成長の源泉はやはりIoTとクルマ
アルプス電気は2015�Q4〜9月期の連�T純�W(w┌ng)益が�i�Q同期比97%�\の255億��になる見通しだ、と9月29日に日本経済新聞が報じた。好調の要因はスマホとクルマ。�款氾�にPC主��のMicronのDRAMとAMDのプロセッサの不調も伝えられた。もはや�W(w┌ng)益の源泉はスマホを含めたIoT関係とクルマに見て�Dれる。
アルプスの好調は、スマホ��カメラの�}ぶれ����モジュールや、クルマ��のセンサやスイッチなどの�p�Rが旺�rであることに裏��けられている。�款氾�にMicronの2015�Q6〜8月期の純�W(w┌ng)益は�i�Q同期比59%��の4億7100万ドル、売り�屬欧眛�15%��の36億ドルに落ちた。DRAM�x場の中でもモバイルDRAMの世�c�x場はまだ�\加��向にあるが、PC向けが�HいMicronが�k人負けの様相を呈している(参考�@料1)。また、パソコンやIAサーバ向けのx86アーキテクチャに集中するAMDは、2016�Q��までに����業�^の5%に相当する500人の削����画を発表した。AMDの4~6月期の最終��益は1億8100万ドルの���Cで、売り�屬欧��i�Q同期の35%��の9億4200万ドルとなっていた。
スマホはIoTの�kつだが、先週もIoTがらみの記��が相変わらず�Hい。電子����メーカーはIoTモジュールに��を入れていると10月1日の日刊工業新聞が報じた。センサ端��としてのIoTデバイスには、センサとアナログ、マイコンに無線通信機などの�v路が搭載されているが、IoTデバイスはこれらをモジュールなどで構成する。TDKは3.5mm角と小さな無線通信モジュールを量�僝した。TDKの基��内�填\術はここでも使われている。アルプス電気は��作�餞浜�などに向け防水処理したIoTモジュールを供給し始めたとしている。
GEのIndustrial Internetは、IoTの応��分野の�kつだが、GEはビッグデータ解析など顧客のサービスに向けたソフトウエア��業を拡�jする。10月1日の日経�噞新聞によると、2020�Qまでに15�Q見通しの3倍の150億ドルをソフトウエア��業で�nぐとしている。
オムロンは、センサやスイッチなどを含むPLCなどの�U御機�_に通信インターフェース「IOリンク」��格を搭載していく��(sh┫)針だ。センサで集めたデータを�U御機�_からメインコンピュータや�U御機�_へと共�~、解析し�攵掚を�屬欧襦�9月30日の日経�噞が伝えた。
NTTと日立��作所が提携し、ビッグデータを?q┗)���して、�荼�や交通を効率化するというニュース�?0月1日の日経に掲載されたが、これもIoTの応��例だ��人の流れや�駑�、交通の流れ、エネルギー管理を把�曚�、効率化し、地��(sh┫)にやってくる旅行�vへの�~益な情報を提供する。地��(sh┫)のエネルギー効率を�屬�、無�Gを��らすことにもつなげる。
インターネットサービス業�vであったGoogleはスマホの新機�|を発表し、ハードウエアへの�啣修鮨覆瓩討い�。スマホには最新OS「マシュマロ(Android 6.0)」を搭載、最�Zの機�Δ鯏觝椶垢襪海箸如�他の端��メーカーのお�}本とする。スマホをIoT端��あるいはシステムのセンサとして、ビーコンやWi-Fiなどで検出し、スマホ保�e�vの行動(ビッグデータ)を解析、商��などのサービスにつなげる。
先週はクルマ関係の������業を�啣修垢襪箸いΦ���も相次いだ。まずルネサスは、アナログ・デジタル・パワーの�v路を構成できるBCDプロセス����を拡充する、と10月2日の日刊工業が伝えた。BCDとは、バイポーラ、CMOS、Double-diffused CMOSの�Sであり、アナログに�咾ぅ丱ぅ檗璽蕕肇妊献織襪�CMOS、そしてパワー半導��のドライバとして使うDMOS�v路からなる。最小線幅90nmのBCD����の��ぞろえを拡充するとしている。
��菱電機は発電機(オールタネータ)やスターターに使うモータが�u�Tだが、こういったモータ�\術を?q┗)�かし、��来の�噞向けから�O動�Z分野にも��を入れる。�O動�Zでは軽量化が��須であることから、巻き線を緻密にして�w定子を小型にする。��菱はこの�\術にノウハウを�eっており、OEM(クルマメーカー)のジャストインタイムにも�官�できる「�j量�H���|」の�攵�ラインが��め�}になるという。
日立��作所は、電気�O動�Z（EV）やプラグインハイブリッド�Z（PHV）向けのインバータの電����失を6割削��したと9月30日の日経�噞が報じた。しかし、この記��内容は��くあやふやでわからなかったため、記��の元になっていると思われるニュースリリースをみると、両�C冷却型のパッケージに入れたSiCフルパワーモジュールを開発したとある。フルSiCモジュールとは、MOSFETと、逆電流を素早く逃がすためのダイオードを共にSiC半導��で構成したもの。並�`接��した�QSiCパワー半導��のオンオフのタイミングのズレを最小にするようにドライバ�v路を工夫し、電流容量を��来の2倍に高め、小型化を図ったとしている。
パナソニックもクルマ��業を�啣修垢襪燭�GaNやSiC半導��向けの高耐�X半導��パッケージ���`脂を開発、10月からサンプル出荷する。これは�`脂のガラス転�‥世鴪�来の170〜180℃から210℃に高めたもの。加えて、両�C放�Xパッケージを��いて光出��4.5Wと高い�E��レーザダイオードも開発した。クルマのヘッドライトやレーザー加工機への応��を狙う。2019�Q以�Tの実��化を狙う、と9月30日の日経�噞が報じた。
参考�@料
1. Micron（旧エルピーダ）、モバイルDRAMでHynixに�`される (2015/08/18)
