線も�O動�Z分野に乗り出し、パワー半導��の�X�B�^を��(f┫)らすための新しいリードフレームを�t��した(図6)。PMAP（Power Mold Array Package）と�}ぶこのリードフレームにモールドすると、TO-220やTO-252等のパワートランジスタパッケージと同等の放�X性�Δ鮨�すとしている。ティア1メーカーに提案しており、最�Z合格の�h価を�uたという。来�Qには量��できると見ている。

図6　新日本無線の新しいパワー半導����パッケージ　複数のチップを1パッケージに搭載することも可�Δ箸い�