13日午�i中の基調講演で述べた、��湾ASE グループ社ジェネラルマネジャー兼チーフR&DオフィサーのHo-Ming Tong�F士の内容を裏��けるかのように、この楉鵡Ψ狙�にはパッケージングメーカーだけではなく、メモリーメーカー、材料メーカーまでもがコラボレーションしている。

この楉鵡Δ魯瓮皀蝓璽船奪廚魏申�も�_ねるのに威��を発ｧする。DRAMだけではなく携帯電�Bに応��されているようにDRAMとフラッシュメモリーを�_ねる応��も�Hい。1つのLSIパッケージに入れたメモリー容量をパッケージを厚くすることなく�~単に�\やせるからである。応��は携帯電�Bにとどまらず、PDAやiPod、iPhoneなど映�気箍��気鯑Dり込む携帯デバイスなどにも��(ji┐n)要がある。メモリー容量は�Hいのに越したことはない。

この楉鵡Δ鬟ΕА璽魯廛蹈札垢虜埜紊坊狙�する場合にはリスクが高くなる。失�`が��されない。かといって最初からウェーハを削るわけにはいかない。割れるリスクが伴うからである。Avizaのプロセスはウェーハプロセスの比較的始めの段階で深い溝を�Eり、その中に金�錣鳬mめ込み楉姪填砲魴狙�するもの。すでに、直径10μmで深さ125μmという極めてアスペクト比の高い楉鵡Δ魴狙�している。楉鵡Δ賄���ながら�屬�ら下まで均�kな直径で形成されなければならない。�B�^が高くなっては�T味がないからだ。

楉姪填砲蓮▲┘奪船鵐亜�CVD、エッチング、バリヤメタル�\積などの工��を経て形成される。��に深いエッチングを行った後は、コンフォーマルなCVD形成やPVD�\術が�_要になる。深いエッチングにしても、125μmととてつもなく深い溝の形成には、単純なエッチングでは形成できない、と同社PVD,CVD&エッチング����グループ担当副社長兼ジェネラルマネジャーのKevin T. Crofton��(hu━)は言う。エッチング�]度を確保しながら、エッチングとデポジションを繰り返しながら穴を�Eって行くのだという。

この楉鵡Δ侶狙�は単なる実�xではない。パッケージングアセンブリメーカーと、IDMやファウンドリなどの半導��メーカーともコラボレーションして、要求仕様を聞いている。Crofton��(hu━)は、今LSIパッケージングの80%はワイヤーボンド�\術で電極を�Tんでいるが、5〜10�Q後には50%が楉姪填砲砲覆襪箸澆討い襦�