先週の金曜日、日経はこのニュースを�k�Cトップで伝えた。Molecular Imprints社は、ナノインプリント�\術を使うリソグラフィ����のメーカーで、微細な半導��だけではなくハードディスクのパターニング��も狙っている(参考�@料2)。キヤノンのニュースリリースでは、本�Q2月5日をもってMolecular社の連�T子会社化について合�Tしたと述べている。

キヤノンは、現在、KrFエキシマレーザー(�S長248nm)とi線（�S長365nm）のリソグラフィ����を�攵�・販売しているが、微細化�官�は��れていた。ArF（�S長193nm）レーザーを光源とするリソではオランダのASML、ニコンの2社が�}�Xけている。キヤノンは微細化レースにおいて脱落したと思われていた。今�v、ナノインプリント����を�}にすることで、同社は再び微細化レースに参入する。

キヤノンのニュースリリースによると、同社は、2004�Qに20nm以下の微細加工に向けたナノインプリント�\術の研�|を開始したとする。セミコンポータルが2008�Q12月にMolecular Imprints社の戦�Sを紹介した（参考�@料2）後の2009�Q以�T、ナノインプリント�\術を��いた次世代リソグラフィ����の量��を�`指して、Molecular社および�j(lu┛)�}半導��メーカーと共同で開発に�Dり組んできたという。

次世代のリソグラフィ����として、ASMLがEUV（�S長13.5nmのX線）露光����の開発を進めており、ニコンは�]浸のArFレーザーによるダブルパターニングを推進している。10nm�\術がEUVかトリプルパターニングになるのか、まだ�T�bは出ていない。どちらも、1時間あたりに�攵�するウェーハ��数、すなわちスループットが低いため、コストが下がらないという�椶澆魴eつ。

ナノインプリント�\術は、2008�Q時点でのMolecular社の思惑が外れ、22nmのNANDフラッシュに使われていない。量�咁導入がやや��れ気味であり、次世代のリソグラフィ����の�t��として最�Z、�B��に�屬蕕覆�なってきた。かつて、3�j(lu┛)リソメーカーの1社であったキヤノンが今�v、Molecular社�A収を��めたことで、この�\術が次世代微細化�\術に浮�屬靴討�ることになる。

もともと光学機�_メーカーであるキヤノンはレンズを�u�Tとしてきた。ナノインプリント�\術は、印��と同じ原理でウェーハ表�Cに凹��を��けるため、基本的にレンズを使わない。しかし、キヤノンはレンズを?q┗)�かしたカメラだけではなく、インクジェットプリンタや複合機などの分野にも�}を広げてきた。リソグラフィ����においても、レンズだけではなく、ステージの機構やロボティクスなどの実績がある。これらの�\術を?q┗)�かすことで、次世代リソ����への再参入を��めたのであろう。成功を期待したい�?/p>

先週は、ソニーがCMOSセンサーを�\��するというニュースを、日経が12日に報じた。350億��を投じ月���ξ�を25%�\やすため、その�攵剦張にはルネサスエレクトロニクスから�P(gu─n)入する鶴�K工場を当てる、とする。日経は、ソニーが鶴�K工場の�A収を��めた理�y(t┓ng)を、アップルから�]�い�あったためと報じている。アップルは、iPhoneやiPadなどの����に使っているメーカー�@を�o表しない。アップルに����を納入するサプライヤもアップル向けを�o言しない。このため、日経は「アップルが来�Qにも発売する新型iPhone向けに画�汽札鵐機爾龍ゝ詢未鯒椹\させるとみられる」という表現をとっている。

参考�@料
1. キヤノンによるモレキュラーインプリント社の完��子会社化について ニュースリリース、(2014/02/14)

2. ナノインプリントの量�僝は22nm以�TのNANDフラッシュ、ハードディスクから (2008/12/24)