Samsungのメモリが四半期で1兆��を��す最高益
DRAMの単価がいまだに下がらず、Samsungは空�iの営業�W益を�屬欧討い�。1〜3月期の営業�W益が15兆6000億ウォン（約1兆5600億��）を���屐���に半導���靆腓�11兆ウォン（約1兆1000億��）だというメモリバブルを�e�△靴討い�。メモリだけではなく半導������が好調で、IoT、5Gの進�tもあり、後工��で設��投�@が��発になっている。
4月6日に発表した1〜3月期のSamsungの連�T売�幢Yは�i�Q同期比19%�\の60兆ウォン（約6兆��）となった、と4月7日の日本経済新聞が伝えた。半導��以外の�W益が4600億����度しかないが、半導��はDRAMとNANDフラッシュ共に�x場シェア1位だけにメモリバブルの恩�Lをいまだに�pけている。NAND価格は順調に下がってきており、その分�x場が�jきく�Pびているため、NANDフラッシュメーカーも売り�屬欧六\加��向にある。DRAMは�攵盋を抑えた効果が��いており、本来下がるはずのメモリビジネスで単価の�峺�がいまだに��いている。DRAMはSamsungとSK Hynix、Micronの3社で�x場の90%を��める独���噞となってしまい、メモリユーザーはそろそろ独��禁�V法の適��を考える時期に来ているかもしれない。
DRAMバブルが��いている中、NANDフラッシュは3Dの歩�里泙蠅��屬�り�攵�が�Pびており、他の半導��もつられて好調を�e��している。後工��メーカーOSATのトップ、��湾のASEは4億1600万ドル（約440億��）を投じ南�陲旅盒dに新工場を建設すると4日の日経が報じた。2020�Qの完成を見込み、�Q間360億��の売�幢Yを見込む。IoT関連の��要拡�jに�官�するとしている。SEMIによると、後工��は2017�Qの�x場��模が23.4%�\の290億ドル（約3兆��）に達した、と4日の日経が伝えた。
IoTでは、ロームが工場の設��電源にIoTセンサを設��し、�攵摚�△良n働�X況を職場の�j型ディスプレイやスマートフォンでみられるようなシステムを開発した、と6日の日経が報じた。昨�Qロームは、電流センサと組み込みボードをIoTキット「CT Sensor Shield」として発売したが、このボードを使っているかどうかは新聞からは読み�Dれない��新聞によれば、浴衣の帯で国内��位の小�h�E�颪歴E機70��に試�x導入したところ、�n働していない�E機をいち早く発見し�T理することで、設�△良n働率を70%から80%に�屬�、�E機の停�V�v数は16%��少したという。導入�J��は約200万��、維�e�J��は毎月1万��だとしている。
パナソニックはIoT�官�家電の開発ノウハウを�eつShiftall（シフトール）を、IoT����開発会社Cerevo（セレボ）社から��株式を�D�uし子会社化した。シフトールの社�^26人を�Dり込み、開発�]度を�屬欧襪箸い�。
IoTではないがVR（仮�[現実）やAR（拡張現実）などに��要な画�欺萢�プロセッサを開発しているソシオネクストがフィンランドのVarjo（ヴァリヨ）社へ画�欺萢�チップを供給することになった、と4月3日の日刊工業新聞が報じた。2018�Q��に出荷する予定。ソシオネクストはこれまでスマートフォンやデジタルカメラ��の画�欺萢�プロセッサ「ミルビュー」をVR/AR�x場に�t開してきた。Varjoは��線が向いている�霾�の解�掬戮世韻��屬欧覿\術をヘッドセットディスプレイで確立している。
パワー半導��では、日立��作所が10kVA〜50kVAの中小容量UPS（無停電電源）電源にSiC半導��を採��、最終����（UPS）の価格を��来よりも抑えた3日の日刊工業が報じた。SiC半導���O身はシリコンのIGBTよりも価格が数倍高いが、高周�S動作が可�Δ妊┘優襯�ー効率が93.5%と高いため、平滑�v路のコンデンサやコイルが小型軽量になるため、�_量が40%、設���C積が60%削��した。この�T果、最終価格を下げることができたようだ。
半導���x場として今後期待される5G通信では、NICT（情報通信研�|機構）が基地局1��に2万��の端��が同時に通信できる実�xに成功した、と6日の日経�噞新聞が報じた。5Gでは携帯電�Bやスマホだけではなく、IoTやクルマなど様々な端��をつなげる「�H数同時接��」が��長の�kつである。実�xでは実際の端��ではなくシミュレータを��いたもので、�Q端��が5秒に1�vデータを基地局に送信し、70秒��度で��端��のデータを�p信した。
