日本経済新聞の10月9日朝刊によると、携帯電�Bの出荷が8月は�i�Q同月比でなんと48%も��(f┫)少したとJEITAは発表した。これは��数ベースだが、�Aい��え��要が落ち込んだせいらしい。携帯電�B通信業�vが昨�Q以�T、初期価格を極端に�Wくするゼロ��携帯を排除し、�L外の携帯電�Bメーカーと歩調を合わせる��(sh┫)式を導入してきた。携帯電�Bの販売価格が高くなったため、2�Q契約の割賦販売が�Hくなり、2�Qという�|りが��(d┛ng)くなり�Aい��えが��(f┫)ったということだ。いろいろな高機�Δ���け、1機5万��となれば売れなくなることは当初から予�[されたことであり、これ�O��は世�c恐慌とは直接関係しないが、�x場の後��はメーカーにとってはダブルパンチとなる。携帯電�Bでは好調を維�eしてきたシャープでさえ、2008�Q4~6月期の売�屬����i�Q同期比で38%��(f┫)だという。

携帯電�Bの売れ行き不振に伴い、NANDフラッシュメモリーの値下がりも顕著になってきた。今�Qの1月に単価8ドルの16Gビットフラッシュが3月に6ドルに低下、8月には4ドルだったのが、9月には2.5ドルにまで低下した。携帯電�Bだけではなく携帯音楽プレーヤーやSDカードなども低調だとして、供給��(c┬)剰感が��(d┛ng)まり価格は下落した。

NANDフラッシュに莫�j(lu┛)な投�@をしてきた東��は��業の見直し、てこ入れを�g��に行ったという記��も7日に出ている。四日�x工場の��1���]棟の�攵�ラインを来�Q3月に閉鎖する予定だったが、このほど閉鎖し、ここで運営していた200mmウェーハラインを�j(lu┛)分工場へ?c│i)ヾ匹掘⊇j(lu┛)分の150ｍｍラインを早��に200mmに入れ��えを進める。また、個別半導����業は後工��の�L外�攵澋率を現在の3割から6割までに高めるとしている。

��(sh━)マイクロンテクノロジー社はメモリーを��(f┫)��すると同時に2�Q間で15%の��業�^をカットすることを発表している。インテルとの合弁のIMフラッシュテクノロジーズはマイクロンのボイジー工場での�攵�を中�Vし、マイクロンのNAND�攵盋を15%��(f┫)��することになるとしている。同工場は200mmウェーハでフラッシュを�攵�していたため、300mmウェーハで�攵�するよりも収率が�Kく�攵�コストがかかっていた。

�k��(sh┫)で、エルピーダメモリは、STマイクロエレクトロニクスとインテルとの合弁であるニューモニクスとファウンドリ契約を締�T、NORフラッシュを300mmラインで���]する。�v路線幅は45nmを�W(w┌ng)��するとしている。

こういった携帯電�B、NANDフラッシュメモリーの景気後��は、世�cの金融恐慌の表れのひとつと見るべきではないかもしれないが、ここしばらくはエレクトロニクス・半導��の見通しは��して楽�菘�ではない。というのはサブプライムローンに端を発した今�vの金融恐慌に�瓦靴董◆崕o的�@金の�R入」という社会主�I的な措��を講じることで、行き��(c┬)ぎた�@本主�I、金融経済のモラルハザードを食い�Vめることはできるものの、「成長」ではなく「低下を食い�Vめる」ことにすぎないからである。本来の経済成長は、やはり�@本主�I的な�x場経済がドライブするものだと思う。�o的�@金の投入は、あくまでも経済��(f┫)�]を食い�Vめるための措��にすぎない。半導��・エレクトロニクスの先行きが楽�茲鱇�さないと述べたのは、世�c経済が成長しない時期に入るからである。