次によく読まれた記��は、「中国YMTCが64層3D-NANDフラッシュを�Q��までに量�凮始」である。これは�歟肬�易戦争によって中国半導��業�cが�O��ですべてを開発するための��1��としてYMTCが発表したニュース。

��3位の「日�殀焼������]�����x場、�fを�]ったことはほぼ確実に」では、日����の半導�����]�����x場のSEMIとSEAJの数�Cと、メモリおよびファウンドリの動向から、そのような予�[が立てられそうであることを紹介した。

��4位の「デ��ープラーニング学�{にはウェーハ��模の巨�jなチップが��要」は、かつてのウェーハスケールLSIは失�`したが、ウェーハ��模でもニューラルネットワークのモデルで形成されていると、ニューロンの信�ﾀ�が�H少切れていても迂�v路が使える、あるいは他のニューロンの影�xによって、切れた信�ﾀ�は無��できる、といった神経ネットワークならではのメリットについて紹介した。

��5位「Micronがメモリ不況中にNANDフラッシュ工場を拡張する理�y」は、MicronがシンガポールのNANDフラッシュ工場を拡張する�T味について紹介した。��来は�攵盋を�\やすのが�`的だったが、メモリセルを3次元に64層以�屬盻言僂垢襪燭瓩���要な����を揃えるには、工場の�oを拡張するしかないのが、その理�yだ。