肌のシリコンサイクル晾う染瞥攣抨獲が寵券、ダイキンが極家チップを瞥掐
沒袋弄に染瞥攣肥丹はやや布慣丹蹋になり幌めているが、染瞥攣は面墓袋弄には喇墓する緩度だとの千急が年緬し幌めている。鄂拇のダイキンが迫極染瞥攣チップを何脫、SK Hynixが15名ウォンを抨獲、躥柜柒の供眷を橙磨する。染瞥攣コンテンツが擒籠する排丹極瓢賈∈EV∷がトラックにも舍第、EVや浩欄材墻エネルギ〖に喇墓が斧哈まれるSiCパワ〖染瞥攣ファミリ〖を澎記が籠やす。
面柜でのロックダウン笆慣、面柜サプライチェ〖ンに恃拇が彈きている。ダイキン供度は、面柜リスクを負らすため、2023鉗刨面に銅禍に面柜瀾嬸墑が痰くてもエアコンを欄緩できるサプライチェ〖ンを菇蜜する、と9奉21泣の泣塑沸貉糠使が鼠じた。面柜の嬸墑拇茫唯を20鉗の35%から21鉗には20%まで苞き布げたが、懼長ロックダウンの逼讀を減け欄緩が負警した。士撅箕は面柜瀾嬸墑を拇茫しながらも銅禍には戮孟拌からも拇茫できる攣擴が澀妥と冉們した。
裁えて、臼エネなどエアコンの面乘怠墻にかかわる嬸墑は柒瀾步する。22泣の泣沸はさらに僻み哈んで、鄂拇怠達に烹很する染瞥攣に、極家で慌屯を瘋めた潑廟墑を瞥掐する、と鼠じた。鄂拇怠達の臼エネ拉墻を光めるため、柜柒嘲の染瞥攣肋紛柴家やファウンドリと寥み、2025鉗から辦嬸の瀾墑に潑廟の染瞥攣を何脫する。經丸弄には鄂拇怠鏈攣の染眶に潑廟墑を烹很する雇えだとしている。
躥柜のSK Hynixは、藍劍輝にあるNANDフラッシュの供眷を橙磨するため海稿5鉗粗で15名ウォン∈腆1.5名邊∷を抨獲する、と22泣の泣沸緩度糠使が鼠じた。M15と鈣ぶ供眷棚を橙磨し、10奉に緬供する。橙磨燙姥は腆6它士數メ〖トル、2025鉗をめどに橙磨嬸尸でNANDフラッシュを翁緩するという。顱傅のメモリ〖輝斗は礙步しているものの、SKは肌の見妥攙牲袋を斧盔えて抨獲を瘋めた。
沒袋弄な輝斗の礙步によって、勢クラウドサ〖ビス措度絡緘4家∈Microsoft、AWS、Google、Meta∷の抨獲が2022鉗の4×6奉袋に漣鉗票袋孺で20%籠にとどまった、と21泣に泣沸が鼠じた。4家の抨獲馳は21鉗を奶じてずっと3×4充籠で夸敗していた。また4家の卿懼馳は漣袋孺でもMicrosoftが6%ポイント負の20%喇墓、Alphabet∈Googleの積ち臭柴家∷は8%ポイント負の35%、Amazonは3%ポイント負の33%になったとしている。Metaは漣鉗票袋孺で1%の負箭だった。ただし、墓袋弄には喇墓緩度であるから、抨獲を黎變ばしにしたともいえる。
哭1 Daimler Truckの糠房EV 叫諾¨Daimler Truck
海稿のエレクトロニクスˇ染瞥攣での喇墓尸填の辦つEV簇犯では、20泣から幌まったIAA Transportationに黎額けて倡かれたプレス羹けの券山柴で、Daimler Truck家が1攙の郊排で瘤る掛魯調違を呵絡500kmと凱ばしたEVのトラック≈eActros LongHaul∽∈哭1∷を2024鉗から翁緩倡幌すると券山した。Daimlerが券山したのはこれだけではない。ヘビ〖デュ〖ティのトラクタ〖≈Mercedes-Benz eActros 300∽、さらにミディアムデュ〖ティのトラック≈Mercedes Benz eAtego∽、ライトデュ〖ティの≈FOSO Next Generation eCanter∽も券山した。
またEVだけではなく、淺瘟排糜∈FCV∷のトラック≈Mercedes-Benz GenH2 Truck∽の活侯賈も券山した。悸劑弄に40トントラックであり、垮燎タンク塔タンで呵絡1000kmまで瘤る。ヘビ〖デュ〖ティの墓調違廷流に羹く。菠劍では、墓調違羹けのトラックにはFCV、沒調違脫龐の捐脫賈ではEVが銅網という千急がある。トラックのような度壇脫では、賈尉答孟に垮燎ステ〖ションを肋彌するだけでとりあえずは貉むが、捐脫賈だと鏈柜に肋彌しなければならないため、懼淡のような千急が菠劍にはある。
ただ、FCVでは、攙欄ブレ〖キ脫のオンボ〖ドチャ〖ジャ〖攙烯や、裁廬箕に澀妥なEV怠墻を裁える井房インバ〖タ攙烯も灑えており、EVにせよFCVにせよ、パワ〖染瞥攣ˇドライバIC、マイコンのチップセットが澀妥なため、これからの染瞥攣の喇墓尸填として極瓢賈は袋略できる。裁えて、極瓢笨啪脫の冉們攙烯やコネクテッドカ〖の5Gワイヤレス奶慨攙烯なども裁わるため極瓢賈羹けの染瞥攣への袋略は絡きい。
極瓢賈羹けや浩欄材墻エネルギ〖羹けにSiCへの見妥もこれから光まる。澎記デバイス□ストレ〖ジ家は、SiCパワ〖染瞥攣を2024鉗刨笆慣に羹けて腆80鹼梧、と附覺の腆3擒に籠やす謄篩を非げたと21泣の泣沸緩度が帕えた。SiC染瞥攣は擦呈がSi IGBTの10擒もするため、コストダウンをいかに渴めるかがカギとなる。卵暗600V鎳刨だとIGBTとの頂圭は楓しいが、1200VだとSiCに煩芹が懼がる。光卵暗が妥滇される浩欄材墻エネルギ〖やEVの締廬郊排怠達ではSiCが司まれている。澎記はパワ〖染瞥攣で坤腸6疤だが、パワ〖MOSFETでトップ3疤を謄回している。
