コロナウィルスの影�xで�Vまる日欧��(sh━)と、再�n働始まる中国
新型コロナウィルス(Covid-19)の影�xは半導���噞へも押し寄せている。半導������の�j(lu┛)きな�x場であるスマートフォンやクルマなどの��要が抑えられている。トヨタ�O動�Zは国内5工場の�攵�を4月3日から�k時休�Vすると発表した。華為は、スマホではなく5G基地局向けの����に�R��している。業�cはコロナの先を見据え、5Gへの投�@をシフトしている。
ドイツの記�v仲間の�k人から筆�vに来た情報によれば、新型コロナウィルスの影�xにより、ダイムラーベンツやポルシェ、フォルクスワーゲン、BMWも2週間以�峭�場を停�Vしている。3月24日の日経によると、「新型コロナの感��拡�j(lu┛)で欧��(sh━)中心に外出�U(ku┛)限の動きが広がり、欧��(sh━)では販売��の閉��で��要が��(f┫)少している。�攵啊�Vの動きが日本でも広がる可��性がある」としている。同�Lによると、インド���Bが原�Г箸靴峠j(lu┛)都�xでの外出を�呂┐襪茲ν��个靴燭海箸��pけ、ホンダやスズキは23日、インドの�攵喤点を�k時停�Vしたと報じた。さらに「��(sh━)フォード・モーターはインドの完成�Zとエンジンの4つの工場での�攵�を21日から休�Vした。26日以�Tにベトナムとタイ、南アフリカの��4工場も操業を�Dりやめる」とした�屐�日��も25日から4月14日までメキシコで�Zの�攵�を�Vめる��(sh┫)針を��めたという。日本経済新聞社の先週��時点の推��では、新型コロナの影�xで世�cの�O動�Z�攵�が19�Qの水��に比べて�k時的に4割弱��(f┫)るとみられるとしている。
中国���Bは新型コロナウィルスの感��拡�j(lu┛)で落ち込んだ景気を�f�屬欧垢訝譴箸靴�5G関連��業を位����けている。中国の�j(lu┛)�}通信業�v3社の5G関連投�@�Yは合��で1800億元（2兆8000億��）と�i期の4倍以�屬砲覆辰拭�最�j(lu┛)�}のチャイナモバイルは、�i期実績の240億元から1000億元以�屬飽�き�屬欧襪�25日の日経が報じた。�i期��で約5万カ所だった基地局を30万カ所まで�\やし、サービスの提供地域を50都�xから�k気に300都�xまで広げるとしている。
通信業�vの投�@��画に�瓦靴董�恩�Lを�pけるのが華為とZTEだ。華為の�p�Rが57%、ZTEのそれは29%だとしている。��に華為は、新型コロナウィルスの影�xでスマホ�x場が�K化しているため、リソースを5Gに振り向けている。20�Qのスマホ出荷��数を�i�Q比25%��(f┫)の1億8000万��に下��(sh┫)�T��したという。
�k��(sh┫)で暗い�Bばかりではない。半導�����]����の����などを�}�Xける神戸�xの伊福�@密は、江�|省�n�處xにある同社子会社工場の�n働率を25%から50%に引き�屬欧襦△�27日の日刊工業が報じた。これは現地の企業��動が再開していることから、�v復を��ぐ。ポリプロピレンのコンパウンドやディスプレイ材料を�攵�している住友化学は、停�Vしていた中国の���]工場が現在フル操業に入っていると26日の日刊工業が伝えた。
長期的に半導���噞が成長していく業�cであるため、コロナウィルス終�T後の景気�v復に�}を�]つところがすでにある。Intelは、�c�擇離好泪杆�けの5Gモデム��業を�}放したが、5G基地局向けビジネスには��を入れ��ける。5Gの基地局、��にコア基地局はデータセンター並みの演�Q�ξ�が求められるため、�u(p┴ng)�TなXeonスケーラブルプロセッサや、SoC、FPGA、AIチップなどを?q┗)���し�?G基地局向けを狙う。
Samsungは、DRAMの�攵�ラインにEUVリソグラフィを導入する。これまでEUVリソはロジックやファウンドリで導入されてきたが、DRAMに入るのはこれが初めて。DRAMは20nm以�T、19〜18nmの1x nm、17〜16nmの1y nm、16〜15nmの1z nmプロセスへと少しずつ刻んできた。��来のArFレーザーリソグラフィだと�S長が193nmに�瓦靴董�EUVは13.5nmと�]い。このため、�S長よりも�]いパターンを加工する場合に、露光を2�vないし3�v行ってきたが、さすがにこれ以��4�vというパターニング法では露光時間が長くかかりすぎてスループットが�K化しコストが�\える。EUVは1��100億����模と高価だが、より単�S長のEUVによりスループットが�j(lu┛)きく改��され、コスト高を吸収する。��2位のSK Hynixも21�QにはEUVをDRAMプロセスに導入するとしている。
また、NTTはトランジスタの遮��周�S数fTが800GHzと��来の765GHzを��(g┛u)新した、と27日の日経が報じた。InPのHBT（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）を試作、ベース幅を10nmと薄くして、電流�\幅率hFEが1に��(f┫)少する時の遮��周�S数を高めた。テラヘルツ（THz＝1000GHz）周�S数での通信は6Gともいわれているが、テラヘルツはイメージングにも使える。金�鐫���(m┬ng)機では反応しないセラミックナイフを空港などで隠し�eっていても検出できる。
