中国のファウンドリSMICが7nmプロセスで「Kirin 9000s」を���]したといわれる根拠は、華為が8月��に発売したスマホをカナダの調�h会社TechInsightsが分解調�hした�T果、わかったもの。10月15日の日本経済新聞が報じた。スマホの頭�Nとなるアプリケーションプロセッサ「Kirin 9000s」は、��来の14nmプロセスで���]されたプロセッサ「Kirin 9000」と比べ、チップ�C積が105mm2から107mm2に�\加した。��来チップよりも機�Δ��\えているのにもかかわらず、チップ�C積はそれほど�\えていないことになる。

また、今�vのCD（Critical Dimension）は、TechInsightsがこれまでに分析した5nmプロセスノードのチップで�荵，靴�CDよりも�jきかった。この分析会社は、ロジックゲートピッチや、FinFETのFinピッチ、BEOL（Back-End of Line）の配線ピッチなどから、7nmプロセス、と�T�b��けたという。

実際の�∨，任△�CDと、プロセスノードの7nmという数値とはかなりかけ�`れているため（チップ�屬�7nmという微細な�∨，��T在しない）、TSMCやIntel、Samsungなどのファウンドリメーカーは、エリアスケーリングで表現する（TSMCは密度スケーリングと�}んでいる）。�Q社の�}び�@はまちまちだが、DTCO（Design Technology Co-Optimization）という�}び�@で学術�b文では表現されている。

DTCOでは単位�C積当たりのトランジスタ数で、Xnmプロセスノードと表現する。例えば、単位�C積当たりのトランジスタ数が9000万個/mm2だとTSMCの7nmプロセスに相当する。このトランジスタ数は、Intelの10nmプロセスに�Zい。今�vのKirin 9000sでは8900万トランジスタであったことから7nm相当のプロセスと�}ぶことは�凖�であろう。

図1　建設中のTSMC��1工場　�^真は2023�Q3月時点　出�Z：筆�vの友人より提供

TSMCの�y本��1工場の建設（図1）が��々と進む中、��2工場に�瓦垢誅��Bの予�Qの���△�進んでいる。10月13日の日経によると、TSMCが日本国内で�v路線幅6nmの国内最先端の半導�����]を��画していることがわかり、�y本��2工場で���]するという。総投�@�Yはおよそ2兆��で、経済�噞省が最�j9000億��ほどの�@金�мqを検討するとしている。TSMCの��2工場は、24�Q��をメドに��工し、27�Qに量��を始める見通しで、6nmや12nmの演�Q��のロジック半導��の量��を見込んでおり、ソニーグループなどに販売する��画だという。

�y本にTSMCの工場が完成し、サプライヤやユーザーなどとの�D引が始まることに�△─���湾の中��銀行である��新国際商業銀行が福�K�x内に出張所を��くという��画を13日の日経地�吉任�報じた。日本の関係当局の�R認を�i提に2023�Q�嵌彰�の開業を�`指す。日本に進出する��湾企業法人顧客を�мqする。

九�Δ��y本だけではなく、福�Kや長崎でも半導��人材育成の教育が��発になっている。11日の日経地�吉任砲茲襪函�九���j学では、10月5日に新講座「半導���\術マップ」が始まった。この講座は、6月に九�jが開設した「価値創�]型半導��人材育成センター」が学�雎��攜�けに���Tしたカリキュラムのひとつ。同センターは社会のニーズを踏まえた半導��の材料開発や設��、���]を担うスペシャリストの育成をめざす新組�Eだ。長崎�j学でも11月に「マイクロデバイス総合研�|センター」を開設する。半導��の�v路設��や新素材の開発に加え、�Q�|センサやバッテリなども組み合わせたマイクロデバイスを実社会でどのように����していくかも学ぶ。�y本�j学でも24�Q4月に半導��デバイス工学課��を開設、さらにデータサイエンスなどを��いて����管理に当たる人材を、DS半導��コースで育成する。

�f国のSamsungとSK Hynix、��湾のTSMCはそれぞれ中国内に工場を�eっているが、�O社工場に半導�����]����を�{加投�@することが�盜駭��Bに認められた。�殤��Bは2022�Q10月に半導��の先端�\術を中国に導入するのを���Uした。いわゆるオクトーバーセブンである。�盜駭��Bは�f国2社に�瓦靴�1�Q間の猶予期間を設定していた。今�vの��可によって、�盜馮焼������]����メーカーは�f国2社とTSMCの中国工場に����を��別な申�个�なくても輸出できるようになる。