この�\術は、LEDをドライブするためのシリコンCMOSドライバウェーハの�屬縫┘團織�シャル成長した厚さ2μmのGaAs LEDを集積するもの。この�\術を使えば、�QLEDとドライバをボンディングワイヤーでつなぐ��要がないため、実���C積が小さくなるだけではなく、1��のGaAsウェーハから�DれるLEDチップの数を5倍以�屬箸譴襪燭��攵掚が�屬�った。

これまでのLEDプリンタヘッドは、CMOSドライバとGaAsのLEDを�kつの基���屬忘椶察△修譴召譴鬟椒鵐妊�ングワイヤーで1本ずつつないでいた。ボンディングワイヤーの数は膨�j(lu┛)になり、使��するGaAsLEDチップはボンディングパッドを設けなければならないため、�j(lu┛)きくならざるを�u(p┴ng)なかった。LED発光�陲離汽ぅ困�例えば20μmであるのに�瓦靴董�LEDアレイチップの幅が350〜400μmにもなっていた。

沖デジタルがエピフィルムボンディング（EFB）と�}ぶこの�\術は、GaAs基���屬坊狙�する厚さ2μmのLEDエピタキシャル層をチップとして��がし、シリコンのCMOSチップの�屬膨イ蟾腓錣擦襪海箸妊轡螢灰��屬�LEDを形成する。この�\術は、LEDにボンディングパッドを設ける��要がないためアレイの幅を70μm��度ですむ。この�T果、GaAsウェーハ1��当たりに使えるLEDチップの数が5倍以�屐⊆尊櫃砲�10倍��度�\えたという。LEDとCMOSチップとは、CMOSプロセスの通常のAl配線形成により接��する。

LEDエピタキシャル層をGaAs基��からはがす場合には、エピ層と基��との間にある犠牲層をエッチングで除去することで、LEDエピ層を�Dる。その後、シリコンのCMOSドライバICに接��する�lだが、Siウェーハの張り合わせ�\術と同様、ファンデアワールス分子間��で接��するとしている。シリコンとLEDエピ層との間にバッファ層（スムージング層）を導入しているのは言うまでもない。実際の�攵妌��では、�攵掚を�屬欧襪燭癈H数のLEDエピ層を�k度にボンディングしているが、その詳細は��らかにしない。

LEDプリンタヘッドへの応��では、LEDをこれまでよりも密に並べることができるため、分解�Δ旅發ぐ��C(j┤)が可�Δ砲覆襦�600dpiのA4サイズのLEDプリントヘッドでは、192個のLEDを並べたLEDアレイチップを26個並べている。このため、192ドット×26チップ＝4992ドット、すなわち約5000ドットのLEDが1�`に並んでいる。新型LEDアレイでは192個のLEDが配�`できる長さ（約8mm）のドライバICチップの�屬縫┘團侫�ルムLEDアレイをボンディングしている。

LEDプリントヘッドの量��では、約5000ドットを構成する��てのLEDが良好な��性と高い信頼性を�eたなければ、����として不合格となるため、月��で10万〜20万個のプリントヘッドを量��しているということは、この�\術が高い����と信頼性を�eつLEDアレイを作��できる実���\術として確立していることになる。�x販のLEDプリンタにこのLEDプリントヘッドが搭載されている。

今�vの�\術は、「エピフィルムボンディング�\術の開発初期の段階で、ナノテク�мqの拠点である広���j(lu┛)学（Hiroshima University www.hiroshima-u.ac.jp/index.html）のナノデバイス・システム研�|センターとの共同研�|により開発を推進していた」と同社開発���霙垢硫�原光�}��(hu━)は言う。文�隹奮愍�(Ministry of Education, Culture, Sports, Science & Technology)（www.mext.go.jp/english/index.htm）はナノテク�мqプロジェクトで、文�隹奮愍覆�拠点となる�j(lu┛)学に�@金を提供し、拠点となる�j(lu┛)学の施設を�W(w┌ng)��した研�|開発を�мqする、というシステムを�W(w┌ng)��した。

2μmと薄いエピ層をシリコンチップに集積するというこの�\術は、�X伝導率の高い基��あるいはフレキシブル基��へ搭載するといった、新しい応��もありうる。また、プリントヘッドは1次元アレイだが、2次元アレイにLEDを集積して解�掬戮旅發ぅ妊�スプレイへの応��も可�Δ澄�今後の応��は広い。