1月24日の日本経済新聞によると、�O�c党半導��戦�S推進議�^連盟の�兀歃j志�r会長の言��として、���Bがラピダスに出�@することと、�c間が融�@しやすいよう債��保証を��けることを��文化するよう���Bに求めたとしている。これまで���\金として9200億��を出�@することが��まっており、ラピダス設立の時の1兆��かかるという希望をほぼ満たす形になっていた。それが2024�Qになり5兆��かかるということになり、1社に5兆��を���\することになれば、���\金では国�cの理解は�uられない。そこで出�@という形でほぼ国営企業となるが、収�Г溜��Q報告の�o表などが期待される。また�c間からも融�@や出�@を推進すれば�c間企業を維�eできる。���Bが半導��を�мqするのには、かつてのエルピーダメモリの倒��の影�xがある。�k時的なリーマンショックにも拘らず、銀行など金融機関が1��たりとも��さなかった、という�Zい経�xがある。

メモリメーカーとしてSK hynixの業績が絶好調だ。2024�Q����でも�垉邵嚢發�66.2兆ウォンであり、これまで�垉邵嚢發世辰�2022�Qの44.6兆ウォンを軽く�sいた。営業�W益も2024�Qは�垉邵嚢發箸覆辰拭�この業績をけん引したHBMは、DRAMチップを複数��TSV（Through Silicon Via）などで�_ね合わせ、�j容量でしかも高�]のDRAMメモリを実現したもの。

図1　SK hynixの四半期ベースの売�幢Yと営業�W益　出�Z：SK hynixの発表�@料を��纂

�_ね合わせ�@度をはじめ、�Mしい量���\術を初期のHBM1の時代からhynixは頑張ってHBMを仕�屬欧討�た。�k�気�Samsungは�\術が�Mしいわりに�x場の小さなHBMには見向きもせずにDDRの量��に��を入れてきた。AI時代に入るとHBMががぜん見直され、HBM2からHBM3へと高性�Σ修�進む中、hynixのHBMはNvidiaのGPUやAIチップと共に使われた。Nvidiaが�收�AI向けのチップで進むと共に、hynixのHBMも�k緒に使われるため、売�屐��W益が�Pびてきた。�\術的にも�Mしい8��のDRAMを搭載したHBM3Eを24�Q3月に出荷を開始、24�Q4Qには12��のHBM3Eを出し文�C通りHBMでリードしている。24�QのHBM売�幢Yは�i�Q比4.5倍になったとしている。

また、NANDフラッシュメモリ����も好調になってきて企業向けのSSDであるeSSDは、24�Q�����}�i�Q比300%�\（4倍）の売り�屬欧箸覆辰拭���に�j容量のQLC（4ビット/セル）のNANDフラッシュを使った61TB（テラバイト）および122TBのeSSDが好調だという。25�Qもパソコンやモバイルデバイス向けは1桁の低い�気��Pびだが、AIサーバー向けなどは1桁の高い�気��Pび率が期待できるとしている。

HBMの成長性を認識したMicron Technologyは、東広��工場でDRAMウェーハを�攵�しているが、DRAMチップを組み立てHBMに仕�屬欧詼楹陛�な量�妌場をシンガポールに設立すると発表した。新工場を現在の工場に�u接し、2026�Qに�n働を開始する予定。MicronはHBMへの投�@を��け、今後10�Q間で70億ドル（1兆���咫砲鯏蟀@するとしている。

半導�����]材料メーカーは、�盜颯▲螢哨��Δ謀蟀@する。22日の日経によると、JX金�錣�アリゾナ工場でのスパッタリングターゲットの�攵�を2025�Q初頭に本格�n働させる。工場に180億��を投じ、�盜颪任龍ゝ��ξ�を2倍に高める。��菱ガス化学は�J�Tのアリゾナ工場の、��純���┣戎總任��攵��ξ�を2倍�咫〓�純アンモニア水を3倍�咾飽�き�屬欧襦�TSMCの先端工場の水処理を�k�}に引き�pけるオルガノは21�Qに�盜颪暴蕕瓩同超筏鯏世鮴���した。また、ドイツのメルク(Merck)が同�Φ鯏世�2800万ドル（約43億��）を投じ、�攵摚�△了\�咾筝��|開発���Uの�D�△鮨覆瓩討い襦�