次のキラーアプリは�O社の�u�T分野に求めるIntel、TI
次の応��（キラーアプリ）に向けた�\術的な�Dり組みが次��に見えつつある。先週のニュースから��Intel社のポストPCと、��Texas Instruments社のポスト携帯電�Bを探る動きを紹介する。加えて、3次元積層�\術の実��化切符を早く�}に入れるために東�B�@密が開発���Uを�啣修靴討い襦�
モバイルPCでIntelのライバルはアームに
最�Z、�毫x場調�h会社であるIn-Stat社がまとめたレポートによると、Intel、AMD、IBMの��争形��が少し変わり、今後ARMも加わると見ている。Intel社のCEOであるポール・オッテリーニ��が定めるキラーアプリは、ウルトラモバイルPC（UMPC）およびモバイルインターネットデバイス（MID）、新興�x場狙いのPCの��つである。��に�i�v2つの応��は、低消�J電��化が�Lかせないため、��合相�}はARM社になってくる。
Intel社がMIDなどのモバイルインターネットコンピュータを推進していることとWiMAXを推進していることとはセットである。WiMAXは半径10kmあるいは50km��度で70Mbps��度のデータ伝送のできるネットワークシステム。WiFiの��長で通信�{�`を�Pばしただけともとれるが、RF�\術としては��数のアンテナで�p信�X況を相��うダイバーシティアンテナや、OFDMのような高効率のデジタル変調�\術などが��要となる。通信キャリヤが提供する3Gネットワークを使わずに独�OにWiMAXネットワークをセルラーのように構築する��要があるが、3Gネットワークができていない�L外ではWiMAXと3G構築とはほぼ同じ土俵に�屬�っているといえよう。
AMDはこれまでのIntelとまともに戦うのではなく、高性�Δ鯒笋��颪砲垢襯后璽僉璽灰鵐團紂璽謄�ング�\術へとシフトしたり、ATI�A収による高性�Δ淵哀薀侫�ックスアクセラレータのような分野へと�，辰討い襦�CPUなどのプロセッサに�瓦靴董�APU(アクセラレーテッドプロセッシングユニット)と�}んでいる。
IBM社はPOWERプロセッサアーキテクチャをこれからも推進する。��にサーバーとゲーム機などの�c�攜�けの応��である。3�jゲーム機、すなわち任�W堂Wii、ソニーのプレイステーション、MicrosoftのXBoxはすべてIBMのPOWERアーキテクチャチップを使っている。ただし、In-Statは、IBMは���]コスト高、��しい��争、ビジネスモデルの変��などによって、10�Q以内に半導��ビジネスから�}を引くと見ている。
新たにARM社がIntelのウルトラモバイルデバイスで��争��化を�dくとみている。この調�hレポート「Intel Competitor Line-up: Challenges to the industry Leader」の価格は1,995�櫂疋�。
TIはOMAPの新応��を見い出す
��TI社は、携帯電�B�x場だけでなく、音楽プレイヤーや家庭��医��機�_などに使えるチップを発表した。ワイヤレス�x場で��Qualcomm社と��しい��争を繰り広げるTI社はDSPプロセッサにさまざまな機�Δ鮟言僂靴�OMAP����の応���J囲を広げていく。OMAP3500はグラフィック機�Δ���長とし、ナビゲーションや医��画������、音楽プレイヤーなどに向くという。
CDMA通信�擬阿派�広い����を�eつQualcommは、2007�Q��1四半期にTIが�u�Tとしていたワイヤレス�x場に参入し、�毫x場調�h会社のiSuppliによると2007�Q��には308億ドルという携帯電�Bチップ�x場の18.2％の�x場シェアを�耀uした。これに�瓦靴�TIは16％シェアだったからQualcommに�sかれたことになる。
2Gまでの携帯電�Bでは、CDMAのQualcommに�瓦靴�、欧�Δ覆匹�GSM�擬阿鮑涼�していたためどちらかといえばQualcommは孤立していた。しかし、3G時代は、CDMAの��長である、CDMA1xさらにはCDMA1xEV-DOへと�々圓靴討い�と同時に、GSMグループや日本のNTTドコモグループがW-CDMAを採��している。この�擬阿�Qualcommが基本����を�eつとしているため、どちらの�擬阿任�Qualcommに����料を��払うことになる。Qualcommは3G通信の「マイクロソフト」にもはやなっている。
モバイルPCにせよ、携帯電�Bにせよ、鍵となる半導��は高密度実�△任△�、高集積化である。東�B�@密はチップを楉姪填砲任弔覆�合わせる3次元実���\術を�啣修垢襦�3次元実���\術にはウェーハを25μmまで薄くすると新聞では伝えているが、薄ければ薄いほど楉姪填砲老狙�しやすくなるが、反�C割れやすく加工しにくい�Cも出てくる。電極形成�iの��浄、シリコンエッチング、電極メッキなどさまざまな形成�\術が��要となる。
そこで、�櫂縫紂璽茵璽��Ε▲襯丱法爾砲△�SEMATECHの3次元配線プログラムに参加することを��めた。このアルバニー�j学のCNSE（College of Nanoscale Science and Engineering）では、ウェーハの薄形化が�u�Tな東�B�@密を��迎するコメントを発表している。
